Tita gbigbona China digi Polish Silicon Carbide Nitride Seramiki Rod Si3n4 tube seramiki

Tita gbigbona China digi Polish Silicon Carbide Nitride Seramiki Rod Si3n4 Seramiki Tube Ifihan Aworan

Apejuwe kukuru:

Iṣọkan Kemikali: Silicon Carbide

Lile: ≥110 HS

iwuwo: 3.10-3.15 g / cm3

Agbara atunse:>350MPa

Gbona elekitiriki:>120

Fi imeeli ranṣẹ si wa Ṣe igbasilẹ bi PDF

Alaye ọja

ọja Tags

Wa company aims to operating faithfully, serving to all of our customers , and working in new technology and new machine always for Hot sale China Mirror Polish Silicon Carbide Nitride Ceramic Rod Si3n4 Ceramic Tube , Ṣe o tun n wa ọja ti o ga julọ ti o wa ninu ni ibamu pẹlu aworan ile-iṣẹ ti o dara rẹ lakoko ti o npo ọja rẹ tabi sakani iṣẹ bi? Gbiyanju awọn solusan didara wa. Aṣayan rẹ yoo jẹri fun jijẹ oye!
Ile-iṣẹ wa ni ero lati ṣiṣẹ ni otitọ, ṣiṣe si gbogbo awọn alabara wa, ati ṣiṣẹ ni imọ-ẹrọ tuntun ati ẹrọ tuntun nigbagbogbo funChina Silicon Nitride, Si3n4 Rod, A ti sọ ni igbagbogbo tẹnumọ lori itankalẹ ti awọn solusan, lo awọn owo to dara ati awọn orisun eniyan ni imudara imọ-ẹrọ, ati dẹrọ ilọsiwaju iṣelọpọ, pade awọn ifẹ ti awọn asesewa lati gbogbo awọn orilẹ-ede ati awọn agbegbe.
Sintered Silicon Carbide Seramiki Bushing

Ohun alumọni carbide ti ko ni titẹ ti ko ni titẹ (SSIC)ti ṣejade ni lilo SiC lulú ti o dara pupọ ti o ni awọn afikun sintering. O ti wa ni ilọsiwaju nipa lilo awọn ọna fọọmu ti o jẹ aṣoju fun awọn ohun elo amọ miiran ati sintered ni 2,000 si 2,200 ° C ni afẹfẹ gaasi inert. Bakanna awọn ẹya ti o dara-dara, pẹlu awọn iwọn-ọkà <5 um, awọn ẹya ti o wa ni erupẹ pẹlu awọn iwọn ọkà ti o to 1.5. mm wa.

SSIC jẹ iyatọ nipasẹ agbara giga ti o duro ni igbagbogbo titi de awọn iwọn otutu ti o ga pupọ (isunmọ 1,600° C), mimu agbara yẹn duro fun awọn akoko pipẹ!

Awọn anfani ọja:

Agbara ifoyina otutu giga

O tayọ Ipata resistance

Ti o dara abrasion resistance

Ga olùsọdipúpọ ti ooru elekitiriki
Lubricity ti ara ẹni, iwuwo kekere
Lile giga
Apẹrẹ ti adani.

Awọn ohun-ini imọ-ẹrọ:

Awọn nkan	Ẹyọ	Data
Lile	HS	≥110
Oṣuwọn Porosity	%	<0.3
iwuwo	g/cm3	3.10-3.15
Titẹ	MPa	>2200
Agbara Fractural	MPa	> 350
olùsọdipúpọ ti imugboroosi	10/°C	4.0
Akoonu ti Sic	%	≥99
Gbona elekitiriki	W/mk	>120
Modulu rirọ	GPA	≥400
Iwọn otutu	°C	1380