Gallium arsenide-phosphide epitaxial awọn ẹya, ti o jọra si awọn ẹya iṣelọpọ ti iru ASP sobusitireti (ET0.032.512TU), fun awọn. iṣelọpọ ti awọn kirisita LED pupa ti gbero.
Ipilẹ imọ paramita
si awọn ẹya gallium arsenide-phosphide
| 1, SubstrateGaAs | |
| a. Iwa ihuwasi | itanna |
| b. Resistivity, ohm-cm | 0,008 |
| c. Crystal-latticeorientation | (100) |
| d. Dada misorientation | (1-3)° |
| 2. Epitaxial Layer GaAs1-х Pх | |
| a. Iwa ihuwasi | itanna |
| b. Akoonu irawọ owurọ ninu Layer iyipada | lati х = 0 si х ≈ 0,4 |
| c. Akoonu phosphorus ni Layer ti akopọ igbagbogbo | х ≈ 0,4 |
| d. Ifojusi ti ngbe, сm3 | (0,2-3,0) · 1017 |
| e. Wefulenti ni o pọju ti photoluminescence spectrum, nm | 645-673 nm |
| f. Wefulenti ni o pọju ti awọn electroluminescence julọ.Oniranran | 650-675 nm |
| g. Ibakan Layer sisanra, micron | O kere ju 8 nm |
| h. Sisanra Layer (lapapọ), micron | O kere ju 30 nm |
| 3 Awo pẹlu epitaxial Layer | |
| a. Iyapa, micron | O pọju 100 um |
| b. Sisanra, micron | 360-600 um |
| c. Ìwọ̀n sẹ̀ǹtímítà | O kere ju 6 cm2 |
| d. Kikan itanna kan pato (lẹhin diffusionZn), cd/amp | O kere ju 0,05 cd/amp |
