גוט כאָולסייל ווענדאָרס טשיינאַ אַברייסיוו פּאַלישינג און סאַנדבלאַסטינג סיליציום קאַרבידע נאַנאָ סיק מיט גוט טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי

קורץ באַשרייַבונג:

אָרט פון אָנהייב:כינע

קריסטאַל סטרוקטור:FCCβ פאַסע

געדיכטקייַט:3.21 ג / סענטימעטער;

שווערקייט:2500 וויקערס;

גריין גרייס:2~10μם;

כעמישער ריינקייַט:99.99995%;

היץ קאַפּאַציטעט:640דזש·קג-1·ק-1;

סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור:2700℃;

פעלעקסוראַל שטאַרקייַט:415 מפּאַ (רט 4-פונט);

יונג ס מאָדולע:430 גפּאַ (4 פּט בייגן, 1300 ℃);

טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE):4.5 10-6ק-1;

טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי:300 （W / MK ）;

שיקן בליצפּאָסט צו אונדז אראפקאפיע ווי פּדף

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

מיט אונדזער גרויס פאַרוואַלטונג, שטאַרק טעכניש פיייקייט און שטרענג ויסגעצייכנט שעפּן פּראָצעדור, מיר פאָרזעצן צו צושטעלן אונדזער קאַסטאַמערז מיט רעפּיאַטאַבאַל שפּיץ קוואַליטעט, גלייַך סעלינג פּרייסיז און גרויס פּראַוויידערז. מיר צילן צו ווערן צווישן דיין מערסט טראַסטיד פּאַרטנערס און ערנינג דיין צופֿרידנקייט פֿאַר גוט כאָולסייל ווענדאָרס טשיינאַ אַברייסיוו פּאַלישינג און סאַנדבלאַסטינג סיליציום קאַרבידע נאַנאָSicמיט גוט טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, אונדזער לעצט ציל איז שטענדיק צו ריי ווי אַ שפּיץ סאָרט און אויך פירן ווי אַ פּיאָניר אין אונדזער פעלד. מיר זענען זיכער אַז אונדזער פּראָדוקטיוו דערפאַרונג אין שאַפונג פון מכשירים וועט באַקומען קונה ס צוטרוי, איר ווילן צו קאָואַפּערייט און קאָ-שאַפֿן אַן אפילו בעסער לאַנג טערמין מיט איר!
מיט אונדזער גרויס פאַרוואַלטונג, שטאַרק טעכניש פיייקייט און שטרענג ויסגעצייכנט שעפּן פּראָצעדור, מיר פאָרזעצן צו צושטעלן אונדזער קאַסטאַמערז מיט רעפּיאַטאַבאַל שפּיץ קוואַליטעט, גלייַך סעלינג פּרייסיז און גרויס פּראַוויידערז. מיר ציל צו ווערן צווישן דיין מערסט טראַסטיד פּאַרטנערס און ערנינג דיין צופֿרידנקייט פֿאַרטשיינאַ סיליציום קאַרבידע, Sic, אונדזער אָביעקטיוו איז "צו צושטעלן ערשטער שריט פּראָדוקטן און סאַלושאַנז און בעסטער דינסט פֿאַר אונדזער קאַסטאַמערז, אַזוי מיר 'רע זיכער איר וועט האָבן אַ גרענעץ נוץ דורך קאָואַפּערייטינג מיט אונדז". אויב איר זענט אינטערעסירט אין קיין פון אונדזער סכוירע אָדער וואָלט ווי צו דיסקוטירן אַ מנהג סדר, ביטע פילן פריי צו קאָנטאַקט אונדז. מיר קוקן פאָרויס צו פאָרמינג מצליח געשעפט באציונגען מיט נייַע קלייאַנץ אַרום די וועלט אין דעם לעבן צוקונפֿט.
פּראָדוקט באַשרייַבונג

אונדזער פירמע פּראָווידעס SiC קאָוטינג פּראָצעס באַדינונגס דורך CVD אופֿן אויף די ייבערפלאַך פון גראַפייט, סעראַמיקס און אנדערע מאַטעריאַלס, אַזוי אַז ספּעציעל גאַסאַז מיט טשאַד און סיליציום רעאַגירן אין הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך ריינקייַט SiC מאַלאַקיולז, מאַלאַקיולז דאַפּאַזיטיד אויף די ייבערפלאַך פון קאָוטאַד מאַטעריאַלס, פאָרמינג סיק פּראַטעקטיוו שיכטע.

הויפּט פֿעיִקייטן:

1. הויך טעמפּעראַטור אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל:

די אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל איז נאָך זייער גוט ווען די טעמפּעראַטור איז ווי הויך ווי 1600 C.

2. הויך ריינקייַט: געמאכט דורך כעמישער פארע דעפּאַזישאַן אונטער הויך טעמפּעראַטור קלאָראַניישאַן צושטאַנד.

3. יראָוזשאַן קעגנשטעל: הויך כאַרדנאַס, סאָליד ייבערפלאַך, פייַן פּאַרטיקאַלז.

4. קעראָוזשאַן קעגנשטעל: זויער, אַלקאַלי, זאַלץ און אָרגאַניק רייידזשאַנץ.

הויפּט ספּעסאַפאַקיישאַנז פון CVD-SIC קאָוטינג

SiC-CVD פּראָפּערטיעס
קריסטאַל סטרוקטור	פקק β פאַסע
געדיכטקייַט	ג/קם ³	3.21
כאַרדנאַס	וויקקערס כאַרדנאַס	2500
קערל גרייס	μm	2~10
כעמישער ריינקייַט	%	99.99995
היץ קאַפּאַסיטי	דזש·קג-1 ·ק-1	640
סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור	℃	2700
פעלעקסוראַל שטאַרקייַט	מפּאַ (רט 4-פונט)	415
יונג ס מאָדולע	גפּאַ (4 פּקט בייגן, 1300 ℃)	430
טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE)	10-6ק-1	4.5
טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי	(וו/מק)	300