Lớp phủ SiC/Chất nền than chì phủ/Khay cho chất bán dẫn

Mô tả ngắn gọn:

Chất nhạy cảm than chì được phủ SiC Energy SiC để tăng trưởng epiticular là một sản phẩm hiệu suất cao được thiết kế để mang lại hiệu suất ổn định và đáng tin cậy trong thời gian dài. Nó có khả năng chịu nhiệt siêu tốt và độ đồng đều nhiệt, độ tinh khiết cao, khả năng chống xói mòn, khiến nó trở thành giải pháp hoàn hảo cho các ứng dụng xử lý wafer.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Lớp phủ SiC/phủ chất nhạy cảm Graphite cho chất bán dẫn
 
cácChất nền than chì phủ SiClà một giải pháp có độ bền cao và hiệu quả được thiết kế để đáp ứng nhu cầu khắt khe của ngành xử lý chất bán dẫn. Với một lớp có độ tinh khiết caolớp phủ silicon cacbua (SiC), chất nền này mang lại độ ổn định nhiệt đặc biệt, khả năng chống oxy hóa và tuổi thọ kéo dài, khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng trong quy trình MOCVD, chất mang tấm wafer than chì và các môi trường nhiệt độ cao khác.

 Đặc trưng: 
· Khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời
· Khả năng chống sốc vật lý tuyệt vời
· Kháng hóa chất tuyệt vời
· Độ tinh khiết siêu cao
· Có sẵn ở dạng phức tạp
·Có thể sử dụng trong môi trường oxy hóa

Ứng dụng:

3

Tính năng và ưu điểm của sản phẩm:

1. Khả năng chịu nhiệt vượt trội:Với độ tinh khiết caolớp phủ SiC, chất nền chịu được nhiệt độ khắc nghiệt, đảm bảo hiệu suất ổn định trong các môi trường đòi hỏi khắt khe như chế tạo epitaxy và chất bán dẫn.

2. Tăng cường độ bền:Các thành phần than chì được phủ SiC được thiết kế để chống ăn mòn và oxy hóa hóa học, tăng tuổi thọ của chất nền so với chất nền than chì tiêu chuẩn.

3. Than chì phủ thủy tinh:Cấu trúc thủy tinh độc đáo củalớp phủ SiCcung cấp độ cứng bề mặt tuyệt vời, giảm thiểu hao mòn trong quá trình xử lý ở nhiệt độ cao.

4. Lớp phủ SiC có độ tinh khiết cao:Chất nền của chúng tôi đảm bảo mức độ ô nhiễm tối thiểu trong các quy trình bán dẫn nhạy cảm, mang lại độ tin cậy cho các ngành đòi hỏi độ tinh khiết vật liệu nghiêm ngặt.

5. Ứng dụng thị trường rộng rãi:cácChất nhạy cảm than chì được phủ SiCThị trường tiếp tục phát triển khi nhu cầu về các sản phẩm phủ SiC tiên tiến trong sản xuất chất bán dẫn tăng lên, định vị chất nền này là nhân tố chính trong cả thị trường chất mang wafer than chì và thị trường khay than chì phủ cacbua silic.

Tính chất điển hình của vật liệu than chì cơ bản:

Mật độ biểu kiến: 1,85 g/cm3
Điện trở suất: 11 μΩm
Độ uốn uốn: 49 MPa (500kgf/cm2)
Độ cứng bờ: 58
Tro: <5 trang/phút
Độ dẫn nhiệt: 116 W/mK (100 kcal/mhr-°C)

 

CVD SiC薄膜基本物理性能

Tính chất vật lý cơ bản của CVD SiClớp phủ

性质 / Tài sản

典型数值 / Giá trị điển hình

晶体结构 / Cấu trúc tinh thể

FCC giai đoạn β 多晶,主要为(111)取向

密度 / Mật độ

3,21 g/cm³

硬度 / Độ cứng

2500 维氏硬度(tải 500g)

晶粒大小 / Kích thước hạt

2 ~ 10μm

纯度 / Độ tinh khiết hóa học

99,99995%

热容 / Công suất nhiệt

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Nhiệt độ thăng hoa

2700oC

抗弯强度 / Độ bền uốn

415 MPa RT 4 điểm

杨氏模量 / Mô đun của Young

Uốn cong 430 Gpa 4pt, 1300oC

导热系数 / Độ dẫn nhiệt

300W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Giãn nở nhiệt(CTE)

4,5×10-6K-1

1

2

 

 

VET Energy là nhà sản xuất thực sự các sản phẩm than chì và cacbua silic tùy chỉnh với các lớp phủ khác nhau như lớp phủ SiC, lớp phủ TaC, lớp phủ carbon thủy tinh, lớp phủ carbon nhiệt phân, v.v., có thể cung cấp các bộ phận tùy chỉnh khác nhau cho ngành công nghiệp bán dẫn và quang điện.

Đội ngũ kỹ thuật của chúng tôi đến từ các tổ chức nghiên cứu hàng đầu trong nước, có thể cung cấp các giải pháp vật liệu chuyên nghiệp hơn cho bạn.

Chúng tôi liên tục phát triển các quy trình tiên tiến để cung cấp các vật liệu tiên tiến hơn và đã phát triển một công nghệ được cấp bằng sáng chế độc quyền, có thể làm cho liên kết giữa lớp phủ và chất nền chặt chẽ hơn và ít bị bong ra hơn.

Nhiệt liệt chào mừng bạn đến thăm nhà máy của chúng tôi, chúng ta hãy thảo luận thêm!

研发团队

 

生产设备

 

公司客户

 


  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Trò chuyện trực tuyến WhatsApp!