Tin tức

Các khuyết tật của lớp epiticular silicon cacbua là gì
bởi quản trị viên vào ngày 24-06-05
Công nghệ cốt lõi cho sự phát triển của vật liệu epiticular SiC trước hết là công nghệ kiểm soát khuyết tật, đặc biệt đối với công nghệ kiểm soát khuyết tật dễ gây hỏng thiết bị hoặc suy giảm độ tin cậy. Nghiên cứu về cơ chế của các khuyết tật cơ chất kéo dài đến lớp biểu bì...
Đọc thêm
Công nghệ tăng trưởng hạt đứng và epiticular-Ⅱ
bởi quản trị viên vào ngày 24-05-30
2. Tăng trưởng màng mỏng epiticular Chất nền cung cấp lớp hỗ trợ vật lý hoặc lớp dẫn điện cho các thiết bị nguồn Ga2O3. Lớp quan trọng tiếp theo là lớp kênh hoặc lớp epiticular được sử dụng để kháng điện áp và vận chuyển sóng mang. Để tăng điện áp đánh thủng và giảm thiểu tổn thất...
Đọc thêm
Công nghệ tăng trưởng đơn tinh thể và epiticular Gallium Oxide
bởi quản trị viên vào ngày 24-05-30
Các chất bán dẫn có vùng cấm rộng (WBG) được đại diện bởi cacbua silic (SiC) và gali nitrit (GaN) đã nhận được sự chú ý rộng rãi. Mọi người đặt kỳ vọng cao vào triển vọng ứng dụng của cacbua silic trong xe điện và lưới điện, cũng như triển vọng ứng dụng của gali...
Đọc thêm
Các rào cản kỹ thuật đối với cacbua silic là gì?Ⅱ
bởi quản trị viên vào ngày 24-05-22
Những khó khăn kỹ thuật trong việc sản xuất hàng loạt tấm silicon cacbua chất lượng cao với hiệu suất ổn định bao gồm: 1) Vì tinh thể cần phát triển trong môi trường kín có nhiệt độ cao trên 2000°C nên yêu cầu kiểm soát nhiệt độ là cực kỳ cao; 2) Vì cacbua silic có ...
Đọc thêm
Các rào cản kỹ thuật đối với cacbua silic là gì?
bởi quản trị viên vào ngày 24-05-22
Thế hệ vật liệu bán dẫn đầu tiên được thể hiện bằng silicon (Si) và germanium (Ge) truyền thống, là cơ sở để sản xuất mạch tích hợp. Chúng được sử dụng rộng rãi trong các bóng bán dẫn và máy dò điện áp thấp, tần số thấp và công suất thấp. Hơn 90% sản phẩm bán dẫn...
Đọc thêm
Bột vi sinh SiC được sản xuất như thế nào?
bởi quản trị viên vào ngày 24-05-13
Tinh thể đơn SiC là vật liệu bán dẫn hợp chất Nhóm IV-IV bao gồm hai nguyên tố Si và C theo tỷ lệ cân bằng hóa học là 1:1. Độ cứng của nó chỉ đứng sau kim cương. Việc khử cacbon bằng phương pháp oxit silic để điều chế SiC chủ yếu dựa trên công thức phản ứng hóa học sau...
Đọc thêm
Lớp epitaxy giúp ích cho các thiết bị bán dẫn như thế nào?
bởi quản trị viên vào ngày 24-05-13
Nguồn gốc của tên gọi wafer epiticular Đầu tiên, chúng ta hãy phổ biến một khái niệm nhỏ: quá trình chuẩn bị wafer bao gồm hai khâu chính: chuẩn bị chất nền và quá trình epiticular. Chất nền là một tấm wafer được làm bằng vật liệu đơn tinh thể bán dẫn. Chất nền có thể trực tiếp đi vào quá trình sản xuất wafer...
Đọc thêm
Giới thiệu công nghệ lắng đọng màng mỏng lắng đọng hơi hóa học (CVD)
bởi quản trị viên vào ngày 24-05-06
Lắng đọng hơi hóa học (CVD) là một công nghệ lắng đọng màng mỏng quan trọng, thường được sử dụng để chuẩn bị các màng chức năng và vật liệu lớp mỏng khác nhau, và được sử dụng rộng rãi trong sản xuất chất bán dẫn và các lĩnh vực khác. 1. Nguyên lý hoạt động của CVD Trong quy trình CVD, tiền chất khí (một hoặc...
Đọc thêm
Bí mật “vàng đen” đằng sau ngành công nghiệp bán dẫn quang điện: mong muốn và sự phụ thuộc vào than chì đẳng tĩnh
bởi quản trị viên vào ngày 24-05-06
Than chì đẳng tĩnh là một vật liệu rất quan trọng trong quang điện và chất bán dẫn. Với sự gia tăng nhanh chóng của các công ty than chì đẳng tĩnh trong nước, sự độc quyền của các công ty nước ngoài ở Trung Quốc đã bị phá vỡ. Với nghiên cứu và phát triển độc lập liên tục và những đột phá về công nghệ, ...
Đọc thêm