Tin tức

Các loại than chì đặc biệt
bởi quản trị viên vào ngày 24-06-17
Than chì đặc biệt là vật liệu than chì có độ tinh khiết cao, mật độ cao và độ bền cao và có khả năng chống ăn mòn tuyệt vời, ổn định nhiệt độ cao và tính dẫn điện tuyệt vời. Nó được làm bằng than chì tự nhiên hoặc nhân tạo sau khi xử lý nhiệt ở nhiệt độ cao và xử lý áp suất cao...
Đọc thêm
Phân tích thiết bị lắng đọng màng mỏng – nguyên lý và ứng dụng của thiết bị PECVD/LPCVD/ALD
bởi quản trị viên vào ngày 24-06-12
Lắng đọng màng mỏng là phủ một lớp màng lên vật liệu nền chính của chất bán dẫn. Màng này có thể được làm bằng nhiều vật liệu khác nhau, chẳng hạn như hợp chất cách điện silicon dioxide, polysilicon bán dẫn, đồng kim loại, v.v. Thiết bị dùng để phủ được gọi là lắng đọng màng mỏng...
Đọc thêm
Vật liệu quan trọng quyết định chất lượng tăng trưởng của silicon đơn tinh thể – trường nhiệt
bởi quản trị viên vào ngày 24-06-12
Quá trình tăng trưởng của silicon đơn tinh thể hoàn toàn được thực hiện trong trường nhiệt. Trường nhiệt tốt có lợi cho việc cải thiện chất lượng tinh thể và có hiệu suất kết tinh cao hơn. Thiết kế của trường nhiệt quyết định phần lớn sự thay đổi độ dốc nhiệt độ...
Đọc thêm
Những khó khăn kỹ thuật của lò tăng trưởng tinh thể cacbua silic là gì?
bởi quản trị viên vào ngày 24-06-07
Lò tăng trưởng tinh thể là thiết bị cốt lõi cho sự phát triển tinh thể cacbua silic. Nó tương tự như lò tăng trưởng tinh thể cấp silicon tinh thể truyền thống. Cấu trúc lò không phức tạp lắm. Nó chủ yếu bao gồm thân lò, hệ thống sưởi ấm, cơ cấu truyền động cuộn dây...
Đọc thêm
Các khuyết tật của lớp epiticular silicon cacbua là gì
bởi quản trị viên vào ngày 24-06-05
Công nghệ cốt lõi cho sự phát triển của vật liệu epiticular SiC trước hết là công nghệ kiểm soát khuyết tật, đặc biệt đối với công nghệ kiểm soát khuyết tật dễ gây hỏng thiết bị hoặc suy giảm độ tin cậy. Nghiên cứu về cơ chế của các khuyết tật cơ chất kéo dài đến lớp biểu bì...
Đọc thêm
Công nghệ tăng trưởng hạt đứng và epiticular-Ⅱ
bởi quản trị viên vào ngày 24-05-30
2. Tăng trưởng màng mỏng epiticular Chất nền cung cấp lớp hỗ trợ vật lý hoặc lớp dẫn điện cho các thiết bị nguồn Ga2O3. Lớp quan trọng tiếp theo là lớp kênh hoặc lớp epiticular được sử dụng để kháng điện áp và vận chuyển sóng mang. Để tăng điện áp đánh thủng và giảm thiểu tổn thất...
Đọc thêm
Công nghệ tăng trưởng đơn tinh thể và epiticular Gallium Oxit
bởi quản trị viên vào ngày 24-05-30
Các chất bán dẫn có vùng cấm rộng (WBG) được đại diện bởi cacbua silic (SiC) và gali nitrit (GaN) đã nhận được sự chú ý rộng rãi. Mọi người đặt kỳ vọng cao vào triển vọng ứng dụng của cacbua silic trong xe điện và lưới điện, cũng như triển vọng ứng dụng của gali...
Đọc thêm
Các rào cản kỹ thuật đối với cacbua silic là gì?Ⅱ
bởi quản trị viên vào ngày 24-05-22
Những khó khăn kỹ thuật trong việc sản xuất hàng loạt tấm silicon cacbua chất lượng cao với hiệu suất ổn định bao gồm: 1) Vì tinh thể cần phát triển trong môi trường kín có nhiệt độ cao trên 2000°C nên yêu cầu kiểm soát nhiệt độ là cực kỳ cao; 2) Vì cacbua silic có ...
Đọc thêm
Các rào cản kỹ thuật đối với cacbua silic là gì?
bởi quản trị viên vào ngày 24-05-22
Thế hệ vật liệu bán dẫn đầu tiên được thể hiện bằng silicon (Si) và germanium (Ge) truyền thống, là cơ sở để sản xuất mạch tích hợp. Chúng được sử dụng rộng rãi trong các bóng bán dẫn và máy dò điện áp thấp, tần số thấp và công suất thấp. Hơn 90% sản phẩm bán dẫn...
Đọc thêm