Yangiliklar

Uchinchi avlod yarimo'tkazgich GaN va tegishli epitaksial texnologiyaga kirish
admin tomonidan 24-06-25
1. Uchinchi avlod yarimo'tkazgichlar Birinchi avlod yarimo'tkazgich texnologiyasi Si va Ge kabi yarimo'tkazgich materiallari asosida ishlab chiqilgan. Bu tranzistorlar va integral mikrosxemalar texnologiyasini ishlab chiqish uchun moddiy asosdir. Birinchi avlod yarimo'tkazgich materiallari f...
Ko'proq o'qish
Gözenekli grafitning kremniy karbid kristalining o'sishiga ta'siri bo'yicha raqamli simulyatsiya tadqiqoti
admin tomonidan 24-06-18
SiC kristalining o'sishining asosiy jarayoni xom ashyoni yuqori haroratda sublimatsiya va parchalanish, harorat gradienti ta'sirida gaz fazali moddalarni tashish va urug'lik kristalida gaz fazasi moddalarining qayta kristallanish o'sishiga bo'linadi. Shunga asoslanib,...
Ko'proq o'qish
Maxsus grafit turlari
admin tomonidan 24-06-17
Maxsus grafit yuqori tozaligi, yuqori zichligi va yuqori quvvatli grafit materialidir va mukammal korroziyaga chidamliligi, yuqori harorat barqarorligi va katta elektr o'tkazuvchanligiga ega. Yuqori haroratli issiqlik bilan ishlov berish va yuqori bosimli ishlov berishdan keyin tabiiy yoki sun'iy grafitdan tayyorlanadi ...
Ko'proq o'qish
Yupqa plyonkali yotqizish uskunalarini tahlil qilish - PECVD / LPCVD / ALD uskunasining tamoyillari va qo'llanilishi
admin tomonidan 24-06-12
Yupqa plyonkani cho'ktirish yarimo'tkazgichning asosiy substrat materialiga plyonka qatlamini qoplashdir. Ushbu plyonka turli xil materiallardan tayyorlanishi mumkin, masalan, izolyatsion birikma kremniy dioksidi, yarim o'tkazgichli polisilikon, metall mis va boshqalar. Qoplash uchun ishlatiladigan asbob-uskunalar yupqa plyonkali cho'kma deb ataladi...
Ko'proq o'qish
Monokristalli kremniy o'sishi sifatini aniqlaydigan muhim materiallar - termal maydon
admin tomonidan 24-06-12
Monokristalli kremniyning o'sish jarayoni to'liq termal maydonda amalga oshiriladi. Yaxshi termal maydon kristallarning sifatini yaxshilashga yordam beradi va yuqori kristallanish samaradorligiga ega. Issiqlik maydonining dizayni asosan harorat gradyanlaridagi o'zgarishlarni aniqlaydi ...
Ko'proq o'qish
Silikon karbid kristalli o'sish pechining texnik qiyinchiliklari qanday?
admin tomonidan 24-06-07
Kristalli o'sish pechi silikon karbid kristalining o'sishi uchun asosiy uskunadir. Bu an'anaviy kristalli kremniyli kristalli o'sish pechiga o'xshaydi. Pechning tuzilishi juda murakkab emas. U asosan o'choq tanasi, isitish tizimi, lasan uzatish mexanizmidan iborat ...
Ko'proq o'qish
Kremniy karbid epitaksial qatlamining nuqsonlari qanday
admin tomonidan 24-06-05
SiC epitaksial materiallarining o'sishi uchun asosiy texnologiya, birinchi navbatda, nuqsonlarni nazorat qilish texnologiyasi, ayniqsa, qurilma ishdan chiqishi yoki ishonchliligining pasayishiga moyil bo'lgan nuqsonlarni nazorat qilish texnologiyasi uchun. Substrat nuqsonlari mexanizmini o'rganish epi...
Ko'proq o'qish
Oksidlangan tik don va epitaksial o'sish texnologiyasi-Ⅱ
admin tomonidan 24-05-30
3. Epitaksial yupqa plyonka o'sishi Substrat Ga2O3 quvvat qurilmalari uchun jismoniy qo'llab-quvvatlash qatlami yoki Supero'tkazuvchilar qatlamni ta'minlaydi. Keyingi muhim qatlam - kuchlanish qarshiligi va tashuvchini tashish uchun ishlatiladigan kanal qatlami yoki epitaksial qatlam. Buzilish kuchlanishini oshirish va o'tkazuvchanlikni kamaytirish uchun ...
Ko'proq o'qish
Galiy oksidi yagona kristalli va epitaksial o'sish texnologiyasi
admin tomonidan 24-05-30
Silikon karbid (SiC) va galliy nitridi (GaN) bilan ifodalangan keng tarmoqli (WBG) yarimo'tkazgichlar keng e'tiborga sazovor bo'ldi. Odamlar kremniy karbidni elektr transport vositalari va elektr tarmoqlarida qo'llash istiqbollariga, shuningdek, galyumni qo'llash istiqbollariga katta umid qilmoqdalar ...
Ko'proq o'qish