Наша компанія надає послуги з обробки покриття SiC методом CVD на поверхні графіту, кераміки та інших матеріалів, завдяки чому спеціальні гази, що містять вуглець і кремній, вступають у реакцію при високій температурі з отриманням високочистих молекул SiC, молекул, нанесених на поверхню покритих матеріалів, формування SIC захисного шару.
Основні особливості:
1. Стійкість до високотемпературного окислення:
Стійкість до окислення все ще дуже висока, коли температура досягає 1600 C.
2. Висока чистота: зроблено шляхом хімічного осадження з парової фази в умовах високотемпературного хлорування.
3. Стійкість до ерозії: висока твердість, компактна поверхня, дрібні частинки.
4. Стійкість до корозії: кислоти, луги, солі та органічні реагенти.
Основні характеристики покриття CVD-SIC:
| Властивості SiC-CVD | ||
| Кристалічна структура | FCC β фаза | |
| Щільність | г/см³ | 3.21 |
| Твердість | Твердість за Віккерсом | 2500 |
| Розмір зерна | мкм | 2~10 |
| Хімічна чистота | % | 99,99995 |
| Теплоємність | Дж·кг-1·К-1 | 640 |
| Температура сублімації | ℃ | 2700 |
| Згинальна сила | МПа (RT 4 точки) | 415 |
| Модуль Юнга | Gpa (вигин 4 точки, 1300 ℃) | 430 |
| Теплове розширення (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Теплопровідність | (Вт/мК) | 300 |
З: Ви торгова компанія чи виробник?
A: Ми більше 10 років працюємо на заводі з сертифікатом ISO9001.
Питання: скільки триває час доставки?
В: Зазвичай це 3-5 днів, якщо товар є в наявності, або 10-15 днів, якщо товару немає в наявності, це залежить від вашої кількості.
Q: Як я можу отримати зразок, щоб перевірити вашу якість?
В: Після підтвердження ціни ви можете вимагати зразки, щоб перевірити якість нашого продукту. Якщо вам просто потрібен чистий зразок, щоб перевірити дизайн і якість, ми надамо вам зразок безкоштовно, якщо ви дозволите собі експрес-доставку.
Q: Які ваші умови оплати?
A: Ми приймаємо оплату Western union, Paypal, Alibaba, T/T, L/C тощо. Для оптового замовлення ми робимо 30% депозит, залишок перед відправленням.
Якщо у вас є інші запитання, будь ласка, зв’яжіться з нами, як зазначено нижче:
