Графітове покриття SiC MOCVD Вафельні носії, Графітові фіксатори для епітаксії SiC,
- SiCGraphite Wafer, Вуглець подає токоприймачі, епітаксійні рецептори, Графіт постачає токоприймачі, Графітові пластини, https://www.vet-china.com/sic-coating-graphite-mocvd-wafer-carriers-2.html#:~:text=SicGraphiteSusceptors-, SicGraphiteTrays,
Покриття CVD-SiC має характеристики однорідної структури, компактного матеріалу, стійкості до високих температур, стійкості до окислення, високої чистоти, стійкості до кислот і лугів та органічних реагентів, зі стабільними фізичними та хімічними властивостями.
Порівняно з графітовими матеріалами високої чистоти, графіт починає окислюватися при 400C, що спричинить втрату порошку через окислення, що призведе до забруднення навколишнього середовища периферійних пристроїв і вакуумних камер і збільшення домішок у середовищі високої чистоти.
Однак покриття SiC може зберігати фізичну та хімічну стабільність при 1600 градусах. Воно широко використовується в сучасній промисловості, особливо в напівпровідниковій промисловості.
Наша компанія надає послуги з обробки покриття SiC методом CVD на поверхні графіту, кераміки та інших матеріалів, завдяки чому спеціальні гази, що містять вуглець і кремній, вступають у реакцію при високій температурі з отриманням високочистих молекул SiC, молекул, нанесених на поверхню покритих матеріалів, формування SIC захисного шару. Утворений SIC міцно зв’язаний з графітовою основою, що надає графітовій основі особливі властивості, таким чином роблячи поверхню графіту компактною, безпористою, високотемпературною, корозійною та стійкою до окислення.
Основні особливості:
1. Стійкість до високотемпературного окислення:
Стійкість до окислення залишається дуже високою, коли температура досягає 1700 C.
2. Висока чистота: зроблено шляхом хімічного осадження з парової фази в умовах високотемпературного хлорування.
3. Стійкість до ерозії: висока твердість, компактна поверхня, дрібні частинки.
4. Стійкість до корозії: кислоти, луги, солі та органічні реагенти.
Основні характеристики CVD-SIC покриттів:
SiC-CVD | ||
Щільність | (г/куб.см)
| 3.21 |
Міцність на вигин | (МПа)
| 470 |
Теплове розширення | (10-6/K) | 4
|
Теплопровідність | (Вт/мК) | 300 |
Можливість постачання:
10000 шт./шт. на місяць
Упаковка та доставка:
Упаковка: стандартна та міцна упаковка
Поліетиленовий мішок + коробка + коробка + піддон
Порт:
Нінбо/Шеньчжень/Шанхай
Час виконання:
Кількість (шт.) | 1 – 1000 | >1000 |
Приблизно Час (дні) | 15 | Підлягає переговорам |