IC монокристалічна кремнієва епітаксія

Короткий опис:


  • Місце походження:Китай
  • Кристалічна структура:фаза FCCβ
  • Щільність:3,21 г/см;
  • твердість:2500 Віккерс;
  • Розмір зерна:2~10 мкм;
  • Хімічна чистота:99,99995%;
  • Теплова потужність:640 Дж·кг-1·К-1;
  • Температура сублімації:2700 ℃;
  • Згинальна сила:415 МПа (RT 4-точковий);
  • Модуль Юнга:430 ГПа (вигин 4 точки, 1300 ℃);
  • Теплове розширення (CTE):4,5 10-6К-1;
  • Теплопровідність:300(W/MK);
  • Деталі продукту

    Теги товарів

    Опис товару

    Наша компанія надає послуги з нанесення покриття SiC методом CVD на поверхню графіту, кераміки та інших матеріалів, завдяки чому спеціальні гази, що містять вуглець і кремній, реагують при високій температурі для отримання високочистих молекул SiC, молекул, що осаджуються на поверхні покритих матеріалів, формування SIC захисного шару.

    Основні особливості:

    1. Стійкість до високотемпературного окислення:

    Стійкість до окислення все ще дуже висока, коли температура досягає 1600 C.

    2. Висока чистота: зроблено шляхом хімічного осадження з парової фази в умовах високотемпературного хлорування.

    3. Стійкість до ерозії: висока твердість, компактна поверхня, дрібні частинки.

    4. Стійкість до корозії: кислоти, луги, солі та органічні реагенти.

    Основні характеристики покриття CVD-SIC

    Властивості SiC-CVD

    Кристалічна структура FCC β фаза
    Щільність г/см³ 3.21
    Твердість Твердість за Віккерсом 2500
    Розмір зерна мкм 2~10
    Хімічна чистота % 99,99995
    Теплоємність Дж·кг-1 ·К-1 640
    Температура сублімації 2700
    Згинальна сила МПа (RT 4 точки) 415
    Модуль Юнга Gpa (вигин 4 точки, 1300 ℃) 430
    Теплове розширення (CTE) 10-6К-1 4.5
    Теплопровідність (Вт/мК) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Попередній:
  • далі:

  • Онлайн-чат WhatsApp!