2022 високоякісний MOCVD Susceptor Купуйте онлайн у Китаї, Sic Graphite epitaxy susceptor,
Графітові опорні підкладки, Графітові приймачі, Графітові фіксатори для епітаксії SiC, Графітові електроприймачі для кремнію, Графітові токоприймачі з покриттям з карбіду кремнію, ГРАФІТОВІ ІНСТРУМЕНТИ ДЛЯ НАПІВПРОВІДНИКІВ Графітові лотки Графітові вафельні токоприймачі ІНСТРУМЕНТИ З ГРАФІТУ ВИСОКОЇ ЧИСТОТИ Оптоелектроніка, супутникові платформи для MOCVD, Сателітні платформи з графітовим покриттям SiC для MOCVD,
Особливі переваги наших графітових токоприймачів із покриттям SiC включають надзвичайно високу чистоту, однорідне покриття та чудовий термін служби. Вони також мають високу хімічну стійкість і термостабільність.
Покриття SiC графітової підкладки для застосування в напівпровідниках створює деталь із надзвичайною чистотою та стійкістю до окисної атмосфери.
CVD SiC або CVI SiC застосовується до графіту простих або складних конструктивних деталей. Покриття можна наносити різної товщини і на дуже великі деталі.
особливості:
· Чудова стійкість до термічного удару
· Відмінна фізична стійкість до ударів
· Відмінна хімічна стійкість
· Надвисока чистота
· Наявність у складній формі
· Можна використовувати в окислювальній атмосфері
Типові властивості базового графітового матеріалу:
Видима щільність: | 1,85 г/см3 |
Електричний опір: | 11 мкОм |
Міцність на вигин: | 49 МПа (500 кгс/см2) |
Твердість по Шору: | 58 |
попіл: | <5 ppm |
Теплопровідність: | 116 Вт/мК (100 ккал/мг-℃) |
Carbon постачає токоприймачі та графітові компоненти для всіх сучасних реакторів епітаксії. У наше портфоліо входять циліндра для прикладних установок і LPE, млинців для LPE, CSD і Gemini, а також однопластинчасті важелі для прикладних установок і ASM. Поєднуючи міцні партнерські відносини з провідними виробниками комплектного обладнання, експертизу матеріалів і виробничі ноу-хау, SGL пропонує оптимальний дизайн для вашої програми.