خەۋەرلەر

كرېمنىي كاربون ئېپىتاكىس قەۋىتىنىڭ كەمچىلىكى نېمە
admin تەرىپىدىن 24-06-05
SiC epitaxial ماتېرىياللىرىنىڭ ئۆسۈشىدىكى يادرولۇق تېخنىكا ئالدى بىلەن نۇقساننى كونترول قىلىش تېخنىكىسى ، بولۇپمۇ ئۈسكۈنىلەرنىڭ كاشىلا ياكى ئىشەنچلىك دەرىجىسىنىڭ تۆۋەنلىشىگە ئاسان ئۇچرايدىغان كەمتۈك كونترول تېخنىكىسى. ئېپىغا كېڭىيىدىغان تارماق كەمتۈكلۈك مېخانىزىمىنى تەتقىق قىلىش ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
ئوكسىدلانغان تۇراقلىق دان ۋە تۇتقاقلىق ئۆسۈش تېخنىكىسى-Ⅱ
admin تەرىپىدىن 24-05-30
Epitaxial نېپىز پەردىنىڭ ئۆسۈشى تارماق بالا Ga2O3 ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرىنى فىزىكىلىق قوللاش قەۋىتى ياكى ئۆتكۈزگۈچ قەۋىتى بىلەن تەمىنلەيدۇ. كېيىنكى مۇھىم قەۋەت توك بېسىمىغا قارشى تۇرۇش ۋە توشۇغۇچى توشۇشتا ئىشلىتىلىدىغان قانال قەۋىتى ياكى ئېپتاكسىمان قەۋەت. پارچىلىنىش بېسىمىنى ئاشۇرۇش ۋە كوننى ئەڭ تۆۋەن چەككە چۈشۈرۈش ئۈچۈن ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
گاللىي ئوكسىد يەككە خرۇستال ۋە تۇتقاقلىق ئۆسۈش تېخنىكىسى
admin تەرىپىدىن 24-05-30
كرېمنىي كاربون (SiC) ۋە گاللىي نىترىد (GaN) ۋەكىللىكىدىكى كەڭ بەلۋاغ (WBG) يېرىم ئۆتكۈزگۈچ كىشىلەرنىڭ دىققىتىنى قوزغىدى. كىشىلەر ئېلېكترونلۇق ماشىنا ۋە ئېلېكتر تورىدا كرېمنىي كاربدنىڭ قوللىنىش ئىستىقبالى ، شۇنداقلا گاللىينىڭ قوللىنىش ئىستىقبالىدىن زور ئۈمىدلەرنى كۈتىدۇ.
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
كرېمنىي كاربونغا قانداق تېخنىكىلىق توساقلار بار؟ Ⅱ
admin تەرىپىدىن 24-05-22
مۇقىم ئىشلەپچىقىرىش ئىقتىدارىغا ئىگە يۇقىرى سۈپەتلىك كرېمنىي كاربون ۋافېرلىرىنىڭ تېخنىكىلىق قىيىنچىلىقلىرى تۆۋەندىكىلەرنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ: 1) كىرىستال 2000 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق پېچەتلەنگەن مۇھىتتا ئۆسۈشكە ئېھتىياجلىق بولغاچقا ، تېمپېراتۇرىنى كونترول قىلىش تەلىپى ئىنتايىن يۇقىرى. 2) كرېمنىي كاربون بولغانلىقى ئۈچۈن ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
كرېمنىي كاربونغا قانداق تېخنىكىلىق توساقلار بار؟
admin تەرىپىدىن 24-05-22
تۇنجى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى ئەنئەنىۋى كرېمنىي (Si) ۋە گېرمان (Ge) بىلەن ئىپادىلىنىدۇ ، بۇلار توك يولى بىر گەۋدىلەشتۈرۈشنىڭ ئاساسى. ئۇلار تۆۋەن بېسىملىق ، تۆۋەن چاستوتىلىق ۋە تۆۋەن قۇۋۋەتلىك تىرانسفورموتور ۋە تەكشۈرگۈچتە كەڭ قوللىنىلىدۇ. يېرىم ئۆتكۈزگۈچنىڭ% 90 تىن كۆپرەكى ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
SiC مىكرو پاراشوكى قانداق ياسالغان؟
admin تەرىپىدىن 24-05-13
SiC يەككە كرىستال بولسا IV ۋە IV گۇرۇپپىدىكى بىرىكمە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال بولۇپ ، Si ۋە C دىن ئىبارەت ئىككى ئېلېمېنتتىن تەركىب تاپقان بولۇپ ، ستوئىئومىتىرىك نىسبىتى 1: 1. ئۇنىڭ قاتتىقلىقى ئالماستىن قالسىلا ئىككىنچى ئورۇندا تۇرىدۇ. SiC نى تەييارلاش ئۈچۈن كرېمنىي ئوكسىد ئۇسۇلىنىڭ كاربوننى ئازايتىش ئاساسلىقى تۆۋەندىكى خىمىيىلىك رېئاكسىيە فورمۇلاسىنى ئاساس قىلىدۇ ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
Epitaxial قەۋىتى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەرگە قانداق ياردەم بېرىدۇ؟
admin تەرىپىدىن 24-05-13
Epitaxial wafer دېگەن ئىسىمنىڭ كېلىپ چىقىشى ئالدى بىلەن ، بىر كىچىك ئۇقۇمنى ئومۇملاشتۇرايلى: ۋافېر تەييارلاش تارماق بالا تەييارلاش ۋە تۇتقاقلىق جەريانىدىن ئىبارەت ئىككى چوڭ ئۇلىنىشنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. تارماق بالا يېرىم ئۆتكۈزگۈچ يەككە خرۇستال ماتېرىيالدىن ياسالغان ۋافېر. تارماق بالا بىۋاسىتە ۋافېر زاۋۇتىغا كىرەلەيدۇ ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
خىمىيىلىك ھور چۆكۈش (CVD) نېپىز پەردە چۆكۈش تېخنىكىسىنى تونۇشتۇرۇش
admin تەرىپىدىن 24-05-06
خىمىيىلىك ھور چۆكۈش (CVD) مۇھىم نېپىز پەردە چۆكۈش تېخنىكىسى بولۇپ ، دائىم ھەر خىل ئىقتىدارلىق فىلىملەر ۋە نېپىز قەۋەتلىك ماتېرىياللارنى تەييارلاشقا ئىشلىتىلىدۇ ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ياساش ۋە باشقا ساھەلەردە كەڭ قوللىنىلىدۇ. 1. CVD نىڭ خىزمەت پىرىنسىپى CVD جەريانىدا ، گاز پۈركۈگۈچ (بىر ياكى ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
يورۇقلۇق ۋولت يېرىم ئۆتكۈزگۈچ كەسپىنىڭ ئارقىسىدىكى «قارا ئالتۇن» سىرى: ئىزوتاتىك گرافتقا بولغان ئارزۇ ۋە بېقىنىش
admin تەرىپىدىن 24-05-06
Isostatic گرافىك يورۇقلۇق ۋولت ۋە يېرىم ئۆتكۈزگۈچتىكى ئىنتايىن مۇھىم ماتېرىيال. دۆلەت ئىچىدىكى ئىزوتاتىك گرافت شىركەتلىرىنىڭ تېز سۈرئەتتە ئېشىشىغا ئەگىشىپ ، جۇڭگودىكى چەتئەل شىركەتلىرىنىڭ مونوپوللۇقى بۇزۇلدى. ئۈزلۈكسىز مۇستەقىل تەتقىقات ۋە تەرەققىيات ۋە تېخنىكىلىق بۆسۈشلەر بىلەن ، ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ