ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ GaN ۋە مۇناسىۋەتلىك تۇتقاقلىق تېخنىكىسىنى تونۇشتۇرۇش

1. ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ

بىرىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ تېخنىكىسى Si ۋە Ge قاتارلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللارنى ئاساس قىلىپ ياسالغان. ئۇ ترانسېنىتسور ۋە توپلاشتۇرۇلغان توك يولى تېخنىكىسىنى تەرەققىي قىلدۇرۇشنىڭ ماددىي ئاساسى. بىرىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى 20-ئەسىردە ئېلېكترون سانائىتىگە ئاساس سالغان بولۇپ ، توپلاشتۇرۇلغان توك يولى تېخنىكىسىنىڭ ئاساسى ماتېرىيالى.

ئىككىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى ئاساسلىقى گاللىي ئارسېند ، ئىندىي فوسفات ، گال فوسفات ، ئىندىي ئارسېند ، ئاليۇمىن ئارسېند ۋە ئۇلارنىڭ ئۈچىنچىسى بىرىكمىلىرىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. ئىككىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى ئوپتىكىلىق ئېلېكترونلۇق ئۇچۇر كەسپىنىڭ ئاساسى. مۇشۇ ئاساستا يورۇتۇش ، كۆرسىتىش ، لازېر نۇر ۋە يورۇقلۇق ۋولت قاتارلىق مۇناسىۋەتلىك كەسىپلەر تەرەققىي قىلدى. ئۇلار زامانىۋى ئۇچۇر تېخنىكىسى ۋە ئوپتىكىلىق ئېلېكترونلۇق كۆرسىتىش كەسپىدە كەڭ قوللىنىلىدۇ.

ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرىنىڭ ۋەكىللىك ماتېرىياللىرى گاللىي نىترىد ۋە كرېمنىي كاربوننى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. كەڭ بەلۋاغ پەرقى ، ئېلېكتروننىڭ تويۇنۇش سۈرئىتىنىڭ تېزلىكى ، يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ۋە پارچىلىنىش مەيدانىنىڭ كۈچلۈكلىكى سەۋەبىدىن ، ئۇلار يۇقىرى قۇۋۋەت زىچلىقى ، يۇقىرى چاستوتىلىق ۋە تۆۋەن زىيانلىق ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرنى تەييارلاشتىكى كۆڭۈلدىكىدەك ماتېرىيال ھېسابلىنىدۇ. بۇنىڭ ئىچىدە ، كرېمنىيلىق كاربون ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ئېنېرگىيە زىچلىقى يۇقىرى ، ئېنېرگىيە سەرپىياتى تۆۋەن ۋە ھەجىمى كىچىك بولۇشتەك ئەۋزەللىكى بار ، يېڭى ئېنېرگىيە ماشىنىسى ، يورۇقلۇق ۋولت ، تۆمۈر يول تىرانسپورتى ، چوڭ سانلىق مەلۇمات ۋە باشقا ساھەلەردە قوللىنىش ئىستىقبالى كەڭ. گاللىي نىترىد RF ئۈسكۈنىلىرىنىڭ يۇقىرى چاستوتىلىق ، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ، كەڭ بەلۋاغ كەڭلىكى ، تۆۋەن توك سەرپىياتى ۋە كىچىكلىكى قاتارلىق ئەۋزەللىكلىرى بار ، 5G خەۋەرلىشىش ، نەرسە تورى ، ھەربىي رادار ۋە باشقا ساھەلەردە قوللىنىش ئىستىقبالى كەڭ. ئۇنىڭدىن باشقا ، تۆۋەن بېسىملىق ساھەدە گاللىي نىترىدنى ئاساس قىلغان ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى كەڭ كۆلەمدە ئىشلىتىلگەن. بۇنىڭدىن باشقا ، يېقىنقى يىللاردىن بۇيان ، يېڭىدىن گۈللىنىۋاتقان گال ئوكسىد ماتېرىيالى ھازىرقى SiC ۋە GaN تېخنىكىسى بىلەن تېخنىكىلىق تولۇقلاشنى شەكىللەندۈرۈپ ، تۆۋەن چاستوتىلىق ۋە يۇقىرى بېسىملىق ساھەدە قوللىنىش ئېھتىماللىقى بار.

ئىككىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرىغا سېلىشتۇرغاندا ، ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللارنىڭ كەڭ بەلۋاغ كەڭلىكى بار (بىرىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيالنىڭ تىپىك ماتېرىيالى Si نىڭ كەڭ بەلۋاغ كەڭلىكى تەخمىنەن 1.1eV ، GaAs نىڭ كەڭ بەلۋاغ كەڭلىكى ، تىپىك) ئىككىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيالنىڭ ماتېرىيالى تەخمىنەن 1.42eV ئەتراپىدا ، ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيالنىڭ تىپىك ماتېرىيالى بولغان GaN نىڭ بەلۋاغ كەڭلىكى يۇقىرىدا. 2.3eV) ، كۈچلۈك رادىئاتسىيەگە قارشى تۇرۇش كۈچى ، ئېلېكتر مەيدانىنىڭ بۇزۇلۇشىغا قارشى تۇرۇش كۈچى ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا چىداملىق. كەڭ بەلۋاغ كەڭلىكى بىلەن ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللار رادىئاتسىيەگە چىداملىق ، يۇقىرى چاستوتىلىق ، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ۋە يۇقىرى بىرىكتۈرۈلگەن زىچلىقتىكى ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرنى ئىشلەپچىقىرىشقا ئالاھىدە ماس كېلىدۇ. ئۇلارنىڭ مىكرو دولقۇنلۇق رادىئو چاستوتا ئۈسكۈنىسى ، LED ، لازېر ، ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ۋە باشقا ساھەلەردىكى قوللىنىلىشى كىشىلەرنىڭ دىققىتىنى قوزغىدى ، ئۇلار كۆچمە خەۋەرلىشىش ، ئەقلىي ئىقتىدارلىق تور ، تۆمۈر يول تىرانسپورتى ، يېڭى ئېنېرگىيە ماشىنىسى ، ئىستېمال ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ، ئۇلترا بىنەپشە ۋە كۆك قاتارلىقلاردا كەڭ تەرەققىيات ئىستىقبالىنى نامايان قىلدى. - يېشىل نۇر ئۈسكۈنىلىرى [1].