خەۋەرلەر

كرېمنىي كاربونغا قانداق تېخنىكىلىق توساقلار بار؟ Ⅱ
admin تەرىپىدىن 24-05-22
مۇقىم ئىشلەپچىقىرىش ئىقتىدارىغا ئىگە يۇقىرى سۈپەتلىك كرېمنىي كاربون ۋافېرلىرىنىڭ تېخنىكىلىق قىيىنچىلىقلىرى تۆۋەندىكىلەرنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ: 1) كىرىستال 2000 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق پېچەتلەنگەن مۇھىتتا ئۆسۈشكە ئېھتىياجلىق بولغاچقا ، تېمپېراتۇرىنى كونترول قىلىش تەلىپى ئىنتايىن يۇقىرى. 2) كرېمنىي كاربون تېخىمۇ كۆپ بولغاچقا ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
كرېمنىي كاربونغا قانداق تېخنىكىلىق توساقلار بار؟
admin تەرىپىدىن 24-05-22
تۇنجى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى ئەنئەنىۋى كرېمنىي (Si) ۋە گېرمان (Ge) بىلەن ئىپادىلىنىدۇ ، بۇلار توك يولى بىر گەۋدىلەشتۈرۈشنىڭ ئاساسى. ئۇلار تۆۋەن بېسىملىق ، تۆۋەن چاستوتىلىق ۋە تۆۋەن قۇۋۋەتلىك تىرانسفورموتور ۋە تەكشۈرگۈچتە كەڭ قوللىنىلىدۇ. يېرىم ئۆتكۈزگۈچنىڭ% 90 تىن كۆپرەكى ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
SiC مىكرو پاراشوكى قانداق ياسالغان؟
admin تەرىپىدىن 24-05-13
SiC يەككە كرىستال بولسا IV ۋە IV گۇرۇپپىدىكى بىرىكمە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال بولۇپ ، Si ۋە C دىن ئىبارەت ئىككى ئېلېمېنتتىن تەركىب تاپقان بولۇپ ، ستوئىئومىتىرىك نىسبىتى 1: 1. ئۇنىڭ قاتتىقلىقى ئالماستىن قالسىلا ئىككىنچى ئورۇندا تۇرىدۇ. SiC نى تەييارلاش ئۈچۈن كرېمنىي ئوكسىد ئۇسۇلىنىڭ كاربوننى ئازايتىش ئاساسلىقى تۆۋەندىكى خىمىيىلىك رېئاكسىيە فورمۇلاسىنى ئاساس قىلىدۇ ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
Epitaxial قەۋىتى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەرگە قانداق ياردەم بېرىدۇ؟
admin تەرىپىدىن 24-05-13
Epitaxial wafer دېگەن ئىسىمنىڭ كېلىپ چىقىشى ئالدى بىلەن ، بىر كىچىك ئۇقۇمنى ئومۇملاشتۇرايلى: ۋافېر تەييارلاش تارماق بالا تەييارلاش ۋە تۇتقاقلىق جەريانىدىن ئىبارەت ئىككى چوڭ ئۇلىنىشنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. تارماق بالا يېرىم ئۆتكۈزگۈچ يەككە خرۇستال ماتېرىيالدىن ياسالغان ۋافېر. تارماق بالا بىۋاسىتە ۋافېر ياساشقا كىرەلەيدۇ ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
خىمىيىلىك ھور چۆكۈش (CVD) نېپىز پەردە چۆكۈش تېخنىكىسىنى تونۇشتۇرۇش
admin تەرىپىدىن 24-05-06
خىمىيىلىك ھور چۆكۈش (CVD) مۇھىم نېپىز پەردە چۆكۈش تېخنىكىسى بولۇپ ، دائىم ھەر خىل ئىقتىدارلىق فىلىملەر ۋە نېپىز قەۋەتلىك ماتېرىياللارنى تەييارلاشقا ئىشلىتىلىدۇ ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ياساش ۋە باشقا ساھەلەردە كەڭ قوللىنىلىدۇ. 1. CVD نىڭ خىزمەت پىرىنسىپى CVD جەريانىدا ، گاز پۈركۈگۈچ (بىر ياكى مو ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
يورۇقلۇق ۋولت يېرىم ئۆتكۈزگۈچ كەسپىنىڭ ئارقىسىدىكى «قارا ئالتۇن» سىرى: ئىزوتاتىك گرافتقا بولغان ئارزۇ ۋە بېقىنىش
admin تەرىپىدىن 24-05-06
Isostatic گرافىك يورۇقلۇق ۋولت ۋە يېرىم ئۆتكۈزگۈچتىكى ئىنتايىن مۇھىم ماتېرىيال. دۆلەت ئىچىدىكى ئىزوتاتىك گرافت شىركەتلىرىنىڭ تېز سۈرئەتتە ئېشىشىغا ئەگىشىپ ، جۇڭگودىكى چەتئەل شىركەتلىرىنىڭ مونوپوللۇقى بۇزۇلدى. ئۈزلۈكسىز مۇستەقىل تەتقىقات ۋە تەرەققىيات ۋە تېخنىكىلىق بۆسۈشلەر بىلەن ، ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ساپال بۇيۇملار ياساشتا گرافت كېمىلىرىنىڭ ماھىيەتلىك ئالاھىدىلىكلىرىنى ئاشكارىلاش
admin تەرىپىدىن 24-04-22
گرافت كېمىلىرى يەنە گرافت كېمىلىرى دەپمۇ ئاتىلىدۇ ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ساپال بۇيۇملار ياساشنىڭ مۇرەككەپ جەريانلىرىدا ھەل قىلغۇچ رول ئوينايدۇ. بۇ ئالاھىدە پاراخوتلار يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق داۋالاش جەريانىدا يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ۋافېر ئۈچۈن ئىشەنچلىك توشۇغۇچى بولۇپ ، ئېنىق ۋە كونترول قىلىنىدىغان بىر تەرەپ قىلىشقا كاپالەتلىك قىلىدۇ. بىلەن ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
ئوچاق تۇرۇبا ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ئىچكى قۇرۇلمىسى تەپسىلىي چۈشەندۈرۈلگەن
admin تەرىپىدىن 24-04-22
يۇقىرىدا كۆرسىتىلگەندەك ، تىپىك ئالدىنقى يېرىم: ئىسسىقلىق ئېلېمېنتى (ئىسسىنىش كاتەكچىسى): ئوچاق تۇرۇبىسىنىڭ ئەتراپىغا جايلاشقان ، ئادەتتە قارشىلىق سىمىدىن ياسالغان ، ئوچاق تۇرۇبىسىنىڭ ئىچىنى قىزىتىشقا ئىشلىتىلىدۇ. كۋارتس تۇرۇبىسى: يۇقىرى ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرالايدىغان يۇقىرى ساپلىق كۋارتتىن ياسالغان ئىسسىق ئوكسىدلىنىش ئوچىقىنىڭ يادروسى ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ
SiC تارماق ئېلېمېنتى ۋە تۇتقاقلىق ماتېرىياللارنىڭ MOSFET ئۈسكۈنىسىنىڭ ئالاھىدىلىكىگە بولغان تەسىرى
admin تەرىپىدىن 24-04-16
ئۈچبۇلۇڭلۇق كەمتۈكلۈك ئۈچ بۇلۇڭلۇق كەمتۈكلۈك SiC ئېپىتاك قەۋىتىدىكى ئەڭ ئەجەللىك مورفولوگىيەلىك كەمتۈكلۈك. نۇرغۇنلىغان ئەدەبىيات دوكلاتلىرىدا ئۈچبۇلۇڭلۇق كەمتۈكلۈكنىڭ شەكىللىنىشىنىڭ 3C كىرىستال شەكلى بىلەن مۇناسىۋەتلىك ئىكەنلىكى كۆرسىتىلدى. قانداقلا بولمىسۇن ، ئوخشىمىغان ئۆسۈش مېخانىزىمى سەۋەبىدىن ، نۇرغۇن tr نىڭ مورفولوگىيىسى ...
تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ