Кремний нигезендә GaN эпитаксы

Продукция тасвирламасы

Безнең компания графит, керамика һәм башка материаллар өстендә CVD ысулы белән SiC каплау процессы хезмәтләрен күрсәтә, шулай итеп углерод һәм кремний булган махсус газлар югары температурада реакция ясыйлар, югары чисталык SiC молекулалары, капланган материаллар өслегендә урнашкан молекулалар, СИС саклагыч катламын формалаштыру.

Төп үзенчәлекләр:

1. temperatureгары температураның оксидлашу каршылыгы:

температура 1600 С булганда, оксидлашуга каршы тору бик яхшы.

2. Purгары чисталык: югары температурада хлорлаштыру шартларында химик пар парламенты белән ясалган.

3. Эрозиягә каршы тору: югары каты, компакт өслек, нечкә кисәкчәләр.

4. Коррозиягә каршы тору: кислота, алкалы, тоз һәм органик реагентлар.

CVD-SIC каплауның төп үзенчәлекләре