Ван вафер дәрәҗәсендәге упаковка (FOWLP) - ярымүткәргеч тармагында чыгымлы ысул. Ләкин бу процессның типик ягы - чип һәм офсет. Вафин дәрәҗәсен һәм панель дәрәҗәсендәге җанатарларны өзлексез камилләштерүгә карамастан, формалаштыру белән бәйле бу сораулар әле дә бар.
Суыру сыеклык кысу формалаштыру кушылмасының (LCM) химик кысылуы аркасында барлыкка килә, формалашканнан соң дәвалау һәм суыту вакытында. Сугышның икенче сәбәбе - кремний чип, формалаштыру материалы һәм субстрат арасында җылылык киңәю коэффициентының туры килмәве. Офсет югары тутыргыч эчтәлекле ябыштыргыч формалаштыру материалларын гадәттә югары температурада һәм югары басым астында кулланырга мөмкин. Чип вакытлыча бәйләү аша йөртүчегә тоташтырылганлыктан, температураның күтәрелүе ябыштыргычны йомшартачак, шуның белән аның ябышу көчен зәгыйфьләндерә һәм чипны төзәтү сәләтен киметә. Офсетның икенче сәбәбе - формалаштыру өчен кирәк булган басым һәр чипта стресс тудыра.
Бу проблемаларны чишү юлларын табу өчен, DELO гади аналог чипны операторга бәйләп техник-икътисади-техник тикшеренүләр үткәрде. Урнаштыру ягыннан, ташучы вафин вакытлыча бәйләүче ябыштыргыч белән капланган, һәм чип йөзгә аска куелган. Соңыннан, вафин түбән ябышлыклы DELO ябыштыргыч ярдәмендә формалаштырылды һәм ташучы вафинны чыгарганчы ультрафиолет нурлары белән дәваланды. Мондый кушымталарда гадәттә югары ябышлыклы термосеттинг формалаштыру композитлары кулланыла.
DELO шулай ук экспериментта термосеттинг формалаштыру материаллары һәм UV дәваланган продуктларның битен чагыштырды, һәм нәтиҗәләр шуны күрсәтте: термосеттингтан соң суыту чорында типик формалаштыру материаллары таралыр. Шуңа күрә, бүлмә температурасын ультрафиолет белән дәвалау җылыту урынына җылыту киңәю коэффициентының туры килмәү тәэсирен сизелерлек киметергә мөмкин, шуның белән мөмкин кадәр зуррак дәрәҗәдә минимумны киметергә мөмкин.
Ультрафиолетны дәвалау материалларын куллану шулай ук тутыргычларны куллануны киметергә мөмкин, шуның белән ябышлыкны һәм Яшь модулусын киметергә мөмкин. Тестта кулланылган модель ябыштыргычның ябышлыгы 35000 мПа, ә Яшь модуласы 1 GPa. Heatingылыту яки формалаштыру материалына югары басым булмаганлыктан, чип офсеты мөмкин кадәр киметергә мөмкин. Типик формалаштыру кушылмасының якынча 800000 mPa · s һәм ике цифр диапазонында Яшь модуласы бар.
Гомумән алганда, тикшеренүләр күрсәткәнчә, зур мәйданны формалаштыру өчен UV белән дәваланган материалларны куллану, чип лидеры фанаты вафер дәрәҗәсендәге пакетлар чыгару өчен файдалы, шул ук вакытта веб-битне һәм чип офсетын минимумга кадәр киметү. Кулланылган материаллар арасында җылылык киңәйтү коэффициентларының зур аермаларына карамастан, температураның үзгәрмәве аркасында бу процесс әле берничә тапкыр кулланыла. Моннан тыш, УВ дәвалау дәвалау вакытын һәм энергия куллануны киметергә мөмкин.
Термаль дәвалау урынына УВ сугыш битен киметә һәм ван-вафат дәрәҗәсендәге пакетларда сменаны үлә
Термаль дәваланган, югары тутыргыч кушылма (А) һәм УВ белән дәваланган кушылма (12) кулланып 12 дюймлы капланган ваферларны чагыштыру.
Пост вакыты: Ноябрь-05-2024