Ярымүткәргеч материалның яңа төре буларак, SiC кыска дулкынлы оптоэлектрон җайланмалар, югары температура җайланмалары, нурланышка каршы җайланмалар һәм югары физик / химик үзенчәлекләре аркасында югары көчле / югары көчле электрон җайланмалар җитештерү өчен иң мөһим ярымүткәргеч материалга әйләнде. электр үзлекләре. Бигрәк тә экстремаль һәм кырыс шартларда кулланылганда, SiC җайланмаларының характеристикалары Si җайланмалары һәм GaAs җайланмаларыннан күпкә артыграк. Шуңа күрә, SiC җайланмалары һәм төрле сенсорлар акрынлап төп җайланмаларның берсенә әверелделәр, мөһимрәк роль уйныйлар.
SiC җайланмалары һәм схемалары 1980-нче еллардан, аеруча 1989-нчы елдан беренче SiC субстрат ваферы базарга чыкканнан бирле тиз үсә. Кайбер өлкәләрдә, мәсәлән, яктылык җибәрүче диодлар, югары ешлыктагы югары көчле һәм югары көчәнешле җайланмалар, SiC җайланмалары коммерциядә киң кулланылган. Developmentсеш тиз. 10 елга якын үсештән соң, SiC җайланмасы процессы коммерция җайланмалары җитештерә алды. Кри тәкъдим иткән берничә компания SiC җайланмаларының коммерция продуктларын тәкъдим итә башлады. Эчке тикшеренү институтлары һәм вузлары шулай ук SiC материаль үсешендә һәм җайланмалар җитештерү технологиясендә куанычлы казанышлар ясадылар. SiC материалы бик өстен физик һәм химик үзлекләргә ия булса да, SiC җайланмасы технологиясе дә җитлеккән, ләкин SiC җайланмалары һәм схемалары эшләве өстен түгел. SiC материалына өстәп, җайланма процессын даими камилләштерергә кирәк. S5C җайланмасы структурасын оптимальләштереп яки яңа җайланма структурасын тәкъдим итеп, SiC материалларыннан ничек файдаланырга икәнлеге турында күбрәк көч куярга кирәк.
Хәзерге вакытта. SiC җайланмаларын тикшерү нигездә дискрет җайланмаларга юнәлтелгән. Deviceайланма структурасының һәр төре өчен, башлангыч тикшеренүләр - җайланма структурасын оптимальләштермичә, тиешле Si яки GaAs җайланмасы структурасын SiC-ка күчерү. SiC-ның эчке оксид катламы Si белән бер булганлыктан, SiO2 булганлыктан, күпчелек Si җайланмалары, аеруча m-pa җайланмалары, SiC-та җитештерелергә мөмкин. Бу гади трансплантация булса да, алынган кайбер җайланмалар канәгатьләнерлек нәтиҗәләргә ирештеләр, һәм кайбер җайланмалар завод базарына керделәр.
SiC оптоэлектрон җайланмалары, аеруча зәңгәр яктылык җибәрүче диодлар (BLU-нурлар) 1990-нчы еллар башында базарга керделәр һәм беренче массалы җитештерелгән SiC җайланмалары. Volгары көчәнешле SiC Шоттки диодлары, SiC RF электр транзисторлары, SiC MOSFETлар һәм mesFETлар шулай ук коммерцияле. Әлбәттә, бу SiC продуктларының барысы да SiC материалларының супер характеристикаларын уйнаудан ерак, һәм SiC җайланмаларының көчлерәк функциясе һәм эшләнеше әле дә тикшерелергә һәм эшләнергә тиеш. Мондый гади трансплантацияләр еш SiC материалларының өстенлекләрен тулысынча куллана алмыйлар. SiC җайланмаларының кайбер өстенлекләре өлкәсендә дә. Башта җитештерелгән кайбер SiC җайланмалары тиешле Si яки CaAs җайланмаларының эшенә туры килә алмый.
SiC материаль характеристикаларының өстенлекләрен SiC җайланмаларының өстенлекләренә яхшырак үзгәртү өчен, без хәзерге вакытта җайланма җитештерү процессын һәм җайланма структурасын оптимальләштерү яки SiC җайланмаларының функциясен һәм эшләвен яхшырту өчен яңа структуралар һәм яңа процесслар эшләүне өйрәнәбез.
Пост вакыты: 23-2022 август