1. Өченче буын ярымүткәргечләр
Беренче буын ярымүткәргеч технологиясе Si һәм Ge кебек ярымүткәргеч материалларга нигезләнеп эшләнде. Бу транзисторлар һәм интеграль челтәр технологияләрен үстерү өчен матди нигез. Беренче буын ярымүткәргеч материаллары XX гасырда электрон индустриягә нигез салган һәм интеграль челтәр технологиясе өчен төп материал булып тора.
Икенче буын ярымүткәргеч материалларга, нигездә, галлий арсенид, индий фосфид, галлий фосфид, индий арсенид, алюминий арсенид һәм аларның өченче кушылмалары керә. Икенче буын ярымүткәргеч материаллар оптоэлектрон мәгълүмат индустриясенең нигезе булып тора. Бу нигездә яктырту, дисплей, лазер, фотоволтаика кебек тармаклар эшләнде. Алар хәзерге информацион технологияләрдә һәм оптоэлектрон дисплей тармакларында киң кулланыла.
Өченче буын ярымүткәргеч материалларның вәкиллекле материалларына галлий нитрид һәм кремний карбид керә. Аларның киң диапазоны аермасы, югары электрон туендыру тизлеге, югары җылылык үткәрүчәнлеге, һәм өзелү кыры көче аркасында, алар югары көчле тыгызлык, югары ешлыклы һәм аз югалтулы электрон җайланмалар әзерләү өчен идеаль материаллар. Алар арасында кремний карбид энергия җайланмалары югары энергия тыгызлыгы, аз энергия куллану һәм кечкенә күләм өстенлекләренә ия, һәм яңа энергия машиналарында, фотоволтаика, тимер юл транспорты, зур мәгълүматлар һәм башка өлкәләрдә киң куллану перспективалары бар. Галлиум нитрид RF җайланмалары югары ешлык, югары көч, киң полоса киңлеге, аз энергия куллану һәм кечкенә күләм өстенлекләренә ия, һәм 5G элемтә, әйберләр интернеты, хәрби радар һәм башка өлкәләрдә киң куллану перспективаларына ия. Моннан тыш, аз көчәнешле кырда галий нитридлы электр җайланмалары киң кулланылган. Моннан тыш, соңгы елларда барлыкка килгән галлий оксиды материаллары SiC һәм GaN технологияләре белән техник тулыландыру формалаштырырлар, һәм аз ешлыклы һәм югары көчәнешле өлкәләрдә куллану перспективалары булыр дип көтелә.
Икенче буын ярымүткәргеч материаллары белән чагыштырганда, өченче буын ярымүткәргеч материалларның киңрәк киңлеге киңлеге бар (Si-ның киңлек киңлеге, беренче буын ярымүткәргеч материалның типик материалы, 1,1eV тирәсе, GaAs-ның киңлеге киңлеге, типик) икенче буын ярымүткәргеч материалның материалы якынча 1,42eV, һәм өченче буын ярымүткәргеч материалның типик материалы GaNның полоса киңлеге өстендә. 2.3eV), көчлерәк нурланышка каршы тору, электр кырының өзелүенә көчлерәк каршылык, һәм температураның югары чыдамлыгы. Өченче буын ярымүткәргеч материаллары киңрәк киңлек киңлеге белән радиациягә чыдам, югары ешлыклы, югары көчле һәм югары интеграция тыгызлыктагы электрон җайланмалар җитештерү өчен аеруча яраклы. Аларның микродулкынлы радио ешлык җайланмаларында, светофорларда, лазерларда, электр приборларында һәм башка өлкәләрдә кулланулары зур игътибарны җәлеп итте, һәм алар мобиль элемтә, акыллы челтәрләр, тимер юл транзиты, яңа энергия машиналары, кулланучылар электроникасы, ультрафиолет һәм зәңгәр өлкәләрдә киң үсеш перспективаларын күрсәттеләр. - яшел яктылык җайланмалары [1].
Рәсем чыганагы: CASA, Жешанг кыйммәтле кәгазьләрне тикшерү институты
Рәсем 1 GaN электр җайланмасының вакыт масштабы һәм фаразлау
II GaN материаль төзелеше һәм характеристикалары
GaN - туры тасма ярымүткәргеч. Бүлмә температурасында вюрцит структурасының киңлеге 3,26eV тирәсе. GaN материалларының өч төп кристалл структурасы бар, алар вурцит структурасы, сфалерит структурасы һәм кыя тоз структурасы. Алар арасында вюрцит структурасы - иң тотрыклы кристалл структурасы. 2 нче рәсем - GaNның алты почмаклы вурцит структурасы схемасы. GaN материалының вюрцит структурасы алты почмаклы тыгыз структурага карый. Eachәрбер берәмлек күзәнәгендә 12 атом бар, шул исәптән 6 N атомы һәм 6 Га атомы. Eachәрбер Ga (N) атомы 4 иң якын N (Ga) атомы белән бәйләнеш формалаштыра һәм ABABAB тәртибендә тезелгән ... [0001] юнәлеше буенча [2].
Рәсем 2 Вюрцит структурасы GaN кристалл күзәнәк схемасы
III GaN эпитаксы өчен еш кулланыла торган субстратлар
GaN субстратларында бер тигез эпитакси GaN эпитаксы өчен иң яхшы сайлау кебек. Ләкин, GaN-ның зур бәйләнеш энергиясе аркасында, температура 2500 of эрү ноктасына җиткәч, аның бозылу басымы якынча 4,5GPa. Бозылу басымы бу басымнан түбән булганда, GaN эрми, турыдан-туры таркала. Бу Czochralski ысулы кебек җитлеккән субстрат әзерләү технологияләрен GaN бер кристалл субстратларын әзерләү өчен яраксыз итә, GaN субстратларын массалы җитештерүне һәм кыйммәткә китерә. Шуңа күрә, GaN эпитаксиаль үсешендә еш кулланыла торган субстратлар, нигездә, Si, SiC, сапфир һ.б. [3].
3 GaN диаграмма һәм еш кулланыла торган субстрат материалларның параметрлары
Сапфирда GaN эпитаксы
Сапфир тотрыклы химик үзлекләргә ия, арзан, һәм эре җитештерү сәнәгатенең югары өлгерүенә ия. Шуңа күрә ул ярымүткәргеч җайланма инженериясендә иң борыңгы һәм киң кулланылган субстрат материалларның берсенә әверелде. GaN эпитаксы өчен еш кулланыла торган субстратларның берсе буларак, сапфир субстратлары өчен чишелергә тиешле төп проблемалар:
Sa Сапфир (Al2O3) һәм GaN (якынча 15%) арасында зур такталар туры килмәү сәбәпле, эпитаксиаль катлам белән субстрат арасындагы интерфейстагы җитешсезлек тыгызлыгы бик югары. Аның тискәре йогынтысын киметү өчен, субстрат эпитакси процесс башланганчы катлаулы алдан уйланырга тиеш. Сапфир субстратларында GaN эпитаксын үстергәнче, субстрат өслеген пычраткыч матдәләрне, калдыкларны чистарту һ.б.ны бетерү өчен, адымнар һәм баскыч өслек структураларын чыгару өчен катгый чистартырга кирәк. Аннары, эпитаксиаль катламның дымлау үзлекләрен үзгәртү өчен субстрат өслеге нитридланган. Ниһаять, нечкә AlN буфер катламы (гадәттә 10-100нм калынлыкта) субстрат өслегенә урнаштырылырга һәм соңгы эпитаксиаль үсешкә әзерләнү өчен түбән температурада ябыштырылырга тиеш. Шулай да, сапфир субстратларында үскән GaN эпитаксиаль фильмнарындагы дислокация тыгызлыгы гомоепитаксиаль фильмнарныкыннан югарырак (якынча 1010см-2, кремний гомепитаксиаль фильмнарда яки галлий арсенид гомепитаксиаль фильмнарда, яки 102 - 104см арасында). 2). Defгары җитешсезлек тыгызлыгы ташучының хәрәкәтен киметә, шуның белән азчылык йөртүченең гомерен кыскарта һәм җылылык үткәрүчәнлеген киметә, болар барысы да җайланманың эшләвен киметәчәк [4];
Sa Сапфирның җылылык киңәйтү коэффициенты GaNныкына караганда зуррак, шуңа күрә эпитаксиаль катламда биаксиаль компрессив стресс барлыкка килү температурасыннан бүлмә температурасына кадәр суыту процессында барлыкка киләчәк. Калын эпитаксиаль фильмнар өчен бу стресс фильмның, хәтта субстратның ярылуына китерергә мөмкин;
Other Башка субстратлар белән чагыштырганда, сапфир субстратларының җылылык үткәрүчәнлеге түбәнрәк (якынча 0,25W * см-1 * К-1), һәм җылылыкның таралуы начар;
Its Аның үткәрүчәнлеге начар булганга, сапфир субстратлары аларның ярымүткәргеч җайланмалары белән интеграцияләнүенә һәм куллануына ярдәм итми.
Сапфир субстратларында үскән GaN эпитаксиаль катламнарының җитешсезлек тыгызлыгы югары булса да, ул GaN нигезендәге зәңгәр-яшел светофорларның оптоэлектрон эшләвен сизелерлек киметми кебек, шуңа күрә сапфир субстратлары GaN нигезендәге LED өчен субстратлар булып кулланыла.
Лазер яки башка югары тыгызлыктагы көч җайланмалары кебек GaN җайланмаларының яңа кушымталарын эшкәртү белән, сапфир субстратларының табигый җитешсезлекләре аларны куллануда чикләү булып китте. Моннан тыш, SiC субстратының үсеш технологиясе үсеше, чыгымнарны киметү һәм Si субстратларында GaN эпитаксиаль технологиясенең җитлеккәнлеге белән, сапфир субстратларында GaN эпитаксиаль катламнарын үстерү буенча күбрәк тикшеренүләр әкренләп суыту тенденциясен күрсәтте.
SiC'та GaN эпитаксы
Сапфир белән чагыштырганда, SiC субстратлары (4H- һәм 6H-кристалллар) GaN эпитаксиаль катламнары белән кечерәк тәлинкәгә туры килмиләр (3,1%, эпитаксиаль фильмнарга тиң), югары җылылык үткәрүчәнлеге (якынча 3,8W * см-1 * К) -1) һ.б. Моннан тыш, SiC субстратларының үткәрүчәнлеге шулай ук электр контактларын субстрат артында ясарга мөмкинлек бирә, бу җайланма структурасын гадиләштерергә ярдәм итә. Бу өстенлекләрнең булуы күбрәк тикшерүчеләрне кремний карбид субстратларында GaN эпитаксы өстендә эшләргә җәлеп итте.
Ләкин, GaN эпилаерларының үсмәсен өчен турыдан-туры SiC субстратларында эшләү шулай ук кайбер кимчелекләр белән очраша, шул исәптән:
Si SiC субстратларының өслеге тупаслыгы сапфир субстратларына караганда күпкә югарырак (сапфир тупаслыгы 0,1нм RMS, SiC тупаслыгы 1нм RMS), SiC субстратлары каты һәм эшкәртү начар, һәм бу тупаслык һәм калдыкларны бизәү зыяннары да шуларның берсе. GaN эпилаерларында кимчелекләр чыганаклары.
Si SiC субстратларының винт дислокация тыгызлыгы югары (дислокация тыгызлыгы 103-104см-2), винт дислокацияләре GaN эпилаерына таралырга һәм җайланманың эшләвен киметергә мөмкин;
Sub Субстрат өслегендәге атом аранжировкасы GaN эпилаерында туплау җитешсезлекләрен (BSF) барлыкка китерә. SiC субстратларында эпитаксиаль GaN өчен, субстратта берничә атом аранжировкасы заказы бар, нәтиҗәдә, эпитаксиаль GaN катламының бер-берсенә туры килмәгән башлангыч атом тәртибе туры килми, бу кимчелекләрне тупларга мөмкин. Саклау җитешсезлекләре (SF) с күчәре эчендә урнаштырылган электр кырларын кертә, самолетта йөртүчене аеру җайланмалары агып чыгу кебек проблемаларга китерә;
Si SiC субстратының җылылык киңәйтү коэффициенты AlN һәм GaNныкыннан кечерәк, бу суыту процессында эпитаксиаль катлам белән субстрат арасында җылылык стрессының туплануына китерә. Waltereit һәм Brand үзләренең тикшеренү нәтиҗәләре нигезендә фаразлыйлар, бу проблеманы GaN эпитаксиаль катламнарын нечкә, бер-бер артлы кысылган AlN нуклеяция катламнарында үстереп чишеп була.
Ga Га атомнарының начар дымлылыгы проблемасы. GaN эпитаксиаль катламнарын турыдан-туры SiC өслегендә үстергәндә, ике атом арасындагы дымның начар булуы аркасында, GaN субстрат өслегендә 3D утрау үсешенә мохтаҗ. Буфер катламын кертү - GaN эпитаксындагы эпитаксиаль материалларның сыйфатын яхшырту өчен иң еш кулланыла торган чишелеш. AlN яки AlxGa1-xN буфер катламын кертү SiC өслегенең дымлылыгын эффектив рәвештә яхшырта һәм GaN эпитаксиаль катламын ике үлчәмдә үстерә ала. Моннан тыш, ул шулай ук стрессны көйли һәм субстрат җитешсезлекләрен GaN эпитаксиясенә кадәр таратырга мөмкин;
Si SiC субстратларын әзерләү технологиясе өлгермәгән, субстрат бәясе югары, һәм тәэмин итүчеләр аз, тәэмин итү аз.
Торрес һ.б. тикшеренүләре күрсәткәнчә, SiC субстратын H2 белән югары температурада (1600 ° C) эпитаксия алдыннан субстрат өслегендә тәртиплерәк адым структурасы ясарга мөмкин, шуның белән турыдан-туры булганга караганда югары сыйфатлы AlN эпитаксиаль фильм ала ала. оригиналь субстрат өслегендә үскән. Си һәм аның командасының тикшеренүләре шулай ук күрсәтә: кремний карбид субстратын алдан эшкәртү, өслек морфологиясен һәм GaN эпитаксиаль катламының кристалл сыйфатын сизелерлек яхшырта ала. Смит һ.б. субстрат / буфер катламыннан һәм буфер катламыннан / эпитаксиаль катлам интерфейсларыннан килеп чыккан җеп җепләре субстратның яссылыгы белән бәйле икәнен ачыкладылар [5].
Рәсем 4HN эпитаксиаль катлам үрнәкләренең TEM морфологиясе 6H-SiC субстратында (0001) төрле өслекне эшкәртү шартларында (а) химик чистарту; б) химик чистарту + водород плазмасын эшкәртү; в) химик чистарту + водород плазмасын эшкәртү + 1300 30 водород җылылыгын 30 минутка эшкәртү
Si буенча GaN эпитаксы
Кремний карбид, сапфир һәм башка субстратлар белән чагыштырганда, кремний субстратларын әзерләү процессы җитлеккән, һәм ул зур чыгымлы эш белән җитлеккән зур күләмле субстратларны тотрыклы тәэмин итә ала. Шул ук вакытта җылылык үткәрүчәнлеге һәм электр үткәрүчәнлеге яхшы, һәм Si электрон җайланма процессы җитлеккән. Киләчәктә оптоэлектрон GaN җайланмаларын Si электрон җайланмалары белән камилләштерү мөмкинлеге шулай ук кремнийдагы GaN эпитаксының үсешен бик җәлеп итә.
Ләкин, Si субстратлары һәм GaN материаллары арасындагы такталар константаларының зур аермасы аркасында, Si субстратындагы GaN гетероген эпитаксы типик зур туры килмәгән эпитаксия, һәм ул шулай ук берничә проблема белән очрашырга тиеш:
Face faceир өсте энергия проблемасы. GaN Si субстратында үскәч, Si субстратының өслеге башта нитридлаштырылачак, аморф кремний нитрид катламын формалаштырачак, бу югары тыгызлыктагы GaN нуклеяциясенә һәм үсүенә ярдәм итми. Моннан тыш, Si өслеге башта Ga белән элемтәгә керәчәк, ул Si субстратының өслеген бозачак. Highгары температурада Si өслегенең бозылуы GaN эпитаксиаль катламына таралып, кара кремний тапларын барлыкка китерәчәк.
Ga GaN һәм Si арасындагы такталарның даими туры килмәве зур (~ 17%), бу югары тыгызлыктагы җепләр урнашуына китерәчәк һәм эпитаксиаль катламның сыйфатын сизелерлек киметәчәк;
Si Si белән чагыштырганда, GaN зуррак җылылык киңәйтү коэффициентына ия (GaN җылылык киңәйтү коэффициенты якынча 5,6 × 10-6K-1, Si җылылык киңәйтү коэффициенты якынча 2,6 × 10-6K-1), һәм GaNда ярыклар барлыкка килергә мөмкин. эпитаксиаль катлам эпитаксиаль температураны бүлмә температурасына суыткан вакытта;
✔ Si NH3 белән югары температурада реакцияләнә, поликристалл SiNx барлыкка китерә. AlN поликристалл SiNx өстендә өстенлекле юнәлеш ясый алмый, бу соңрак үскән GaN катламының тәртипсез юнәлешенә һәм күп санлы җитешсезлекләргә китерә, нәтиҗәдә GaN эпитаксиаль катламының кристалл сыйфаты начар, хәтта бер кристалл формалаштыруда кыенлыклар тудыра. GaN эпитаксиаль катлам [6].
Зур такталар туры килмәү проблемасын чишү өчен, тикшерүчеләр AlAs, GaAs, AlN, GaN, ZnO, SiC кебек материалларны Si субстратларында буфер катламнары итеп кертергә тырыштылар. Поликристалл SiNx формалашмас өчен һәм аның GaN / AlN / Si (111) материалларының кристалл сыйфатына тискәре йогынтысын киметү өчен, TMAl гадәттә билгеле бер вакыт эчендә AlN буфер катламының эпитаксиаль үсеше алдыннан кертелергә тиеш. NH3 SiNx формалаштырылган Si өслеге белән реакцияләнмәсен өчен. Моннан тыш, эпитаксиаль катламның сыйфатын яхшырту өчен үрнәк субстрат технологиясе кебек эпитаксиаль технологияләр кулланылырга мөмкин. Бу технологияләрнең үсеше эпитаксиаль интерфейста SiNx формалашуга комачаулый, GaN эпитаксиаль катламының ике үлчәмле үсешенә ярдәм итә, эпитаксиаль катламның үсеш сыйфатын яхшырта. Моннан тыш, кремний субстратындагы GaN эпитаксиаль катламындагы ярыклардан саклану өчен, җылылык киңәйтү коэффициентларының аермасы аркасында килеп чыккан киеренке стрессны компенсацияләү өчен AlN буфер катламы кертелә. Крост тикшеренүләре AlN буфер катламының калынлыгы белән штаммның кимүе арасында уңай бәйләнеш барлыгын күрсәтә. Буфер катлам калынлыгы 12нмга җиткәч, эпитаксиаль катлам критик кремний субстратында эпитаксиаль катлам ярылмыйча тиешле үсеш схемасы ярдәмендә үстерелергә мөмкин.
Тикшерүчеләрнең озак вакыт тырышлыкларыннан соң, кремний субстратларында үскән GaN эпитаксиаль катламнары сыйфаты сизелерлек яхшырды, һәм кыр эффект транзисторлары, Шоттки барьер ультрафиолет детекторлары, зәңгәр-яшел LED һәм ультрафиолет лазерлары кебек җайланмалар зур уңышларга ирештеләр.
Йомгаклап әйткәндә, еш кулланыла торган GaN эпитаксиаль субстратлары барысы да гетероген эпитакс булганлыктан, алар барысы да уртак проблемалар белән очрашалар, такталарның туры килмәве һәм җылылык киңәю коэффициентларының төрле дәрәҗәләрдә зур аермалары. Гомоген эпитаксиаль GaN субстратлары технологиянең җитлеккәнлеге белән чикләнә, һәм субстратлар әле күпләп җитештерелмәгән. Productionитештерү бәясе югары, субстрат зурлыгы кечкенә, һәм субстрат сыйфаты идеаль түгел. Яңа GaN эпитаксиаль субстратларын үстерү һәм эпитаксиаль сыйфатын яхшырту әле дә GaN эпитаксиаль сәнәгатенең үсешен чикләүче мөһим факторларның берсе булып тора.
IV. GaN эпитаксы өчен гомуми ысуллар
MOCVD (химик пар парламенты)
GaN субстратларында бер тигез эпитакси GaN эпитаксы өчен иң яхшы сайлау кебек. Ләкин, химик пар парламенты прекурсорлары триметилгалий һәм аммиак, һәм ташучы газ водород булганлыктан, типик MOCVD үсеш температурасы якынча 1000-1100 and, һәм MOCVD үсеш темплары сәгатенә берничә микрон тирәсе. Ул атом дәрәҗәсендә текә интерфейслар ясый ала, бу гетерожункцияләрне, квант скважиналарын, суперлатисларны һәм башка структураларны үстерү өчен бик яраклы. Аның тиз үсеш темплары, яхшы бердәмлеге, зур мәйданлы һәм күп өлешле үсеш өчен яраклылыгы еш кына сәнәгать производствосында кулланыла.
MBE (молекуляр нур эпитаксы)
Молекуляр нур эпитаксиясендә Га элемент чыганагын куллана, һәм актив азот азоттан RF плазмасы аша алына. MOCVD ысулы белән чагыштырганда, MBE үсеш температурасы якынча 350-400 ℃ түбән. Түбән температура югары температура шартларында килеп чыгарга мөмкин булган пычранудан саклый ала. MBE системасы ультра югары вакуум астында эшли, бу аңа урынны ачыклау ысулларын берләштерергә мөмкинлек бирә. Шул ук вакытта аның үсеш темпын һәм җитештерү куәтен MOCVD белән чагыштырып булмый, һәм ул фәнни тикшеренүләрдә күбрәк кулланыла [7].
Рәсем 5 (а) Eiko-MBE схематик (б) MBE төп реакция камерасы схематик
HVPE ысулы (гидрид пар парлары эпитаксы)
Гидрид парларының фаза эпитакси ысулы прекурсорлары GaCl3 һәм NH3. Детчпрохм һ.б. бу ысулны сапфир субстратында йөзләгән микрон калынлыктагы GaN эпитаксиаль катламын үстерү өчен кулланган. Аларның тәҗрибәсендә сапфир субстрат белән эпитаксиаль катлам арасында буфер катлам буларак ZnO катламы үстерелде, һәм эпитаксиаль катлам субстрат өслегеннән суырылды. MOCVD һәм MBE белән чагыштырганда, HVPE ысулының төп үзенчәлеге - аның югары үсеш темплары, ул калын катламнар һәм күпчелек материаллар җитештерү өчен яраклы. Ләкин, эпитаксиаль катламның калынлыгы 20μмнан артканда, бу ысул белән җитештерелгән эпитаксиаль катлам ярыкларга мохтаҗ.
Акира USUI бу ысул нигезендә үрнәк субстрат технологиясен кертте. Алар башта MOCVD ысулы ярдәмендә сапфир субстратында 1-1,5μм калынлыктагы GaN эпитаксиаль катламын үстерделәр. Эпитаксиаль катлам 20нм калынлыктагы GaN буфер катламыннан, түбән температура шартларында үскән һәм югары температура шартларында үскән GaN катламыннан тора. Аннары, 430 at эпитаксиаль катлам өслегендә SiO2 катламы капланган, һәм SiO2 фильмында тәрәзә полосалары фотолитография белән ясалган. Сызык арасы 7μм, маска киңлеге 1μm дан 4μm га кадәр иде. Бу камилләштерүдән соң, алар 2 дюймлы диаметрлы сапфир субстратында GaN эпитаксиаль катламы алдылар, калынлыгы дистәләрчә, хәтта йөзләгән микронга кадәр артканда да ярыксыз һәм көзге кебек шома. Кимчелек тыгызлыгы традицион HVPE ысулының 109-1010см-2 дән 6 × 107см-2гә кадәр кимеде. Алар шулай ук экспериментта күрсәттеләр, үсеш темплары 75μm / стан арткач, үрнәк өслеге тупас булыр [8].
Рәсем 6 График субстрат схемасы
V. Йомгаклау һәм перспектива
GaN материаллары 2014-нче елда зәңгәр утлы LED физика буенча Нобель премиясенә лаек булганда һәм кулланучылар электроникасы өлкәсендә тиз зарядлау кушымталары өлкәсенә кергәч барлыкка килә. Чынлыкта, 5G баз станцияләрендә кулланылган электр көчәйткечләрендә һәм RF җайланмаларында кушымталар тыныч кына барлыкка килде. Соңгы елларда, GaN нигезендәге автомобиль дәрәҗәсендәге электр җайланмаларының алга китүе GaN материаль куллану базары өчен яңа үсеш нокталарын ачачак.
Базарның зур ихтыяҗы, һичшиксез, GaN белән бәйле тармаклар һәм технологияләр үсешенә ярдәм итәчәк. GaN белән бәйле сәнәгать чылбырының җитлеккәнлеге һәм камилләшүе белән, хәзерге GaN эпитаксиаль технологиясе алдында торган проблемалар ахыр чиктә яхшырачак яки җиңеләчәк. Киләчәктә кешеләр тагын да яңа эпитаксиаль технологияләр һәм иң яхшы субстрат вариантларын үстерәчәкләр. Ул вакытта кешеләр иң уңайлы тышкы тикшеренү технологияләрен сайлый алалар, кушымта сценарийлары характеристикасы буенча төрле сценарийлар өчен субстрат, һәм иң конкурентлаштырылган продуктлар җитештерә алалар.
Пост вакыты: 28-2024 июнь