Ярымүткәргеч җайланмасы - заманча сәнәгать машиналары җиһазының үзәге, компьютерларда, кулланучылар электроникасында, челтәр элемтәләрендә, автомобиль электроникасында һәм үзәкнең башка өлкәләрендә киң кулланыла, ярымүткәргеч индустриясе нигездә дүрт төп компоненттан тора: интеграль схемалар, оптоэлектрон җайланмалар, дискрет җайланма, сенсор, ул интеграль схемаларның 80% тан артыгын тәшкил итә, еш һәм ярымүткәргеч һәм интеграль схема эквиваленты.
Интеграль схема, продукт категориясе буенча, нигездә, дүрт категориягә бүленә: микропроцессор, хәтер, логик җайланмалар, симулятор өлешләре. Ләкин, ярымүткәргеч җайланмаларның куллану өлкәсенең өзлексез киңәюе белән, күп махсус очраклар ярымүткәргечләрдән югары температура, көчле нурланыш, югары көч һәм башка мохит куллануны таләп итә, зыян китерми, беренче һәм икенче буын. ярымүткәргеч материаллар көчсез, шуңа күрә өченче буын ярымүткәргеч материаллар барлыкка килде.
Хәзерге вакытта киң үткәргеч ярымүткәргеч материалларкремний карбид. Өченче буын ярымүткәргеч материалларның киңлеге киңлеге киңлеге, ватылу электр кыры, җылылык үткәрүчәнлеге, электрон туену дәрәҗәсе һәм нурланышка каршы тору сәләте югары, югары температура, югары ешлык, нурланышка каршы тору һәм югары көч җайланмалары өчен кулайрак. , гадәттә, киң үткәргеч ярымүткәргеч материаллар дип атала (тыелган полосаның киңлеге 2,2 eV-тан зуррак), шулай ук югары температура ярымүткәргеч материаллары дип атала. Өченче буын ярымүткәргеч материаллар һәм җайланмалар буенча хәзерге тикшеренүләрдән кремний карбид һәм галий нитрид ярымүткәргеч материаллары җитлеккән, һәмкремний карбид технологиясеиң җитлеккән, цинк оксиды, бриллиант, алюминий нитрид һәм башка материаллар буенча тикшеренүләр әле башлангыч этапта.
Материаллар һәм аларның үзенчәлекләре ：
Кремний карбидматериал керамик шар подшипникларында, клапаннарда, ярымүткәргеч материалларда, гиросларда, үлчәү коралларында, аэрокосмоста һәм башка өлкәләрдә киң кулланыла, күп сәнәгать өлкәләрендә алыштыргысыз материалга әйләнде.
SiC - табигый суперлатица һәм типик бертөрле политип. Si һәм C диатомик катламнар арасындагы төрү эзлеклелеге аермасы аркасында 200 дән артык (хәзерге вакытта билгеле) гомотипик полипипик гаиләләр бар, бу төрле кристалл структураларга китерә. Шуңа күрә SiC яңа буын яктылык чыгаручы диод (LED) субстрат материал, югары көчле электрон материаллар өчен бик яраклы.
| характеристикасы | |
| физик милек | Hardгары каты (3000 кг / мм), ягутны кисәргә мөмкин |
| Алмаздан соң икенче урында | |
| Rылылык үткәрүчәнлеге Si белән чагыштырганда 3 тапкыр, GaAsныкыннан 8 ~ 10 тапкыр югарырак. | |
| SiC-ның җылылык тотрыклылыгы югары, атмосфера басымында эреп булмый | |
| Яхшы җылылык тарату югары көчле җайланмалар өчен бик мөһим | |
|
химик милек | Бик көчле коррозиягә каршы тору, бүлмә температурасында билгеле коррозив агентка каршы тору |
| SiC өслеге җиңел оксидлаша, SiO, нечкә катлам, алга таба оксидлашудан саклый ала 1700 above өстендә, оксид пленкасы тиз эри һәм оксидлаша | |
| 4H-SIC һәм 6H-SIC полосасы Si белән чагыштырганда 3 тапкыр һәм GaAsныкыннан 2 тапкыр күбрәк: Электр кырының интенсивлыгы Si-тан зуррак зурлыктагы тәртип, һәм электрон дрифт тизлеге туенган Ике ярым тапкыр Si. 4H-SIC полосасы 6H-SICныкына караганда киңрәк |
Пост вакыты: Август-01-2022