Фотолитография технологиясе, нигездә, кремний вафаларда схема формаларын фаш итү өчен оптик системалар куллануга юнәлтелгән. Бу процессның төгәллеге интеграль схемаларның эшенә һәм уңышына турыдан-туры тәэсир итә. Чип җитештерү өчен иң яхшы җиһазларның берсе буларак, литография машинасында йөзләрчә мең компонентлар бар. Литографик системадагы оптик компонентлар да, компонентлар да схеманың эшләвен һәм төгәллеген тәэмин итү өчен бик югары төгәллек таләп итәләр.Керамикакулланылганваферһәм керамик квадрат көзгеләр.
Вафер чәкЛитография машинасында вафин чәк, экспозиция процессында ваферны йөртә һәм хәрәкәт итә. Вафер белән чәк арасында төгәл тигезләнү вафер өслегендәге үрнәкне төгәл кабатлау өчен кирәк.SiC вафинчәкләр җиңел, югары үлчәмле тотрыклылык һәм түбән җылылык киңәю коэффициенты белән билгеле, бу инерцион йөкләрне киметә һәм хәрәкәт нәтиҗәлелеген күтәрә ала, урнашу төгәллеген һәм тотрыклылыгын.
Керамик квадрат көзге Литография машинасында вафин чәк белән маска этаплары арасында хәрәкәтне синхронизацияләү бик мөһим, бу турыдан-туры литографиянең төгәллегенә һәм уңышына тәэсир итә. Квадрат рефлектор - вафер чәк сканерлау позициясен кире кайтару үлчәү системасының төп компоненты, һәм аның материаль таләпләре җиңел һәм катгый. Кремний карбид керамикасы җиңел җиңел үзлекләргә ия булса да, мондый компонентларны җитештерү авыр. Хәзерге вакытта әйдәп баручы халыкара интеграль челтәр җиһазлары җитештерүчеләре, нигездә, кушылган кремний һәм кордиерит кебек материалларны кулланалар. Ләкин, технологиянең алга китүе белән, Кытай белгечләре зур күләмле, катлаулы формадагы, бик җиңел, тулы ябык кремний карбид керамик квадрат көзгеләр һәм фотолитография машиналары өчен башка функциональ оптик компонентлар җитештерүгә ирештеләр. Фотомаск, шулай ук аппертура буларак та билгеле, фотосенсив материалда үрнәк формалаштыру өчен битлек аша яктылык җибәрә. Ләкин, EUV нуры битлекне нурландырганда, җылылык җибәрә, температураны 600 - 1000 градуска кадәр күтәрә, бу җылылык зарарына китерергә мөмкин. Шуңа күрә SiC пленкасы катламы гадәттә фотомаскага урнаштырыла. Күпчелек чит ил компанияләре, мәсәлән, ASML, фотомаска куллану вакытында чистартуны һәм тикшерүне киметү, EUV фотолитография машиналарының эффективлыгын һәм продукт җитештерүчәнлеген күтәрү өчен, 90% тан артык тапшыру булган фильмнар тәкъдим итәләр.
ПлазмаФотомаскалар, кросс креслолары дип тә атала, маска аша яктылык җибәрү һәм фотосенсив материалда үрнәк формалаштыруның төп функциясе бар. Ләкин, EUV (экстремаль ультрафиолет) яктылыгы фотомасканы нурландырганда, ул җылылык җибәрә, температураны 600-1000 градуска кадәр күтәрә, бу җылылык зарарына китерергә мөмкин. Шуңа күрә, бу проблеманы җиңеләйтү өчен, гадәттә кремний карбид (SiC) пленкасы фотомаскага урнаштырыла. Хәзерге вакытта, ASML кебек күпчелек чит ил компанияләре фотомасканы куллану вакытында чистарту һәм тикшерү ихтыяҗын киметү өчен, 90% тан артык ачыклык белән фильмнар бирә башладылар, шуның белән EUV литография машиналарының эффективлыгын һәм продукт җитештерүчәнлеген күтәрделәр. . Плазма эфиры һәмФокус боҗрасыһәм башкалар ярымүткәргеч җитештергәндә, эфир процессы плазмага ионлаштырылган сыек яки газ эфантларын куллана (мәсәлән, фторлы газлар) ваферны бомбардировать итү өчен, кирәк булмаган материалны сайлап алу өчен, кирәкле схема калмаганчы.ваферөслеге. Моннан аермалы буларак, нечкә пленка чүпләү кире якка охшаш, нечкә пленка формалаштыру өчен металл катламнар арасында изоляцион материаллар туплау өчен чүпләү ысулын куллана. Ике процесс плазма технологиясен кулланганлыктан, алар палаталарга һәм компонентларга коррозив эффектларга ия. Шуңа күрә, җиһаз эчендәге компонентлар яхшы плазмага каршы тору, фтор чыгару газларына түбән реактивлык һәм түбән үткәрүчәнлек булырга тиеш. Традицион эфирлау һәм чүпләү җиһазлары компонентлары, мәсәлән, фокус боҗралары, гадәттә кремний яки кварц кебек материаллардан ясала. Ләкин, интеграль схема миниатюризациясенең алга китүе белән, интеграль схема җитештерүендә эфир процессларына ихтыяҗ һәм әһәмият арта. Микроскопик дәрәҗәдә төгәл кремний вафины эфиры кечерәк сызык киңлекләренә һәм катлаулырак җайланма структураларына ирешү өчен югары энергияле плазма таләп итә. Шуңа күрә, химик пар парламенты (CVD) кремний карбид (SiC) акрынлап физик һәм химик үзенчәлекләре, югары чисталыгы һәм бердәмлеге белән җиһазландыру һәм чүпләү җиһазлары өчен өстенлекле каплау материалына әверелде. Хәзерге вакытта, CVD кремний карбид компонентларына фокус боҗралары, газ душ башлары, подшипниклар һәм чит боҗралар керә. Чүпләү җиһазларында камера капкалары, камера лайнерлары һәмСИС белән капланган графит субстратлары.
Аның түбән реактивлыгы һәм хлорга һәм фторлы газларга үткәрүчәнлеге аркасында,CVD кремний карбидПлазма эшкәртү җиһазларында фокус боҗралар кебек компонентлар өчен идеаль материалга әйләнде.CVD кремний карбидҗиһазлау компонентларына фокус боҗралары, газ душ башлары, подшипниклар, кырый боҗралар һ.б. керә. Шакмакка көчәнеш кулланып, плазма боҗра аша ваферга юнәлтелә, процессның бердәмлеген яхшырта. Традицион рәвештә, фокус боҗралар кремний яки кварцтан ясалган. Ләкин, интеграль схема миниатюризация алга киткән саен, интеграль схема җитештерүендә эфир процессларына ихтыяҗ һәм әһәмият арта. Плазманы чистарту көче һәм энергия таләпләре арта бара, аеруча сыйдырышлы кушылган плазма (CCP) эшкәртү җайланмаларында, бу югары плазма энергиясен таләп итә. Нәтиҗәдә, кремний карбид материалларыннан ясалган фокус боҗралар куллану арта.
Пост вакыты: 29-2024 октябрь