Graphгары чисталыклы графит компонентлары бик мөһимярымүткәргеч, LED һәм кояш индустриясендә процесслар. Безнең тәкъдим кристалл үсә торган кайнар зоналар өчен графит куллану материалларыннан (җылыткычлар, критик сенсорлар, изоляция), эпитакси яки MOCVD өчен кремний карбид белән капланган графит сенсорлары кебек крем эшкәртү җайланмалары өчен югары төгәл графит компонентларына кадәр. Монда безнең белгеч графит уйный: изостатик графит катнаш ярымүткәргеч катламнар җитештерү өчен нигез булып тора. Болар эпитакси яки MOCVD процессында экстремаль температурада "кайнар зонада" барлыкка килә. Ваферлар реакторда капланган әйләнүче ташучы кремний карбид белән капланган изостатик графиттан тора. Бу бик чиста, бертөрле графит кына каплау процессындагы югары таләпләргә туры килә.
Tул LED эпитаксиаль вафер үсешенең төп принцибы: тиешле температурада җылытылган субстратта (нигездә сапфир, SiC һәм Si), InGaAlP газлы материал субстрат өслегенә билгеле бер кристалл пленка үстерү өчен контрольдә тотыла. Хәзерге вакытта, LED эпитаксиаль ваферның үсеш технологиясе, нигездә, органик металл химик пар парламенты кабул итә.
LED эпитаксиаль субстрат материалярымүткәргеч яктырту индустриясенең технологик үсешенең нигез ташы булып тора. Төрле субстрат материалларга төрле LED эпитаксиаль вафер үсеш технологиясе, чип эшкәртү технологиясе һәм җайланма төрү технологиясе кирәк. Субстрат материаллар ярымүткәргеч яктырту технологиясенең үсеш маршрутын билгели.
LED эпитаксиаль вафер субстрат материал сайлау үзенчәлекләре:
1.
2. Яхшы интерфейс характеристикалары, эпитаксиаль материалларның нуклеяциясенә һәм көчле ябышуга ярдәм итә
3. Аның яхшы химик тотрыклылыгы бар, эпитаксиаль үсеш температурасында һәм атмосферасында черү һәм бозылу җиңел түгел.
4. Яхшы җылылык үткәрүчәнлеге һәм түбән җылылык туры килмәвен кертеп, яхшы җылылык күрсәткече
5. Яхшы үткәрүчәнлек, өске һәм аскы структурага ясалырга мөмкин 6, яхшы оптик эш, һәм ясалган җайланма чыгарган яктылык субстрат белән азрак үзләштерелә
7. Яхшы механик үзлекләр һәм җайланмаларны җиңел эшкәртү, шул исәптән нечкә, бизәү һәм кисү
8. Арзан бәя.
9. Зур зурлык. Гадәттә, диаметр 2 дюймнан ким булмаска тиеш.
10. Даими форма субстратын алу җиңел (башка махсус таләпләр булмаса), һәм эпитаксиаль җиһазларның подшипник тишегенә охшаган субстрат форма эпитаксиаль сыйфатка тәэсир итәр өчен тәртипсез ток формалаштыру җиңел түгел.
11. Эпитаксиаль сыйфатка тәэсир итмәү шартында, субстратның эшкәртү мөмкинлеге киләсе чип һәм төрү эшкәртү таләпләренә туры килергә тиеш.
Субстрат сайлау өчен бер үк вакытта югарыдагы унбер аспектка туры килү бик кыен. Шуңа күрә, хәзерге вакытта без эпитаксиаль үсеш технологиясен үзгәртү һәм җайланма эшкәртү технологиясен көйләү ярдәмендә төрле субстратларда ярымүткәргеч яктылык җибәрүче җайланмалар җитештерә алабыз. Галий нитридын тикшерү өчен бик күп субстрат материаллар бар, ләкин җитештерү өчен кулланыла торган ике субстрат бар, алар арасында сапфир Al2O3 һәм кремний карбидSiC субстратлары.
Пост вакыты: 28-2022 февраль