Eachәр ярымүткәргеч продукт җитештерү йөзләгән процесс таләп итә. Без бөтен җитештерү процессын сигез этапка бүләбез:ваферэшкәртү-оксидлаштыру-фотолитография-эфир-нечкә пленка чүпләү-эпитаксиаль үсеш-диффузия-ион имплантациясе.
Ярымүткәргечләрне һәм аларга бәйле процессларны аңларга һәм танырга булышу өчен, без WeChat мәкаләләрен югарыда күрсәтелгән адымнарның һәрберсен бер-бер артлы тәкъдим итәрбез.
Алдагы мәкаләдә яклау турында әйтелгән идевафертөрле пычраклардан оксид пленкасы ясалды - оксидлаштыру процессы. Бүген без ярымүткәргеч конструкция схемасын вафердагы оксид пленкасы белән фотога төшерүнең "фотолитография процессы" турында сөйләшәчәкбез.
Фотолитография процессы
1. Фотолитография процессы нәрсә ул
Фотолитография - чип җитештерү өчен кирәк булган схемаларны һәм функциональ өлкәләрне ясау.
Фотолитография машинасы чыгарган яктылык фоторезист белән капланган нечкә пленканы маска аша маска аша фаш итү өчен кулланыла. Фоторезист яктылыкны күргәннән соң үзлекләрен үзгәртәчәк, шулай итеп битлектәге үрнәк нечкә пленкага күчерелә, нечкә фильм электрон схема функциясе булып тора. Бу фотоолитографиянең роле, фотоаппарат белән фотога төшү кебек. Камера төшергән фотолар фильмда бастырыла, фотолитография фотосурәтләр түгел, ә схемалар һәм башка электрон компонентлар.
Фотолитография - төгәл микро эшкәртү технологиясе
Гадәттәге фотолитография - ул ультрафиолет нурын 2000 - 4500 ангстром дулкын озынлыгы белән куллана, һәм графиканы үзгәртүгә, күчерүгә һәм эшкәртүгә ирешү өчен, фоторесистны арадаш (рәсем язу) чарасы итеп куллана. чипка (нигездә кремний чип) яки диэлектрик катламга мәгълүмат.
Фотолитография хәзерге ярымүткәргеч, микроэлектроника, информацион тармакларның нигезе дип әйтеп була, һәм фотолитография бу технологияләрнең үсеш дәрәҗәсен турыдан-туры билгели.
1959-нчы елда интеграль схемаларны уңышлы уйлап тапканнан соң 60 елдан артык вакыт эчендә аның графикасының сызык киңлеге дүрт зурлыктагы заказ белән кимеде, һәм схема интеграциясе алтыдан артык зурлыктагы заказ белән яхшыртылды. Бу технологияләрнең тиз үсеше, нигездә, фотолитография үсеше белән бәйле.
(Интеграль схема җитештерү үсешенең төрле этапларында фотолитография технологиясенә таләпләр)
2. Фотолитографиянең төп принциплары
Фотолитография материаллары, гадәттә, фотолистистларга карый, алар фотолистистлар буларак та билгеле, алар фотолитографиядә иң критик функциональ материаллар. Бу төр материал яктылыкның (күренеп торган яктылык, ультрафиолет нуры, электрон нур һ.б.) реакциясенә ия. Фотохимик реакциядән соң аның эретүчәнлеге сизелерлек үзгәрә.
Алар арасында, эшкәртүчедә уңай фоторезистның эрүчәнлеге арта, һәм алынган үрнәк маска белән бертигез; тискәре фоторезист киресенчә, ягъни эретүчәнлек кими, хәтта эшкәртүчегә тәэсир иткәннән соң эри алмый, һәм алынган үрнәк маскага капма-каршы. Ике төр фоторезистның куллану кырлары төрле. Позитив фоторесистлар еш кулланыла, гомуми күләмнең 80% тан артыгын тәшкил итә.
Aboveгарыда фотолитография процессының схематик схемасы
(1) Ябыштыру: ягъни бердәм калынлыктагы, көчле ябыштырылган һәм кремний вафатында кимчелекләр булмаган фоторесист фильм формалаштыру. Фоторезист пленка белән кремний вафаты арасында ябышуны көчәйтү өчен, еш кына кремний вафин өслеген гексеметилдисилазан (HMDS) һәм триметилсилилдиетиламин (TMSDEA) кебек матдәләр белән үзгәртергә кирәк. Аннары, фоторесист фильм спин каплау белән әзерләнә.
(2) Алдан пешерү: Спин каплаудан соң, фоторесист фильмда билгеле күләмдә эретүче бар. Higherгары температурада пешергәннән соң, эретүчене мөмкин кадәр азрак чыгарырга мөмкин. Алдан пешергәннән соң, фоторесистның эчтәлеге якынча 5% ка кадәр кими.
(3) Экспозиция: Ягъни фоторезист яктылыкка бирелә. Бу вакытта фоторакция барлыкка килә, яктыртылган өлеш белән яктыртылмаган өлеш арасындагы эретү аермасы барлыкка килә.
(4) Developmentсеш һәм катырту: Продукция эшкәртүчегә чумган. Бу вакытта уңай фоторесистның ачыкланган мәйданы һәм тискәре фоторесистның ачыкланмаган өлкәсе үсештә таркалачак. Бу өч үлчәмле үрнәкне тәкъдим итә. Developmentсештән соң, чип каты фильм булыр өчен югары температуралы эшкәртү процессына мохтаҗ, бу, нигездә, фоторезистның субстратка ябышуын тагын да көчәйтү өчен хезмәт итә.
(5) Эшләү: Фоторезист астындагы материал чистартылган. Бу сыек дымлы эфирны һәм газлы коры эфирны үз эченә ала. Мәсәлән, кремнийны дымландыру өчен, гидрофлор кислотасының кислоталы су эремәсе кулланыла; бакырның дымлы эфиры өчен азот кислотасы һәм күкерт кислотасы кебек көчле кислота эремәсе кулланыла, коры эфирлау еш кына плазманы яки югары энергияле ион нурларын куллана, материал өслегенә зыян китерә.
(6) Дегумминг: Ниһаять, фоторесистны линза өслегеннән чыгарырга кирәк. Бу адым дегумминг дип атала.
Барлык ярымүткәргеч җитештерүдә куркынычсызлык иң мөһим проблема. Чип литография процессындагы төп куркыныч һәм зарарлы фотолитографик газлар түбәндәгечә:
1. Водород пероксиды
Водород пероксиды (H2O2) - көчле оксидант. Туры контакт тире һәм күз ялкынсынуына һәм януга китерергә мөмкин.
2. Ксилен
Ксилен - тискәре литографиядә кулланыла торган эретүче һәм уйлап табучы. Ул ялкынлы һәм түбән температурасы 27,3 only (якынча бүлмә температурасы). Airавада концентрация 1% -7% булганда шартлаткыч. Ксилен белән кабат-кабат контакт тиренең ялкынсынуына китерергә мөмкин. Ксилен парлары татлы, самолет исе кебек; ксиленга тәэсир итү күз, борын һәм тамак ялкынсынуына китерергә мөмкин. Газның сулышы баш авыртуына, баш әйләнүгә, аппетитны югалтуга һәм арыганлыкка китерергә мөмкин.
3. Гексеметилдисилазан (HMDS)
Гексеметилдисилазан (HMDS) продукт өслегендә фоторезистның ябышуын арттыру өчен иң еш кулланыла. Ул янып тора һәм 6,7 ° C флеш ноктасына ия. Airавада концентрация 0,8% -16% булганда шартлаткыч. HMDS аммиак чыгару өчен су, спирт һәм минераль кислоталар белән көчле реакциядә.
4. Тетраметиламмоний гидроксиды
Тетраметиламмоний гидроксиды (TMAH) уңай литография өчен уйлап табучы буларак киң кулланыла. Ул агулы һәм коррозив. Йотылса яки тире белән туры элемтәдә булса, ул үлемгә китерергә мөмкин. TMAH тузаны яки томан белән контакт күз, тире, борын һәм тамак ялкынсынуына китерергә мөмкин. ТМАХның югары концентрацияләрен ингаляцияләү үлемгә китерәчәк.
5. Хлор һәм фтор
Хлор (Cl2) һәм фтор (F2) икесе дә экзимер лазерларында тирән ультрафиолет һәм экстремаль ультрафиолет (EUV) яктылык чыганаклары буларак кулланыла. Ике газ да агулы, ачык яшел булып күренәләр, көчле ачулы ис бар. Бу газның югары концентрацияләре үлемгә китерәчәк. Фтор газы водород фтор газын чыгару өчен су белән реакция ясарга мөмкин. Водород фтор газы тирене, күзләрне һәм сулыш юлларын ярсыта торган көчле кислота, яну һәм сулыш алу кебек симптомнарны китерергә мөмкин. Фторидның югары концентрацияләре кеше организмына агуланырга мөмкин, баш авырту, кусау, эч китү һәм кома кебек симптомнарны китереп чыгарырга мөмкин.
6. Аргон
Аргон (Ар) - инерт газы, гадәттә кеше организмына турыдан-туры зыян китерми. Гадәттәгечә, кешеләр сулый торган һавада якынча 0,93% аргон бар, һәм бу концентрация кеше организмына бернинди тәэсир итми. Ләкин, кайбер очракларда, аргон кеше организмына зыян китерергә мөмкин.
Менә кайбер мөмкин ситуацияләр: чикләнгән киңлектә аргон концентрациясе артырга мөмкин, шуның белән һавада кислород концентрациясе кими һәм гипоксия барлыкка килә. Бу баш әйләнү, ару, сулыш кысу кебек симптомнарга китерергә мөмкин. Моннан тыш, аргон - инерт газы, ләкин ул югары температурада яки югары басым астында шартларга мөмкин.
7. Неон
Neon (Ne) - тотрыклы, төссез һәм иссез газ, ул неон газы кеше сулыш процессында катнашмый, шуңа күрә неон газының югары концентрациясендә сулыш алу гипоксиягә китерәчәк. Әгәр дә сез озак вакыт гипоксия хәлендә булсагыз, сездә баш авырту, йөрәк төшү, кусу кебек симптомнар булырга мөмкин. Моннан тыш, неон газы башка матдәләр белән югары температурада яки югары басым астында ут яки шартлау китереп чыгарырга мөмкин.
8. Ксенон газы
Ксенон газы (Xe) - тотрыклы, төссез һәм иссез газ, ул кешенең сулыш процессында катнашмый, шуңа күрә ксенон газының зур концентрациясендә сулыш алу гипоксиягә китерәчәк. Әгәр дә сез озак вакыт гипоксия хәлендә булсагыз, сездә баш авырту, йөрәк төшү, кусу кебек симптомнар булырга мөмкин. Моннан тыш, неон газы башка матдәләр белән югары температурада яки югары басым астында ут яки шартлау китереп чыгарырга мөмкин.
9. Криптон газы
Криптон газы (Кр) - тотрыклы, төссез һәм иссез газ, ул кеше сулыш процессында катнашмый, шуңа күрә криптон газының югары концентрациясендә сулыш алу гипоксиягә китерәчәк. Әгәр дә сез озак вакыт гипоксия хәлендә булсагыз, сездә баш авырту, йөрәк төшү, кусу кебек симптомнар булырга мөмкин. Моннан тыш, ксенон газы башка матдәләр белән югары температурада яки югары басым астында ут яки шартлау китереп чыгарырга мөмкин. Кислород җитмәгән мохиттә сулыш алу гипоксиягә китерергә мөмкин. Әгәр дә сез озак вакыт гипоксия хәлендә булсагыз, сездә баш авырту, йөрәк төшү, кусу кебек симптомнар булырга мөмкин. Моннан тыш, криптон газы башка матдәләр белән югары температурада яки югары басым астында ут яки шартлау китереп чыгарырга мөмкин.
Ярымүткәргеч тармагы өчен куркыныч газ табу чишелешләре
Ярымүткәргеч индустриясе янып торган, шартлаткыч, агулы һәм зарарлы газлар җитештерү, җитештерү һәм эшкәртү белән бәйле. Ярымүткәргеч җитештерү заводларында газ кулланучы буларак, һәр хезмәткәр төрле куркыныч газларның куркынычсызлык мәгълүматларын кулланганчы аңларга тиеш, һәм бу газлар агып чыкканда гадәттән тыш процедураларны ничек эшләргә икәнен белергә тиеш.
Ярымүткәргеч сәнәгатен җитештерүдә, җитештерүдә һәм саклауда, бу куркыныч газларның агып чыгуы аркасында кеше гомерен һәм мөлкәтен югалтмас өчен, максатлы газны ачыклау өчен газ табу коралларын куярга кирәк.
Газ детекторлары бүгенге ярымүткәргеч тармагында әйләнә-тирә мохит мониторингы коралларына әйләнделәр, һәм иң туры мониторинг кораллары.
Рикен Кейки ярымүткәргеч җитештерү сәнәгатенең куркынычсыз үсешенә һәрвакыт игътибар бирде, кешеләр өчен куркынычсыз эш шартлары тудыру миссиясе белән, һәм ярымүткәргеч индустриясе өчен яраклы газ сенсорларын үстерүгә багышлады, төрле проблемаларны чишү юлларын тәкъдим итте. кулланучылар, һәм продукт функцияләрен өзлексез яңарту һәм системаларны оптимальләштерү.
Пост вакыты: 16-2024 июль