SiC капланган графит нигезләре гадәттә металл-органик химик пар парламенты (MOCVD) җиһазларында бер кристалл субстратларны тәэмин итү һәм җылыту өчен кулланыла. Cылылык тотрыклылыгы, җылылык бердәмлеге һәм SiC капланган графит базасының башка эш параметрлары эпитаксиаль материал үсешенең сыйфатында хәлиткеч роль уйный, шуңа күрә ул MOCVD җиһазларының төп компоненты булып тора.
Вафер җитештерү процессында җайланмалар җитештерүне җиңеләйтү өчен эпитаксиаль катламнар кайбер вафер субстратларда төзелә. Типик LED яктылык җибәрүче җайланмалар кремний субстратларында GaA эпитаксиаль катламнарын әзерләргә тиеш; SiC эпитаксиаль катламы үткәргеч SiC субстратында SBD, MOSFET һ.б. кебек җайланмалар төзү өчен, югары көчәнеш, югары ток һәм башка электр кушымталары өчен үстерелә; GaN эпитаксиаль катлам HEMT һәм элемтә кебек RF кушымталары өчен бүтән җайланмалар төзү өчен ярым изоляцияләнгән SiC субстратында төзелгән. Бу процесс CVD җиһазлары белән аерылгысыз.
CVD җиһазларында субстратны турыдан-туры металлга урнаштырып булмый яки эпитаксиаль чүпләү өчен нигезгә урнаштырып булмый, чөнки ул газ агымын (горизонталь, вертикаль), температура, басым, фиксацияләү, пычраткыч матдәләр түгү һәм башка аспектларны үз эченә ала. йогынты факторлары. Шуңа күрә, базаны кулланырга, аннары субстратны дискка урнаштырырга, аннары CVD технологиясен субстратта эпитаксиаль чүпләү өчен кулланырга кирәк, бу SiC капланган графит базасы (поднос дип тә атала).
SiC капланган графит нигезләре гадәттә металл-органик химик пар парламенты (MOCVD) җиһазларында бер кристалл субстратларны тәэмин итү һәм җылыту өчен кулланыла. Cылылык тотрыклылыгы, җылылык бердәмлеге һәм SiC капланган графит базасының башка эш параметрлары эпитаксиаль материал үсешенең сыйфатында хәлиткеч роль уйный, шуңа күрә ул MOCVD җиһазларының төп компоненты булып тора.
Металл-органик химик пар парламенты (MOCVD) - зәңгәр LEDда GaN фильмнарының эпитаксиаль үсеше өчен төп технология. Бу гади операция, контрольдә тотыла торган үсеш темплары һәм GaN фильмнарының югары чисталыгы өстенлекләренә ия. MOCVD җиһазларының реакция палатасында мөһим компонент буларак, GaN фильм эпитаксиаль үсеше өчен кулланылган подшипник базасы югары температурага каршы тору, бердәм җылылык үткәрүчәнлеге, яхшы химик тотрыклылык, көчле җылылык шокына каршы тору өстенлекләренә ия булырга тиеш. Графит материалы очраша ала. югарыдагы шартлар.
MOCVD җиһазларының төп компонентларының берсе буларак, графит базасы - субстратның йөртүче һәм җылыту органы, ул кино материалының бердәмлеген һәм чисталыгын турыдан-туры билгели, шуңа күрә аның сыйфаты эпитаксиаль таблицаны әзерләүгә турыдан-туры тәэсир итә һәм шул ук вакытта вакыт, куллану саны арту һәм эш шартларының үзгәрүе белән, куллану өчен булган кием бик җиңел.
Графит бик яхшы җылылык үткәрүчәнлеге һәм тотрыклылыгы булса да, MOCVD җиһазларының төп компоненты буларак яхшы өстенлеккә ия, ләкин җитештерү процессында графит коррозив газлар һәм металл органикалар калдыклары аркасында порошокны бозачак, һәм хезмәт итү вакыты. графит базасы бик кимиячәк. Шул ук вакытта, төшкән графит порошогы чипның пычрануына китерәчәк.
Каплау технологиясенең барлыкка килүе җир өстендәге порошокны урнаштырырга, җылылык үткәрүчәнлеген арттырырга һәм бу проблеманы чишүнең төп технологиясенә әверелгән җылылык таратуны тигезләргә мөмкин. MOCVD җиһазларында графит базасы әйләнә-тирә мохитне куллана, графит нигез өслеге түбәндәге үзенчәлекләргә туры килергә тиеш:
(1) Графит нигезен тулысынча урап була, тыгызлыгы яхшы, югыйсә графит нигезен коррозив газда коррозияләү җиңел.
(2) Берничә югары температура һәм түбән температура циклыннан соң каплау җиңел булмасын өчен, графит базасы белән комбинация көче бик югары.
(3) temperatureгары температурада һәм коррозив атмосферада каплау уңышсызлыгы өчен яхшы химик тотрыклылык бар.
SiC коррозиягә каршы тору, югары җылылык үткәрүчәнлеге, җылылык шокына каршы тору һәм югары химик тотрыклылык өстенлекләренә ия, һәм GaN эпитаксиаль атмосферада яхшы эшли ала. Моннан тыш, SiC җылылык киңәйтү коэффициенты графитныкыннан бик аз аерылып тора, шуңа күрә SiC графит нигезенең өслек каплавы өчен өстенлекле материал.
Хәзерге вакытта гомуми SiC нигездә 3C, 4H һәм 6H тибы, һәм SiC төрле кристалл төрләрен куллану төрле. Мәсәлән, 4H-SiC югары көчле җайланмалар җитештерә ала; 6H-SiC - иң тотрыклы һәм фотоэлектр җайланмалары җитештерә ала; GaN белән охшаш структурасы булганга, 3C-SiC GaN эпитаксиаль катламын чыгару һәм SiC-GaN RF җайланмалары җитештерү өчен кулланылырга мөмкин. 3C-SiC шулай ук гадәттә β-SiC дип атала, һәм β-SiC-ны мөһим куллану - кино һәм каплау материалы, шуңа күрә β-SiC хәзерге вакытта каплау өчен төп материал булып тора.
Пост вакыты: Август-04-2023