SiC капланган графит нигезләре гадәттә металл-органик химик пар парламенты (MOCVD) җиһазларында бер кристалл субстратларны тәэмин итү һәм җылыту өчен кулланыла. Cылылык тотрыклылыгы, җылылык бердәмлеге һәм SiC капланган графит базасының башка эш параметрлары эпитаксиаль материал үсешенең сыйфатында хәлиткеч роль уйный, шуңа күрә ул MOCVD җиһазларының төп компоненты булып тора.
Вафер җитештерү процессында җайланмалар җитештерүне җиңеләйтү өчен эпитаксиаль катламнар кайбер вафер субстратларда төзелә. Типик LED яктылык җибәрүче җайланмалар кремний субстратларында GaA эпитаксиаль катламнарын әзерләргә тиеш; SiC эпитаксиаль катламы үткәргеч SiC субстратында SBD, MOSFET һ.б. кебек җайланмалар төзү өчен, югары көчәнеш, югары ток һәм башка электр кушымталары өчен үстерелә; GaN эпитаксиаль катлам HEMT һәм элемтә кебек RF кушымталары өчен бүтән җайланмалар төзү өчен ярым изоляцияләнгән SiC субстратында төзелгән. Бу процесс CVD җиһазлары белән аерылгысыз.
CVD җиһазларында субстратны турыдан-туры металлга урнаштырып булмый яки эпитаксиаль чүпләү өчен нигезгә урнаштырып булмый, чөнки ул газ агымын (горизонталь, вертикаль), температура, басым, фиксацияләү, пычраткыч матдәләр түгү һәм башка аспектларны үз эченә ала. йогынты факторлары. Шуңа күрә баз кирәк, аннары субстрат дискка урнаштырыла, аннары эпитаксиаль чүпләү CVD технологиясе ярдәмендә субстратта башкарыла, һәм бу база SiC капланган графит базасы (поднос дип тә атала).
SiC капланган графит нигезләре гадәттә металл-органик химик пар парламенты (MOCVD) җиһазларында бер кристалл субстратларны тәэмин итү һәм җылыту өчен кулланыла. Cылылык тотрыклылыгы, җылылык бердәмлеге һәм SiC капланган графит базасының башка эш параметрлары эпитаксиаль материал үсешенең сыйфатында хәлиткеч роль уйный, шуңа күрә ул MOCVD җиһазларының төп компоненты булып тора.
Металл-органик химик пар парламенты (MOCVD) - зәңгәр LEDда GaN фильмнарының эпитаксиаль үсеше өчен төп технология. Бу гади операция, контрольдә тотыла торган үсеш темплары һәм GaN фильмнарының югары чисталыгы өстенлекләренә ия. MOCVD җиһазларының реакция палатасында мөһим компонент буларак, GaN фильм эпитаксиаль үсеше өчен кулланылган подшипник базасы югары температурага каршы тору, бердәм җылылык үткәрүчәнлеге, яхшы химик тотрыклылык, көчле җылылык шокына каршы тору өстенлекләренә ия булырга тиеш. Графит материалы очраша ала. югарыдагы шартлар.
MOCVD җиһазларының төп компонентларының берсе буларак, графит базасы - субстратның йөртүче һәм җылыту органы, ул кино материалының бердәмлеген һәм чисталыгын турыдан-туры билгели, шуңа күрә аның сыйфаты эпитаксиаль таблицаны әзерләүгә турыдан-туры тәэсир итә һәм шул ук вакытта вакыт, куллану саны арту һәм эш шартларының үзгәрүе белән, куллану өчен булган кием бик җиңел.
Графит бик яхшы җылылык үткәрүчәнлеге һәм тотрыклылыгы булса да, MOCVD җиһазларының төп компоненты буларак яхшы өстенлеккә ия, ләкин җитештерү процессында графит коррозив газлар һәм металл органикалар калдыклары аркасында порошокны бозачак, һәм хезмәт итү вакыты. графит базасы бик кимиячәк. Шул ук вакытта, төшкән графит порошогы чипның пычрануына китерәчәк.
Каплау технологиясенең барлыкка килүе җир өстендәге порошокны урнаштырырга, җылылык үткәрүчәнлеген арттырырга һәм бу проблеманы чишүнең төп технологиясенә әверелгән җылылык таратуны тигезләргә мөмкин. MOCVD җиһазларында графит базасы әйләнә-тирә мохитне куллана, графит нигез өслеге түбәндәге үзенчәлекләргә туры килергә тиеш:
(1) Графит нигезен тулысынча урап була, тыгызлыгы яхшы, югыйсә графит нигезен коррозив газда коррозияләү җиңел.
(2) Берничә югары температура һәм түбән температура циклыннан соң каплау җиңел булмасын өчен, графит базасы белән комбинация көче бик югары.
(3) temperatureгары температурада һәм коррозив атмосферада каплау уңышсызлыгы өчен яхшы химик тотрыклылык бар.
SiC коррозиягә каршы тору, югары җылылык үткәрүчәнлеге, җылылык шокына каршы тору һәм югары химик тотрыклылык өстенлекләренә ия, һәм GaN эпитаксиаль атмосферада яхшы эшли ала. Моннан тыш, SiC җылылык киңәйтү коэффициенты графитныкыннан бик аз аерылып тора, шуңа күрә SiC графит нигезенең өслек каплавы өчен өстенлекле материал.
Хәзерге вакытта гомуми SiC нигездә 3C, 4H һәм 6H тибы, һәм SiC төрле кристалл төрләрен куллану төрле. Мәсәлән, 4H-SiC югары көчле җайланмалар җитештерә ала; 6H-SiC - иң тотрыклы һәм фотоэлектр җайланмалары җитештерә ала; GaN белән охшаш структурасы булганга, 3C-SiC GaN эпитаксиаль катламын чыгару һәм SiC-GaN RF җайланмалары җитештерү өчен кулланылырга мөмкин. 3C-SiC шулай ук гадәттә β-SiC дип атала, һәм β-SiC-ны мөһим куллану - кино һәм каплау материалы, шуңа күрә β-SiC хәзерге вакытта каплау өчен төп материал булып тора.
Кремний карбид каплау әзерләү ысулы
Хәзерге вакытта SiC каплауны әзерләү ысулларына, нигездә, гель-сол ысулы, урнаштыру ысулы, кисточка каплау ысулы, плазма сиптерү ысулы, химик газ реакциясе ысулы (CVR) һәм химик парны чүпләү ысулы керә.
Урнаштыру ысулы:
Бу ысул - югары температуралы каты фаза синтерингының бер төре, ул нигездә Si порошогы һәм С порошогы катнашмасын кертү порошогы итеп куллана, графит матрицасы порошокка урнаштырыла, һәм югары температураны синтерлау инерт газында үткәрелә. , һәм, ниһаять, графит матрицасы өслегендә SiC капламы алына. Процесс гади һәм каплау белән субстрат арасындагы комбинация яхшы, ләкин калынлык юнәлеше буенча каплауның бердәмлеге начар, бу күбрәк тишекләр чыгару җиңел һәм оксидлашуның начар булуына китерә.
Чиста каплау ысулы:
Чиста каплау ысулы, нигездә, сыек чималны графит матрицасы өслегендә чистарту, аннары чималны билгеле температурада дәвалау. Процесс гади һәм бәясе аз, ләкин чиста каплау ысулы белән әзерләнгән каплау субстрат белән берлектә зәгыйфь, каплау бердәмлеге начар, каплау нечкә һәм оксидлашуга каршы тору түбән, һәм ярдәм итәр өчен башка ысуллар кирәк. Бу.
Плазманы сиптерү ысулы:
Плазманы сиптерү ысулы, нигездә, эретелгән яки ярым эретелгән чималны графит матрицасы өслегенә плазма мылтыгы белән сиптерү, аннары ныгыту һәм каплау өчен бәйләү. Метод эшләү бик гади һәм чагыштырмача тыгыз кремний карбид капламасын әзерли ала, ләкин метод белән әзерләнгән кремний карбид каплавы еш кына бик зәгыйфь һәм зәгыйфь оксидлашуга каршы тора, шуңа күрә ул гадәттә SiC композит капламасын яхшырту өчен кулланыла. каплау сыйфаты.
Гель-сол ысулы:
Гель-сол ысулы, нигездә, матрицаның өслеген каплаган бердәм һәм үтә күренмәле эремә әзерләү, гельгә киптерү, аннары каплау өчен синтерлау. Бу ысул эшләү гади һәм бәясе аз, ләкин җитештерелгән каплауның кайбер җитешсезлекләре бар, мәсәлән, түбән җылылык шокына каршы тору һәм җиңел ярылу, шуңа күрә аны киң кулланып булмый.
Химик газ реакциясе (CVR):
CVR, нигездә, Si һәм SiO2 порошогын кулланып, югары температурада SiO пар чыгару өчен, һәм C материал субстратында химик реакцияләр сериясе барлыкка килә. Бу ысул белән әзерләнгән SiC капламы субстрат белән тыгыз бәйләнгән, ләкин реакция температурасы югарырак һәм бәясе югарырак.
Химик пар парламенты (CVD):
Хәзерге вакытта, CVD - субстрат өслегендә SiC каплау әзерләү өчен төп технология. Төп процесс - субстрат өслегендә газ фазасы реактив материалының физик һәм химик реакцияләре сериясе, һәм ниһаять, SiC капламы субстрат өслегендә чүпләнү белән әзерләнә. CVD технологиясе белән әзерләнгән SiC капламы субстрат өслеге белән тыгыз бәйләнгән, ул субстрат материалның оксидлашу каршылыгын һәм аблиатив каршылыгын эффектив яхшырта ала, ләкин бу ысулның чүпләнү вакыты озынрак, һәм реакция газы билгеле бер агулы. газ.
SiC капланган графит базасының базар торышы
Чит ил җитештерүчеләре иртә башлагач, аларда ачык лидерлык һәм базар өлеше зур иде. Халыкара, SiC капланган графит базасының төп тәэмин итүчеләре - Голландия Xycard, Германия SGL Carbon (SGL), Япония Тойо Карбон, АКШ MEMC һәм халыкара базарны биләгән бүтән компанияләр. Кытай графит матрицасы өслегендә SiC капламының бердәм үсешенең төп төп технологиясен бозса да, югары сыйфатлы графит матрицасы әле дә Германия SGL, Япония Тойо Карбон һәм башка предприятияләргә таяна, эчке предприятияләр биргән графит матрицасы хезмәткә тәэсир итә. термик үткәрүчәнлек, эластик модуль, каты модуль, такталар җитешсезлекләре һәм башка сыйфат проблемалары аркасында тормыш. MOCVD җиһазлары SiC капланган графит базасын куллану таләпләренә җавап бирә алмый.
Кытай ярымүткәргеч индустриясе тиз үсә, MOCVD эпитаксиаль җиһазларны локализацияләү темпының әкренләп артуы һәм башка процесс кушымталарының киңәюе белән, киләчәктә SiC капланган графит базасы продукт базары тиз үсәр дип көтелә. Беренчел промышленность бәяләве буенча, киләсе берничә елда эчке графит базары базары 500 миллион юаньдан артып китәчәк.
SiC капланган графит базасы ярымүткәргеч индустриализация җиһазларының төп компоненты, аны җитештерү һәм җитештерүнең төп технологиясен үзләштерү, һәм чимал-процесс-җиһаз сәнәгате чылбырының локализациясен тормышка ашыру зур стратегик әһәмияткә ия. Кытай ярымүткәргеч индустриясе. Эчке SiC капланган графит базасы өлкәсе үсә, продуктның сыйфаты тиздән халыкара алдынгы дәрәҗәгә чыга ала.
Пост вакыты: Июль-24-2023