Яңалыклар

  • Ни өчен тротуарлар коры эфир вакытында иеләләр?

    Ни өчен тротуарлар коры эфир вакытында иеләләр?

    Ион бомбардирасының бертөрле булмавы Коры эфир гадәттә физик һәм химик эффектларны берләштергән процесс, анда ион бомбардировкасы мөһим физик эфир ысулы. Эфирлау процессында вакыйгалар почмагы һәм ионнарның энергия бүленеше тигез булмаска мөмкин. Ион булса ...
    Күбрәк укыгыз
  • Өч уртак CVD технологиясе белән таныштыру

    Өч уртак CVD технологиясе белән таныштыру

    Химик пар парламенты (CVD) - ярымүткәргеч тармагында төрле материаллар, шул исәптән изоляцион материаллар, күпчелек металл материаллар һәм металл эретү материаллары өчен иң киң кулланылган технология. CVD - традицион нечкә фильм әзерләү технологиясе. Аның принцибы ...
    Күбрәк укыгыз
  • Алмаз башка югары көчле ярымүткәргеч җайланмаларны алыштыра аламы?

    Алмаз башка югары көчле ярымүткәргеч җайланмаларны алыштыра аламы?

    Заманча электрон җайланмаларның нигез ташы буларак, ярымүткәргеч материаллар моңарчы күрелмәгән үзгәрешләр кичерә. Бүгенге көндә, бриллиант үзенең зур потенциалын дүртенче буын ярымүткәргеч материалы итеп күрсәтә, искиткеч электр һәм җылылык үзенчәлекләре һәм экстремаль шартларда тотрыклылыгы белән ...
    Күбрәк укыгыз
  • CMP планаризация механизмы нәрсә ул?

    CMP планаризация механизмы нәрсә ул?

    Dual-Damascene - интеграль схемаларда металл үзара бәйләнешләр җитештерү өчен кулланыла торган процесс технологиясе. Бу Дамаск процессының алга таба үсеше. Бер үк процесс адымында тишекләр һәм трубкалар аша формалашып, аларны металл белән тутырып, интеграль җитештерү м ...
    Күбрәк укыгыз
  • TaC каплавы белән графит

    TaC каплавы белән графит

    I. Процесс параметрларын тикшерү 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar системасы 2. Чокыр температурасы: Термодинамик формула буенча, температура 1273Ктан артканда, Гиббсның реакциянең ирекле энергиясе бик түбән һәм реакция чагыштырмача тулы. Rea ...
    Күбрәк укыгыз
  • Кремний карбид кристалл үсеш процессы һәм җиһаз технологиясе

    Кремний карбид кристалл үсеш процессы һәм җиһаз технологиясе

    1. SiC кристалл үсеш технологиясе маршруты PVT (сублимация ысулы), HTCVD (югары температура CVD), LPE (сыек фаза ысулы) өч киң таралган SiC кристалл үсеш ысулы; Тармакта иң танылган ысул - PVT ысулы, һәм SiC бер кристаллның 95% тан артыгы PVT тарафыннан үстерелә ...
    Күбрәк укыгыз
  • Кремний углеродлы композит материалларны әзерләү һәм эшне яхшырту

    Кремний углеродлы композит материалларны әзерләү һәм эшне яхшырту

    Литий-ион аккумуляторлары, нигездә, югары энергия тыгызлыгы юнәлешендә үсә. Бүлмә температурасында кремнийга нигезләнгән тискәре электрод материаллары литий белән литийга бай продукт җитештерү өчен Li3.75Si фазасы, билгеле сыйдырышлыгы 3572 mAh / g га кадәр, бу теориядән күпкә югарырак ...
    Күбрәк укыгыз
  • Бер кристалл кремнийның җылылык оксидлашуы

    Бер кристалл кремнийның җылылык оксидлашуы

    Кремний өслегендә кремний диоксиды формалашу оксидлашу дип атала, һәм тотрыклы һәм нык ябыштырылган кремний диоксиды барлыкка китерү кремний интеграль схема планар технологиясе барлыкка килүенә китерде. Кремний газын силико өслегендә үстерүнең күп ысуллары булса да ...
    Күбрәк укыгыз
  • Фан-вафер-дәрәҗә упаковка өчен UV эшкәртү

    Фан-вафер-дәрәҗә упаковка өчен UV эшкәртү

    Ван вафер дәрәҗәсендәге упаковка (FOWLP) - ярымүткәргеч тармагында чыгымлы ысул. Ләкин бу процессның типик ягы - чип һәм офсет. Вафин дәрәҗәсен һәм панель дәрәҗәсендәге җанатарларны өзлексез камилләштерүгә карамастан, формалаштыру белән бәйле бу сораулар әле дә ...
    Күбрәк укыгыз
WhatsApp Онлайн Чат!