Яңа ысул нык транзисторлар бирә: SiC субстратларында AlN нуклеяция катламнарының трансморфик эпитаксиаль үсүе, югары GaN транзисторлары өчен - ScienceDaily

Ярымүткәргеч катламнарын берничә нанометр кебек нечкә итеп урнаштыруның яңа ысулы фәнни ачышка гына түгел, ә көчле электрон җайланмалар өчен яңа транзисторга китерде. Гамәли физика хатларында басылган нәтиҗә зур кызыксыну уятты.

Бу казаныш - Линкопинг университеты галимнәре һәм SweGaN, LiU материаллар фәнни тикшеренүләр компаниясенең тыгыз хезмәттәшлеге нәтиҗәсе. Компания галий нитридыннан махсус электрон компонентлар җитештерә.

Галий нитриды, GaN, ярымүткәргеч, эффектив яктылык җибәрүче диодлар өчен кулланыла. Бу, шулай ук, транзисторлар кебек башка кушымталарда да файдалы булырга мөмкин, чөнки ул башка ярымүткәргечләргә караганда югарырак температурага һәм агымдагы көчләргә каршы тора ала. Бу киләчәк электрон компонентлар өчен мөһим үзенчәлекләр, ким дигәндә электр машиналарында кулланылганнар өчен.

Галиум нитрид парлары кремний карбид вафасына конденсацияләнергә рөхсәт ителә, нечкә каплау ясый. Бер кристалл материалның икенчесенең субстратында үстерелү ысулы "эпитакси" дип атала. Бу ысул ярымүткәргеч тармагында еш кулланыла, чөнки ул кристалл структурасын да, формалашкан нанометр фильмының химик составын да билгеләүдә зур ирек бирә.

Галий нитрид, GaN, һәм кремний карбид, SiC (икесе дә көчле электр кырларына каршы тора ала) кушылуы, схемаларның югары көч кирәк булган кушымталар өчен яраклы булуын тәэмин итә.

Ике кристалл материал, галий нитрид һәм кремний карбид арасындагы өслеккә яраклашу начар. Атомнар бер-берсенә туры килми, бу транзисторның уңышсызлыгына китерә. Бу тикшеренүләр белән чишелде, соңрак коммерция чишелешенә китерде, анда ике катлам арасында алюминий нитридның нечкә катламы урнаштырылган.

SweGaN инженерлары очраклы рәвештә аларның транзисторлары көткәннән зуррак көч көчләрен кичерә алуларын сизделәр, һәм ни өчен башта аңлый алмадылар. .Авапны атом дәрәҗәсендә табып була - компонентлар эчендә ике критик арада.

LiU һәм SweGaN тикшерүчеләре, LiU'ның Ларс Хултман һәм Джун Лу җитәкчелегендә, Гамәли физика хатларында феноменга аңлатма бирәләр, һәм югары көчәнешләргә каршы торырлык зуррак сәләтле транзисторлар җитештерү ысулын тасвирлыйлар.

Галимнәр элек билгеле булмаган эпитаксиаль үсеш механизмын ачтылар, алар "трансморфик эпитаксиаль үсеш" дип атадылар. Төрле катламнар арасындагы киеренкелек атомның ике катламы аша әкренләп үзләштерелә. Димәк, алар кремний карбидында ике катлам, галлий нитрид һәм алюминий нитрид үстерә алалар, атом дәрәҗәсендә катламнарның бер-берсе белән бәйләнешен контрольдә тоталар. Лабораториядә алар 1800 V га кадәр материалның югары көчәнешкә каршы торуларын күрсәттеләр. Әгәр мондый көчәнеш кремний нигезендәге компонент аша урнаштырылса, очкыннар очып китә һәм транзистор юкка чыгачак.

“Без SweGaN-ны котлыйбыз, алар уйлап табуны базарлый башлыйлар. Бу нәтиҗәле хезмәттәшлекне һәм тикшеренү нәтиҗәләрен җәмгыятьтә куллануны күрсәтә. Хәзерге компаниядә эшләүче элеккеге хезмәттәшләребез белән тыгыз элемтәдә торуыбыз аркасында, безнең тикшеренүләр тиз арада академик дөньядан читтә дә йогынты ясый, "Ларс Хултман әйтә.

Линкопинг университеты тарафыннан бирелгән материаллар. Оригиналь Моника Вестман Свенсельий язган. Искәрмә: Эчтәлек стиль һәм озынлык өчен үзгәртелергә мөмкин.

ScienceDaily-ның бушлай электрон почта хәбәрләре белән көн саен һәм атна саен яңартыла торган соңгы яңалыклар алыгыз. Яисә RSS укучыгызда сәгать саен яңартылган яңалыкларны карагыз:

ScienceDaily турында нәрсә уйлаганыгызны әйтегез - без уңай һәм тискәре аңлатмаларны хуплыйбыз. Сайтны куллануда проблемалар бармы? Сораулар?


Пост вакыты: 11-2020 май
WhatsApp Онлайн Чат!