Химик парны чүпләү (CVD) - мөһим нечкә пленка туплау технологиясе, еш төрле функциональ фильмнар һәм нечкә катлам материаллар әзерләү өчен кулланыла, һәм ярымүткәргеч җитештерүдә һәм башка өлкәләрдә киң кулланыла.
1. CVD эш принцибы
CVD процессында газ прекурсоры (бер яки берничә газлы прекурсор кушылмалары) субстрат өслеге белән контактка кертелә һәм билгеле температурада җылытыла, химик реакция тудыра һәм субстрат өслегендә кирәкле фильм яки каплау барлыкка килә. катлам. Бу химик реакция продукты каты, гадәттә кирәкле материалның кушылмасы. Әгәр дә без кремнийны өскә ябыштырырга телибез икән, без трихлоросиланны (SiHCl3) прекурсор газы итеп куллана алабыз: SiHCl3 → Si + Cl2 + HCl Кремний теләсә нинди ачыкланган өслеккә бәйләнәчәк (эчке һәм тышкы), ә хлор һәм гидрохлор кислотасы газлары. палатадан чыгарылырга.
2. CVD классификациясе
Rылылык CVD: Прекурсор газын җылытып, аны субстрат өслегенә куярга. Плазма көчәйтелгән CVD (PECVD): реакция тизлеген арттыру һәм чүпләү процессын контрольдә тоту өчен җылылык CVDга плазма кушыла. Металл Органик CVD (MOCVD): металл органик кушылмаларны прекурсор газлары итеп куллану, металл һәм ярымүткәргечләрнең нечкә пленкалары әзерләнергә мөмкин, һәм еш кына LED кебек җайланмалар җитештерүдә кулланыла.
3. Кушымта
(1) Ярымүткәргеч җитештерү
Силицид пленкасы: изоляцион катламнар, субстратлар, изоляция катламнары һ.б. әзерләү өчен кулланыла. Нитрид пленкасы: кремний нитридын, алюминий нитридын һ.б. катламнар һ.б.
2) Технологияне күрсәтү
ITO фильмы: Ачык үткәргеч оксид пленкасы, гадәттә яссы панель дисплейларында һәм сенсорлы экраннарда кулланыла. Бакыр пленка: дисплей җайланмаларының эшләвен яхшырту өчен, төрү катламнарын, үткәргеч линияләрне һ.б. әзерләү өчен кулланыла.
3) Башка кырлар
Оптик капламалар: анти-рефектив капламалар, оптик фильтрлар һ.б. коррозиягә каршы каплау: автомобиль детальләрендә, аэрокосмик җайланмаларда һ.б.
4. CVD процессына характеристика
Реакция тизлеген күтәрү өчен югары температура мохитен кулланыгыз. Гадәттә вакуум мохитендә башкарыла. Партия өслегендәге пычраткыч матдәләр буяганчы бетерелергә тиеш. Бу процесс капланган субстратларда чикләүләр булырга мөмкин, ягъни температура чикләүләре яки реактивлык чикләүләре. CVD капламы өлешнең барлык өлкәләрен, шул исәптән җепләр, сукыр тишекләр һәм эчке өслекләрне үз эченә ала. Билгеле максат өлкәләрен масклау мөмкинлеген чикләргә мөмкин. Фильм калынлыгы процесс һәм матди шартлар белән чикләнә. Supгары ябышу.
5. CVD технологиясенең өстенлекләре
Бердәмлек: зур мәйдан субстратлары өстендә бердәм чүплеккә ирешә белү.
Контрольлек: чокырның тизлеге һәм пленка үзлекләре прекурсор газының агым тизлеген һәм температурасын контрольдә тотып көйләнергә мөмкин.
Күпкырлылыгы: металл, ярымүткәргеч, оксид һ.б. кебек төрле материалларны урнаштыру өчен яраклы.
Пост вакыты: 06-2024 май