Өченче буын ярымүткәргечләр, галий нитрид (GaN) һәм кремний карбид (SiC) белән күрсәтелгән, искиткеч үзенчәлекләре аркасында тиз үсеш алган. Ләкин, бу потенциалны табу, аларның эффективлыгын һәм ышанычлылыгын оптимальләштерү өчен, бу приборларның параметрларын һәм характеристикаларын ничек төгәл үлчәргә, югары төгәл үлчәү җиһазлары һәм профессиональ ысуллар таләп ителә.
Кремний карбид (SiC) һәм галий нитрид (GaN) белән күрсәтелгән киң буын киңлеге (WBG) материаллары киң кулланыла бара. Электрик яктан, бу матдәләр кремнийга һәм башка типик ярымүткәргеч материалларга караганда изоляторларга якынрак. Бу матдәләр кремний чикләүләрен җиңәр өчен эшләнгән, чөнки ул тар полосалы материал, шуңа күрә температура, көчәнеш яки ешлык арта барган саен ачыклана торган электр үткәрүчәнлегенең начар агып китүенә китерә. Бу агып чыгу өчен логик чик - контрольсез үткәрүчәнлек, ярымүткәргечнең эшләмәвенә тиң.
Бу ике киң тасма аермасы материалларыннан, GaN, нигездә, 1 кВ һәм 100 Адан түбән энергияне куллану схемалары өчен яраклы, GaN өчен мөһим үсеш өлкәсе - аны LED яктыртуда куллану, ләкин башка аз энергия куллануда үсү. автомобиль һәм RF элемтә кебек. Киресенчә, SiC тирәсендәге технологияләр GaNга караганда яхшырак эшләнгән һәм электр машиналарын тарту инвертерлары, электр тапшыру, эре HVAC җиһазлары, сәнәгать системалары кебек югары энергия кушымталарына яхшырак туры килә.
SiC җайланмалары югары көчәнешләрдә, күчү ешлыкларында һәм Si MOSFETларга караганда югарырак температурада эшләргә сәләтле. Бу шартларда SiC югары җитештерүчәнлеккә, эффективлыкка, көч тыгызлыгына һәм ышанычлылыгына ия. Бу өстенлекләр дизайнерларга көчлерәк конвертерларның күләмен, авырлыгын һәм бәясен киметергә булыша, аеруча авиация, хәрби һәм электр машиналары кебек керемле базар сегментларында.
SiC MOSFETлар киләсе буын энергия конверсия җайланмалары үсешендә мөһим роль уйныйлар, чөнки кечкенә компонентларга нигезләнгән конструкцияләрдә зур энергия эффективлыгына ирешә алалар. Смена шулай ук инженерлардан электр электроникасын булдыру өчен традицион рәвештә кулланылган кайбер дизайн һәм сынау техникасын яңадан карарга тиеш.
Катгый сынауга сорау арта
SiC һәм GaN җайланмаларының потенциалын тулысынча аңлар өчен, эффективлыкны һәм ышанычлылыкны оптимальләштерү өчен күчү вакытында төгәл үлчәүләр кирәк. SiC һәм GaN ярымүткәргеч җайланмалары өчен сынау процедуралары бу җайланмаларның югары эш ешлыкларын һәм көчәнешләрен исәпкә алырга тиеш.
Сынау һәм үлчәү коралларын эшләү, мәсәлән, үзенчәлекле функция генераторлары (AFG), осиллоскоплар, чыганак үлчәү берәмлеге (SMU) кораллары, параметр анализаторлары, электр дизайны инженерларына тизрәк көчлерәк нәтиҗәләргә ирешергә булыша. Бу җиһазны яңарту аларга көндәлек авырлыкларны җиңәргә булыша. "Электр энергиясен инженерлар өчен күчү югалтуларын киметү зур проблема булып кала бирә", диде Тек / Гишилидагы электр белән тәэмин итү маркетингы начальнигы Джонатан Такер. Бу конструкцияләр эзлеклелекне тәэмин итү өчен катгый үлчәнергә тиеш. Төп үлчәү техникасының берсе икеләтә импульс тесты (DPT) дип атала, бу MOSFET яки IGBT электр җайланмаларының күчү параметрларын үлчәү өчен стандарт ысул.
SiC ярымүткәргечнең ике импульс сынавын башкару өчен көйләү үз эченә ала: MOSFET челтәрен йөртү өчен функция генераторы; Осиллоскоп һәм VDS һәм ID үлчәү өчен анализ программасы. Ике импульслы тестка өстәп, ягъни схема дәрәҗәсен сынаудан тыш, материаль дәрәҗә тесты, компонент дәрәҗәсен сынау һәм система дәрәҗәсен сынау бар. Тест коралларындагы яңалыклар дизайн инженерларына тормыш циклының барлык этапларында энергия конверсия җайланмалары өстендә эшләргә мөмкинлек бирде, алар катгый дизайн таләпләренә туры килә ала.
Норматив үзгәрешләргә һәм соңгы кулланучылар җиһазларына яңа технологик ихтыяҗларга җавап итеп, җиһазларны аттестацияләргә әзер булу, электр җитештерүдән алып электр машиналарына кадәр, электр электроникасы өстендә эшләүче компанияләргә өстәмә кыйммәтле инновацияләргә игътибар итергә һәм киләчәктә үсеш өчен нигез салырга мөмкинлек бирә.
Пост вакыты: 27-2023 март