SiC бер кристалл - группа IV-IV катнаш ярымүткәргеч материал, Si һәм C ике элементтан тора, стохиометрик нисбәттә 1: 1. Аның катылыгы бриллианттан соң икенче урында.
SiC әзерләү өчен кремний оксиды ысулының углерод кимүе нигездә түбәндәге химик реакция формуласына нигезләнә:
Кремний оксидының углеродны киметү реакциясе процессы чагыштырмача катлаулы, анда реакция температурасы соңгы продуктка турыдан-туры тәэсир итә.
Кремний карбидын әзерләү процессында чимал башта каршылык миченә урнаштырыла. Каршылык миче ике очында да диварлардан тора, үзәктә графит электрод, һәм мич үзәге ике электродны тоташтыра. Мич үзәгенең перифериясендә реакциядә катнашкан чимал башта урнаштырыла, аннары җылылыкны саклау өчен кулланылган материаллар перифериягә урнаштырыла. Эретү башлангач, каршылык миче энергияләнә һәм температура 2600 дән 2700 градуска кадәр күтәрелә. Электр җылылык энергиясе мич үзәге аша корылмага күчерелә, әкренләп җылытыла. Корылманың температурасы 1450 градустан артканда, кремний карбид һәм углерод газы чыгару өчен химик реакция барлыкка килә. Эретү процессы дәвам иткәндә, корылмадагы югары температура мәйданы әкренләп киңәячәк, һәм барлыкка килгән кремний карбид күләме дә артачак. Кремний карбид мичтә өзлексез формалаша, һәм парга әйләнү һәм хәрәкәт аркасында кристалллар әкренләп үсә һәм ахыр чиктә цилиндрик кристалларга җыела.
Кристаллның эчке стенасының бер өлеше югары температура 2600 градустан артканга таркала башлый. Черүдән ясалган кремний элементы корылмадагы углерод элементы белән берләшеп, яңа кремний карбидын барлыкка китерәчәк.
Кремний карбидының (SiC) химик реакциясе беткәч һәм мич суынгач, киләсе адым башланырга мөмкин. Башта мич стеналары сүтелә, аннары мичтәге чимал сайлап алына һәм катлам буенча дәрәҗәгә китерелә. Сайланган чимал без теләгән гранул материалны алу өчен изелә. Аннары, чималдагы пычраклар су юу яки кислота һәм эшкәртү эремәләре белән чистарту, шулай ук магнит аеру һәм башка ысуллар белән чыгарыла. Чистартылган чималны киптерергә, аннары яңадан тикшерергә кирәк, һәм ниһаять, силикон карбид порошогын алырга мөмкин. Кирәк булса, бу порошоклар кремний карбид порошогын җитештерү өчен формалаштыру яки нечкә тарту кебек реаль куллану буенча эшкәртелергә мөмкин.
Конкрет адымнар түбәндәгечә:
(1) Чимал
Яшел кремний карбид микро порошогы яшел кремний карбидын изеп җитештерелә. Кремний карбидының химик составы 99% тан, ирекле углерод һәм тимер оксиды 0,2% тан ким булырга тиеш.
2) Сынган
Кремний карбид комын яхшы порошокка бәрү өчен, хәзерге вакытта Кытайда ике ысул кулланыла, берсе - арада дым туп комбинаты, икенчесе һава агымы порошогы тегермәне ярдәмендә изелә.
3) Магнит аеру
Кремний карбид порошогын нечкә порошокка бәрү өчен нинди ысул кулланылса да, гадәттә дымлы магнит аеру һәм механик магнит аеру кулланыла. Чөнки дымлы магнитны аеру вакытында тузан юк, магнит материаллары бөтенләй аерылган, магнит аерылганнан соң продуктта тимер аз, һәм магнит материаллары алган кремний карбид порошогы да азрак.
(4) Су аеру
Суны аеру ысулының төп принцибы - кремний карбид кисәкчәләренең судагы төрле диаметрлы төрле тизлекләрен куллану, кисәкчәләр зурлыгын сортлау өчен.
(5) УЗИ тикшерү
УЗИ технологиясе үсеше белән, ул шулай ук микро-порошок технологиясенең УЗИ скринкасында киң кулланылды, ул нигездә көчле adsorption, җиңел агломерация, югары статик электр, югары нечкәлек, югары тыгызлык, җиңел тарту кебек скринка проблемаларын чишә ала. .
(6) Сыйфатны тикшерү
Микроподерның сыйфатын тикшерү химик составны, кисәкчәләр күләмен һәм башка әйберләрне үз эченә ала. Тикшерү ысуллары һәм сыйфат стандартлары өчен зинһар, "Кремний Карбид Техник шартлары" на мөрәҗәгать итегез.
(7) Тузан тарту
Микро порошок төркемләнгәннән һәм тикшерелгәннән соң, материал башын тарту порошогын әзерләү өчен кулланырга мөмкин. Тегермән порошогы җитештерү калдыкларны киметергә һәм продукт чылбырын киңәйтергә мөмкин.
Пост вакыты: 13-2024 май