Ачыкланганнан бирле кремний карбид киң игътибарны җәлеп итә. Кремний карбид ярты Si атомыннан һәм ярты С атомыннан тора, алар sp3 гибрид орбиталларын бүлешкән электрон парлар аша ковалент бәйләнешләр белән тоташтырылган. Бер кристаллның төп структур берәмлегендә дүрт Si атомы даими тетрэдр структурасында урнаштырылган, һәм C атомы гадәти тетрадрон үзәгендә урнашкан. Киресенчә, Si атомын шулай ук тетрадрон үзәге итеп карарга мөмкин, шуның белән SiC4 яки CSi4 барлыкка килә. Тетрэдр структурасы. SiC-та ковалент бәйләнеше бик ионлы, һәм кремний-углерод бәйләнеше энергиясе бик югары, якынча 4,47eV. Аз энергия туплау аркасында кремний карбид кристаллары үсеш процессында төрле политипларны җиңел ясыйлар. 200 дән артык билгеле политип бар, аларны өч зур категориягә бүлеп була: куб, алты почмаклы һәм тригональ.
Хәзерге вакытта SiC кристаллларының төп үсеш ысулларына физик парны ташу методы (ПВТ ысулы), югары температуралы химик пар парламенты (HTCVD ысулы), сыек фаза методы һ.б. керә, алар арасында PVT ысулы җитлеккән һәм сәнәгать өчен кулайрак. массакүләм җитештерү. ?
ПВТ ысулы - SiC орлык кристалларын кристаллның өстенә кую, һәм SiC порошогын чимал итеп кристалл төбенә кую. Highгары температура һәм түбән басымның ябык мохитендә, SiC порошогы сублиматлаша һәм температура градиенты һәм концентрация аермасы тәэсирендә өскә күтәрелә. Аны орлык кристаллына якынайту, аннары суперсатуратланган хәлгә җиткәч, аны рестрализацияләү ысулы. Бу ысул SiC кристалл зурлыгының һәм махсус кристалл формаларының контроль үсешенә ирешә ала. ?
Ләкин, SiC кристалларын үстерү өчен PVT ысулын куллану, озак вакытлы үсеш процессында һәрвакыт тиешле үсеш шартларын саклауны таләп итә, югыйсә ул краска сыйфатын тәэсир итәрлек тактаны бозуга китерәчәк. Ләкин, SiC кристаллларының үсеше ябык мәйданда тәмамлана. Мониторингның эффектив ысуллары һәм үзгәрүчәннәре аз, шуңа күрә процесс белән идарә итү авыр.
ПВТ ысулы белән SiC кристалларын үстерү процессында адым агымының үсеш режимы (Адым агымының үсеше) бер кристалл формасының тотрыклы үсеше өчен төп механизм булып санала.
Парланган Si атомнары һәм С атомнары кристалл өслеге атомнары белән бәйләнешкә керәчәкләр, алар нуклеяцияләнәчәкләр һәм үсәчәкләр, һәм һәр адым параллель рәвештә алга китәләр. Кристалл өслегендәге адым киңлеге адатомнарның диффузиясез юлыннан күпкә артканда, күп санлы адатомнар агломерат булырга мөмкин, һәм формалашкан ике үлчәмле утрауга охшаган үсеш режимы адым агымының үсеш режимын юкка чыгарачак, нәтиҗәдә 4H югалу. Кристалл структурасы турында мәгълүмат, күп кимчелекләргә китерә. Шуңа күрә процесс параметрларын көйләү өслек адым структурасы контроленә ирешергә тиеш, шуның белән полиморфик җитешсезлекләр тудыруны басарга, бер кристалл формасын алу максатына ирешергә һәм ахыр чиктә югары сыйфатлы кристаллар әзерләргә тиеш.
Иң элек эшләнгән SiC кристаллының үсеш ысулы буларак, физик парларны ташу ысулы хәзерге вакытта SiC кристалларын үстерү өчен иң төп үсеш ысулы булып тора. Башка ысуллар белән чагыштырганда, бу ысул үсеш җиһазларына түбән таләпләргә ия, гади үсеш процессы, көчле контрольлек, чагыштырмача җентекләп үсеш тикшеренүләре, һәм инде сәнәгать кулланылышына иреште. HTCVD ысулының өстенлеге шунда ки, ул үткәргеч (n, p) һәм югары чисталык ярым изоляцион ваферлар үстерә ала, һәм допинг концентрациясен контрольдә тота, вафердагы ташучы концентрациясе 3 × 1013 ~ 5 × 1019 арасында көйләнә ала. / см3. Кимчелекләр - югары техник бусага һәм түбән базар өлеше. Сыек фазалы SiC кристалл үсеш технологиясе җитлеккән саен, ул киләчәктә бөтен SiC индустриясен алга җибәрүдә зур потенциалны күрсәтәчәк һәм SiC кристалл үсешендә яңа ачыш ноктасы булыр.
Пост вакыты: 16-2024 апрель