BCD процессы

BCD процессы нәрсә ул?

BCD процессы - бер чиплы интеграль процесс технологиясе, ул беренче тапкыр 1986-нчы елда кертелгән. Бу технология биполяр, CMOS һәм DMOS җайланмаларын бер чипта ясый ала. Аның тышкы кыяфәте чип мәйданын бик киметә.

BCD процессы Биполяр йөртү сәләтенең өстенлекләрен тулысынча куллана, CMOS югары интеграция һәм аз энергия куллану, һәм DMOS югары көчәнеш һәм югары ток сыйдырышлыгы. Алар арасында DMOS көчен һәм интеграцияне яхшырту өчен ачкыч. Интеграль челтәр технологиясенең алга таба үсеше белән, BCD процессы PMICның төп җитештерү технологиясенә әверелде.

BCD процессы кисемтә схемасы, чыганак челтәре, рәхмәт

BCD процессының өстенлекләре

BCD процессы бер үк чипта Биполяр җайланмаларны, CMOS җайланмаларын һәм DMOS электр җайланмаларын ясый, биполяр җайланмаларның югары транскондуктивлыгын һәм көчле йөк йөртү сәләтен һәм CMOSның югары интеграциясен һәм аз энергия куллануны берләштерә. бер-берсенә һәм тиешле өстенлекләренә тулы уен бирергә; шул ук вакытта, DMOS бик аз энергия куллану белән күчү режимында эшли ала. Кыскасы, аз энергия куллану, югары энергия эффективлыгы һәм югары интеграция - BCD-ның төп өстенлекләренең берсе. BCD процессы энергия куллануны сизелерлек киметергә, системаның эшләвен яхшыртырга һәм ышанычлырак булырга мөмкин. Электрон продуктларның функцияләре көннән-көн арта, һәм көчәнеш үзгәрүенә, конденсаторны саклауга һәм батареяның гомер озынлыгына таләпләр көннән-көн мөһимрәк булып китә. BCD-ның югары тизлекле һәм энергия саклаучы характеристикалары югары җитештерүчән аналог / энергия белән идарә итү чиплары өчен процесс таләпләренә туры килә.

BCD процессының төп технологияләре

BCD процессының типик җайланмалары түбән көчәнешле CMOS, югары көчәнешле MOS трубалары, төрле вольтлы LDMOS, вертикаль NPN / PNP һәм Шоттки диодлары һ.б.ны үз эченә ала. Кайбер процесслар шулай ук ​​JFET һәм EEPROM кебек җайланмаларны берләштерәләр, нәтиҗәдә күптөрлелек. BCD процессындагы җайланмалар. Шуңа күрә, дизайнда югары көчәнешле җайланмаларның һәм аз көчәнешле җайланмаларның, икеләтеп басу процессларының һәм CMOS процессларының һ.б. туры килүен исәпкә алу белән, тиешле изоляция технологиясе дә каралырга тиеш.

BCD изоляция технологиясендә бер-бер артлы изоляция, үз-үзен изоляцияләү һәм диэлектрик изоляция кебек күп технологияләр барлыкка килде. Чишелешне изоляцияләү технологиясе - җайланманы P тибындагы субстратның N тибындагы эпитаксиаль катламда ясау һәм изоляциягә ирешү өчен PN чишелешенең кире характеристикаларын куллану, чөнки PN узышы кире якта бик югары каршылыкка ия.

Selfз-үзен изоляцияләү технологиясе асылда PN чишелешен изоляцияләү, ул изоляциягә ирешү өчен җайланманың чыганагы һәм дренаж өлкәләре һәм субстрат арасындагы табигый PN тоташу үзенчәлекләренә таяна. MOS трубасы кабызылганда, чыганак төбәге, дренаж өлкәсе һәм канал тузган төбәк белән әйләндереп алынган, субстраттан изоляция ясыйлар. Сүндерелгәндә, дренаж өлкәсе белән субстрат арасындагы PN тоташуы кире якка, һәм чыганак төбәгенең югары көчәнеше бетү өлкәсе белән изоляцияләнә.

Диэлектрик изоляция изоляциягә ирешү өчен кремний оксиды кебек изоляцион медиа куллана. Диэлектрик изоляциягә һәм тоташу изоляциясенә нигезләнеп, квази-диэлектрик изоляция икесенең дә өстенлекләрен берләштереп эшләнде. Aboveгарыда күрсәтелгән изоляция технологиясен сайлап, югары көчәнешле һәм аз көчәнешле яраклашуга ирешеп була.

BCD процессының үсеш юнәлеше

BCD процесс технологиясен үстерү стандарт CMOS процессына охшамый, ул һәрвакыт Мур законын үтәп, кечерәк сызык киңлеге һәм тизрәк тизлек юнәлешендә үсеш ала. BCD процессы якынча дифференциацияләнә һәм өч юнәлештә эшләнә: югары көчәнеш, югары көч һәм югары тыгызлык.

1. BCгары көчәнешле BCD юнәлеше

Dгары көчәнешле BCD бер үк чипта югары ышанычлы түбән көчәнешле контроль схемалар һәм ультра югары көчәнешле DMOS дәрәҗәсендәге схемалар җитештерә ала, һәм 500-700В югары көчәнешле җайланмалар җитештерүне тормышка ашыра ала. Ләкин, гомумән алганда, BCD электр приборларына, аеруча BJT яки югары агымлы DMOS җайланмаларына чагыштырмача зур таләпләр булган продуктлар өчен яраклы, һәм электрон яктыртуда һәм сәнәгать кушымталарында электр контроле өчен кулланылырга мөмкин.

BCгары көчәнешле BCD җитештерү өчен хәзерге технология - Appel һ.б. тәкъдим иткән RESURF технологиясе. deviceайланма җиңел допедланган эпитаксиаль катлам ярдәмендә ясала, электр кырын тарату яссылык ясый, шуның белән өслекнең өзелү характеристикаларын яхшырта, шулай итеп ватылу өслек урынына организмда була, шуның белән җайланманың өзелү көчәнешен арттыра. Якты допинг - BCD ватылу көчәнешен арттыру өчен тагын бер ысул. Ул, нигездә, икеләтә таралган DDD дренажын (икеләтә допинг дренаҗы) һәм җиңел допедлы дренаж LDD (җиңел допинг дренаҗы) куллана. DMOS дренаж өлкәсендә N + дренаж өлкәсе N + дренаж белән P тибындагы субстрат арасындагы оригиналь контактны N-дренаж һәм P тибындагы субстрат арасындагы контактка үзгәртү өчен өстәлә, шуның белән өзелү көчәнеше арта.

2. BCгары көчле BCD юнәлеше

BCгары көчле BCD көчәнеш диапазоны 40-90В, һәм ул, нигездә, югары ток йөртү сәләтен, урта көчәнешне һәм гади контроль схемаларын таләп итүче автомобиль электроникасында кулланыла. Аның таләп характеристикалары - югары ток йөртү сәләте, урта көчәнеш, һәм контроль схема еш кына гади.

3. Dгары тыгызлыктагы BCD юнәлеше

Dгары тыгызлыктагы BCD, көчәнеш диапазоны 5-50В, һәм кайбер автомобиль электроникасы 70Вка җитәчәк. Бер үк чипта тагын да катлаулырак һәм төрле функцияләр интеграцияләнергә мөмкин. Dгары тыгызлыктагы BCD продуктны диверсификацияләүгә ирешү өчен кайбер модульле дизайн идеяларын кабул итә, нигездә автомобиль электроникасы кушымталарында кулланыла.

BCD процессының төп кушымталары

BCD процессы энергия белән идарә итүдә (көч һәм батарея белән идарә итү), дисплей, автомобиль электроникасы, сәнәгать контроле һ.б. киң кулланыла. Энергия белән идарә итү чипы (PMIC) - аналог чипларның мөһим төрләренең берсе. BCD процессы һәм SOI технологияләренең берләшүе шулай ук ​​BCD процессының төп үзенчәлеге.

VET-Китай 30 көн эчендә графит өлешләрен, йомшак катлам, кремний карбид өлешләрен, cvD кремний карбид өлешләрен, һәм sic / Tac капланган өлешләр белән тәэмин итә ала.
Әгәр дә сез югарыдагы ярымүткәргеч продуктлары белән кызыксынасыз икән, зинһар, безнең белән беренче тапкыр элемтәгә керергә курыкмагыз.

Телефон: + 86-1891 1596 392
WhatsAPP: 86-18069021720
Электрон почта:yeah@china-vet.com