Кояш фотоволтаик энергия җитештерү дөньяда иң перспективалы яңа энергия индустриясенә әверелде. Полисиликон һәм аморф кремний кояш күзәнәкләре белән чагыштырганда, монокристалл кремний, фотоволтаик энергия җитештерү материалы буларак, югары фотоэлектрик конверсия эффективлыгы һәм күренекле коммерция өстенлекләренә ия, һәм кояш фотоволтаик энергия җитештерүнең төп агымына әверелде. Чохральски (CZ) - монокристалл кремний әзерләү өчен төп ысулларның берсе. Чохральски монокристалл мич составына мич системасы, вакуум системасы, газ системасы, җылылык кыры һәм электр белән идарә итү системасы керә. Rылылык кыры системасы - монокристалл кремний үсеше өчен иң мөһим шартларның берсе, һәм монокристалл кремнийның сыйфаты җылылык кырының температурасы градиент бүленеше белән турыдан-туры тәэсир итә.
Rылылык кыры компонентлары, нигездә, углерод материалларыннан (графит материаллары һәм углерод / углерод композицион материаллары) тора, алар ярдәм функцияләренә, функциональ өлешләргә, җылыту элементларына, саклагыч өлешләргә, җылылык изоляциясе материалларына һ.б. 1-нче рәсемдә күрсәтелгән. Монокристалл кремнийның күләме арта барган саен, җылылык кыры компонентларына зурлык таләпләре дә арта. Карбон / углерод композицион материаллары монокристалл кремний өчен җылылык кыры материаллары өчен беренче сайлау булып тора, аның үлчәмле тотрыклылыгы һәм искиткеч механик үзенчәлекләре аркасында.
Czochralcian монокристалл кремний процессында кремний материалының эрүе кремний парларын һәм эретелгән кремний чәчүне барлыкка китерәчәк, нәтиҗәдә углерод / углерод җылылык кыры материалларының кремний эрозиясе барлыкка килә, һәм углерод / углерод җылылык кыр материалларының механик үзлекләре һәм хезмәт вакыты. җитди йогынты ясады. Шуңа күрә, углерод / углерод җылылык кыры материалларының кремний эрозиясен киметү һәм аларның хезмәт итү вакытын яхшырту монокристалл кремний җитештерүчеләре һәм углерод / углерод җылылык кыры материаллары җитештерүчеләрнең гомуми проблемаларының берсе булды.Кремний карбид каплаууглерод / углерод җылылык кыры материалларын өслек каплау өчен иң яхшы җылылык шокына һәм киемгә каршы тору аркасында беренче сайлау булды.
Бу кәгазьдә, монокристалл кремний җитештерүдә кулланылган углерод / углерод җылылык кыры материалларыннан башлап, кремний карбид каплауның төп әзерләү ысуллары, өстенлекләре һәм кимчелекләре кертелә. Шул нигездә, углерод / углерод җылылык кыры материалларында кремний карбид каплауның кулланылышы һәм тикшеренүләре углерод / углерод җылылык кыры материалларының характеристикалары буенча карала, һәм углерод / углерод җылылык кыры материалларын өслек каплауны саклау тәкъдимнәре һәм үсеш юнәлешләре. алга куела.
1 әзерләү технологиясекремний карбид каплау
1.1 Урнаштыру ысулы
Керү ысулы еш кына C / C-s составлы материал системасында кремний карбидының эчке каплавын әзерләү өчен кулланыла. Бу ысул башта катнаш порошокны углерод / углерод составлы материал белән төрү өчен куллана, аннары билгеле температурада җылылык белән эш итә. Катламны формалаштыру өчен катнаш порошок белән үрнәк өслеге арасында катлаулы физико-химик реакцияләр барлыкка килә. Аның өстенлеге шунда: процесс гади, бер процесс кына тыгыз, яраксыз матрица композицион материаллар әзерли ала; Преформадан соңгы продуктка кечкенә күләм үзгәрү; Теләсә нинди җепселле ныгытылган структура өчен яраклы; Субстрат белән яхшы кушылган каплау белән субстрат арасында билгеле бер композиция градиенты барлыкка килергә мөмкин. Ләкин шулай ук җитешсезлекләр дә бар, мәсәлән, җепселгә зыян китерә алган югары температурада химик реакция, углерод / углерод матрицасының механик үзлекләре кимү. Катламның бердәмлеген контрольдә тоту авыр, тарту кебек факторлар аркасында, бу каплау тигез түгел.
1.2 Ябык каплау ысулы
Ябык каплау ысулы - каплау материалын һәм бәйләүчене катнашмага, матрица өслегендә тигез итеп чистарту, инерт атмосферада кипкәннән соң, капланган үрнәк югары температурада синтерланган, кирәкле каплау алына. Өстенлеге шунда: процесс гади һәм эш итү җиңел, һәм каплау калынлыгын контрольдә тоту җиңел; Кимчелек - каплау белән субстрат арасында бәйләү көче начар, һәм каплауның җылылык шокына каршы торуы начар, һәм каплауның бердәмлеге түбән.
1.3 Химик парларның реакция ысулы
Химик пар реакция(CVR) метод - каты кремний материалын кремний парына билгеле бер температурада парга әйләндерә торган процесс ысулы, аннары кремний парлары матрицаның эчке һәм өслегенә таралалар, һәм кремний карбидын чыгару өчен матрицада углерод белән реакция ясыйлар. Аның өстенлекләренә мичтә бердәм атмосфера, эзлекле реакция тизлеге һәм капланган материалның калынлыгы керә; Процесс гади һәм эш итү җиңел, һәм каплау калынлыгы кремний парларының басымын, чүпләү вакытын һәм башка параметрларны үзгәртеп идарә ителергә мөмкин. Кимчелек - үрнәк мичтәге позициягә бик нык тәэсир итә, һәм мичтә кремний парларының басымы теоретик бердәмлеккә ирешә алмый, нәтиҗәдә каплау калынлыгы тигез түгел.
1.4 Химик парларны чүпләү ысулы
Химик пар парламенты (CVD) - углеводородлар газ чыганагы һәм югары чисталык N2 / Ar йөртүче газ буларак катнаш газларны химик пар реакторына кертү өчен кулланыла, һәм углеводородлар бозыла, синтезлана, тарала, adsorbed һәм чишелә. углерод / углерод составлы материаллар өстендә каты пленкалар формалаштыру өчен билгеле температура һәм басым. Аның өстенлеге шунда: каплауның тыгызлыгы һәм чисталыгы контрольдә тотыла ала; Ул шулай ук эш өчен яраклы-катлаулырак формадагы кисәк; Продукциянең кристалл структурасы һәм өслек морфологиясе чүпләү параметрларын көйләп контрольдә тотыла ала. Кимчелекләре шунда: чүпләү дәрәҗәсе бик түбән, процесс катлаулы, җитештерү бәясе зур, һәм ярыклар, меш җитешсезлекләре һәм өслек җитешсезлекләре кебек каплау җитешсезлекләре булырга мөмкин.
Йомгаклап әйткәндә, урнаштыру ысулы аның технологик үзенчәлекләре белән чикләнә, ул лаборатория һәм кечкенә күләмле материаллар эшләү һәм җитештерү өчен яраклы; Каплау ысулы начар эзлеклелеге аркасында массакүләм җитештерү өчен яраксыз. CVR ысулы зур күләмле продуктларның массакүләм производствосын канәгатьләндерә ала, ләкин аның җиһазларга һәм технологияләргә таләпләре зур. CVD ысулы - әзерләү өчен идеаль ысулСИС каплау, ләкин аның бәясе CVR ысулыннан югарырак, чөнки процесс белән идарә итүдә кыенлык.
Пост вакыты: 22-2024 февраль