Поликристалл кремний ингот миче өчен югары сыйфатлы махсуслаштырылган графит җылыткыч өчен Кытай өчен иң түбән бәя

Кыска тасвирлау:

Чисталык <5 сәгать
‣ Яхшы допинг бердәмлеге
‣ dгары тыгызлык һәм ябышу
‣ Яхшы коррозив һәм углеродка каршы тору

Ional Профессиональ көйләү
Lead Кыска вакыт
‣ тотрыклы тәэмин итү
Uality Сыйфат контроле һәм өзлексез камилләштерү

Саффирда GaN эпитаксы(RGB / Mini / Micro LED);Si субстратында GaN эпитаксы(UVC);Si субстратында GaN эпитаксы(Электрон җайланма);Si субстратында Si эпитаксы(Интеграль схема);SiC субстратында SiC эпитаксы(Субстрат);InP эпитаксы

Безгә электрон почта җибәрегез PDF итеп йөкләү

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Без чишелешләребезне һәм хезмәтебезне арттыруны һәм камилләштерүне дәвам итәбез. Шул ук вакытта, без поликристалл кремний ингот миче өчен иң түбән бәяләнгән Кытай өчен иң түбән бәягә тикшеренүләр һәм көчәйтү өчен актив эш итәбез, безнең предприятия югары сыйфатлы җитештерүгә, зур бәягә абсолют багышлануы аркасында тиз арада зурлыгы һәм популярлыгы артты. продуктлар һәм фантастик клиент тәэмин итүчесе.
Без чишелешләребезне һәм хезмәтебезне арттыруны һәм камилләштерүне дәвам итәбез. Шул ук вакытта без тикшеренүләр һәм көчәйтү өчен актив эшлибезКитай графит җылыту миче, Графит җылылык кыры, Клиент таләбен канәгатьләндерү өчен, сыйфатлы продуктны башкару өчен, безнең барлык продуктлар һәм карарлар җибәрү алдыннан катгый тикшерелде. Без клиентлар ягында сорау турында һәрвакыт уйлыйбыз, чөнки сез җиңәсез, без җиңәбез!

2022 югары сыйфатлы MOCVD Susceptor Кытайда онлайн сатып алыгыз

Күренгән тыгызлык:	1,85 г / см3
Электр каршылыгы:	11 мм
Флексураль көч:	49 MPa (500 кг / см2)
Яр яры:	58
Эш:	<5 сәгать
Rылылык үткәрүчәнлеге:	116 Вт / мК (100 ккал / мхр- ℃)

Вафер - 1 миллиметр калынлыктагы кремний кисәге, техник яктан бик таләпчән процедуралар аркасында бик яссы өслеккә ия. Соңгы куллану нинди кристалл үстерү процедурасын кулланырга кирәклеген билгели. Чохральски процессында, мәсәлән, поликристалл кремний эретелә һәм карандаш-нечкә орлык кристалллары эретелгән кремнийга батырыла. Орлык кристаллын аннары әйләндерәләр һәм әкрен генә өскә тарталар. Бик авыр колосс, монокристал, нәтиҗәләр. Монокристалның электр характеристикаларын югары чисталыклы допантларның кечкенә берәмлекләрен өстәп сайларга мөмкин. Кристаллар клиент спецификасы нигезендә допедланган, аннары чистартылган һәм кисәкләргә киселгән. Төрле өстәмә җитештерү адымнарыннан соң, клиент күрсәтелгән ваферларны махсус упаковкада ала, бу клиентка вафинны җитештерү линиясендә шунда ук кулланырга мөмкинлек бирә.

Вафин электрон җайланмаларда кулланырга әзер булганчы берничә адым үтәргә тиеш. Бер мөһим процесс - кремний эпитаксы, анда ваферлар графит сиземторларында йөртелә. Саклаучыларның үзлекләре һәм сыйфаты вафинның эпитаксиаль катламының сыйфатына бик мөһим йогынты ясый.

Эпитакси яки MOCVD кебек нечкә пленка чүпләү этаплары өчен, ВЭТ субстратларны яки "ваферларны" тәэмин итү өчен кулланылган ультра-саф графитехника белән тәэмин итә. Процессның үзәгендә, бу җиһаз, эпитакси сиземторлар яки MOCVD өчен спутник платформалары, иң элек чүпләү мохитенә дучар ителәләр:

Highгары температура.
Highгары вакуум.
Агрессив газ прекурсорларын куллану.
Нульнең пычрануы, кабыгы булмау.
Чистарту вакытында көчле кислоталарга каршы тору