SiC kaplı suscetpor, çeşitli yarı iletken üretim süreçlerinde kullanılan önemli bir bileşendir.Son derece yüksek saflığa, iyi kaplama bütünlüğüne ve mükemmel hizmet ömrüne sahip, ayrıca yüksek kimyasal direnç ve termal stabilite özelliklerine sahip SiC kaplı suscetpor yapmak için patentli teknolojimizi kullanıyoruz.
Ürünlerimizin özellikleri:
1. 1700 ° C'ye kadar yüksek sıcaklıkta oksidasyon direnci.
2. Yüksek saflık ve termal tekdüzelik
3. Mükemmel korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktifler.
4. Yüksek sertlik, kompakt yüzey, ince parçacıklar.
5. Daha uzun servis ömrü ve daha dayanıklı
| CVD SiCAmerika Birleşik Devletleri CVD SiC'nin temel fiziksel özelliklerikaplama | |
| 性质 / Mülk | 典型数值 / Tipik değer |
| 晶体结构 / Kristal yapı | FCC β fazı多晶,主要为（111) |
| 密度 / Yoğunluk | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Sertlik | 2500 kg yük (500g yük) |
| 晶粒大小 / Tane büyüklüğü | 2~10μm |
| 纯度 / Kimyasal Saflık | %99,99995 |
| 热容 / Isı kapasitesi | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Süblimleşme Sıcaklığı | 2700°C |
| 抗弯强度 / Bükülme mukavemeti | 415 MPa RT 4 noktalı |
| 杨氏模量 / Gencin modülü | 430 Gpa 4pt viraj, 1300°C |
| 导热系数 / Termabenİletkenlik | 300W·m-1·K-1 |
| Amerika Birleşik Devletleri / Termal Genleşme(CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Fabrikamızı ziyaret etmenizi memnuniyetle karşılıyoruz, daha fazla tartışalım!
