Haberler

Buhar fazı epitaksi için yaygın olarak kullanılan kaideler
admin tarafından 24-07-30 tarihinde
Buhar fazlı epitaksi (VPE) işlemi sırasında kaidenin rolü, substratı desteklemek ve büyüme süreci sırasında eşit ısıtma sağlamaktır. Farklı büyüme koşulları ve malzeme sistemleri için farklı tipte kaideler uygundur. Aşağıdakilerden bazıları...
Devamını oku
Tantal karbür kaplı ürünlerin servis ömrü nasıl uzatılır?
admin tarafından 24-07-26 tarihinde
Tantal karbür kaplı ürünler, yüksek sıcaklık direnci, korozyon direnci, aşınma direnci vb. ile karakterize edilen, yaygın olarak kullanılan bir yüksek sıcaklık malzemesidir. Bu nedenle havacılık, kimya ve enerji gibi endüstrilerde yaygın olarak kullanılırlar. Ex için...
Devamını oku
Yarı iletken CVD ekipmanında PECVD ve LPCVD arasındaki fark nedir?
admin tarafından 24-07-24 tarihinde
Kimyasal buhar biriktirme (CVD), bir gaz karışımının kimyasal reaksiyonu yoluyla bir silikon levhanın yüzeyine katı bir filmin biriktirilmesi işlemini ifade eder. Farklı reaksiyon koşullarına göre (basınç, öncü), çeşitli ekipmanlara ayrılabilir...
Devamını oku
Silisyum karbür grafit kalıbın özellikleri
admin tarafından 24-07-18 tarihinde
Silikon Karbür Grafit Kalıp Silikon karbür grafit kalıp, taban olarak silikon karbür (SiC) ve takviye malzemesi olarak grafit içeren kompozit bir kalıptır. Bu kalıp mükemmel ısı iletkenliğine, yüksek sıcaklık direncine, korozyon direncine ve...
Devamını oku
Yarı iletken süreç fotolitografinin tam süreci
admin tarafından 24-07-16 tarihinde
Her yarı iletken ürünün üretimi yüzlerce işlem gerektirir. Tüm üretim sürecini sekiz adıma ayırıyoruz: levha işleme-oksidasyon-fotolitografi-aşındırma-ince film biriktirme-epitaksiyel büyüme-difüzyon-iyon implantasyonu. Sana yardım etmek için...
Devamını oku
4 milyar! SK Hynix, Purdue Araştırma Parkı'nda yarı iletken gelişmiş ambalaj yatırımını duyurdu
admin tarafından 24-07-09 tarihinde
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc., Purdue Araştırma Parkı'nda yapay zeka ürünlerine yönelik gelişmiş bir ambalaj üretimi ve Ar-Ge tesisi inşa etmek için yaklaşık 4 milyar dolar yatırım yapmayı planladığını duyurdu. Batı Lafayett'te ABD yarı iletken tedarik zincirinde önemli bir bağlantı kuruluyor...
Devamını oku
Lazer teknolojisi silisyum karbür substrat işleme teknolojisinin dönüşümüne öncülük ediyor
admin tarafından 24-07-08 tarihinde
1. Silisyum karbür alt tabaka işleme teknolojisine genel bakış Mevcut silisyum karbür alt tabaka işleme adımları şunları içerir: dış dairenin taşlanması, dilimleme, pah kırma, taşlama, cilalama, temizleme vb. Dilimleme, yarı iletken alt tabaka hazırlamada önemli bir adımdır...
Devamını oku
Ana akım termal alan malzemeleri: C/C kompozit malzemeler
admin tarafından 24-07-01 tarihinde
Karbon-karbon kompozitleri, takviye malzemesi olarak karbon fiber ve matris malzemesi olarak biriktirilmiş karbon içeren bir tür karbon fiber kompozitlerdir. C/C kompozitlerinin matrisi karbondur. Neredeyse tamamen elementel karbondan oluştuğu için mükemmel yüksek sıcaklık dayanımına sahiptir.
Devamını oku
SiC kristal büyümesi için üç ana teknik
admin tarafından 24-07-01 tarihinde
Şekil 3'te gösterildiği gibi, SiC tek kristalini yüksek kalite ve verimlilikle sağlamayı amaçlayan üç baskın teknik vardır: sıvı faz epitaksi (LPE), fiziksel buhar taşınması (PVT) ve yüksek sıcaklıkta kimyasal buhar biriktirme (HTCVD). PVT, SiC sin üretimi için köklü bir prosestir...
Devamını oku