Haberler

Silisyum karbür grafit kalıbın özellikleri
admin tarafından 24-07-18 tarihinde
Silikon Karbür Grafit Kalıp Silikon karbür grafit kalıp, taban olarak silikon karbür (SiC) ve takviye malzemesi olarak grafit içeren kompozit bir kalıptır. Bu kalıp mükemmel ısı iletkenliğine, yüksek sıcaklık direncine, korozyon direncine ve aşınma direncine sahiptir.
Devamını oku
Yarı iletken süreç fotolitografinin tam süreci
admin tarafından 24-07-16 tarihinde
Her yarı iletken ürünün üretimi yüzlerce işlem gerektirir. Tüm üretim sürecini sekiz adıma ayırıyoruz: levha işleme-oksidasyon-fotolitografi-aşındırma-ince film biriktirme-epitaksiyel büyüme-difüzyon-iyon implantasyonu. Sana yardım etmek için...
Devamını oku
4 milyar! SK Hynix, Purdue Araştırma Parkı'nda yarı iletken gelişmiş ambalaj yatırımını duyurdu
admin tarafından 24-07-09 tarihinde
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc., Purdue Araştırma Parkı'nda yapay zeka ürünlerine yönelik gelişmiş bir ambalaj üretimi ve Ar-Ge tesisi inşa etmek için yaklaşık 4 milyar dolar yatırım yapmayı planladığını duyurdu. Batı Lafayett'te ABD yarı iletken tedarik zincirinde önemli bir bağlantı kuruluyor...
Devamını oku
Lazer teknolojisi silisyum karbür substrat işleme teknolojisinin dönüşümüne öncülük ediyor
admin tarafından 24-07-08 tarihinde
1. Silisyum karbür alt tabaka işleme teknolojisine genel bakış Mevcut silisyum karbür alt tabaka işleme adımları şunları içerir: dış dairenin taşlanması, dilimleme, pah kırma, taşlama, cilalama, temizleme vb. Dilimleme, yarı iletken alt tabaka işleminde önemli bir adımdır.
Devamını oku
Ana akım termal alan malzemeleri: C/C kompozit malzemeler
admin tarafından 24-07-01 tarihinde
Karbon-karbon kompozitleri, takviye malzemesi olarak karbon fiber ve matris malzemesi olarak biriktirilmiş karbon içeren bir tür karbon fiber kompozitlerdir. C/C kompozitlerinin matrisi karbondur. Neredeyse tamamen elementel karbondan oluştuğu için mükemmel yüksek sıcaklık dayanımına sahiptir.
Devamını oku
SiC kristal büyümesi için üç ana teknik
admin tarafından 24-07-01 tarihinde
Şekil 3'te gösterildiği gibi, SiC tek kristalini yüksek kalite ve verimlilikle sağlamayı amaçlayan üç baskın teknik vardır: sıvı faz epitaksi (LPE), fiziksel buhar taşınması (PVT) ve yüksek sıcaklıkta kimyasal buhar biriktirme (HTCVD). PVT, SiC sin üretimi için köklü bir prosestir...
Devamını oku
Üçüncü nesil yarı iletken GaN ve ilgili epitaksiyel teknolojiye kısa giriş
admin tarafından 24-06-28 tarihinde
1. Üçüncü nesil yarı iletkenler Birinci nesil yarı iletken teknolojisi, Si ve Ge gibi yarı iletken malzemeler temel alınarak geliştirildi. Transistörlerin ve entegre devre teknolojisinin geliştirilmesinin maddi temelidir. Birinci nesil yarı iletken malzemeler temelleri attı...
Devamını oku
23,5 milyar, Suzhou'nun süper tek boynuzlu atı halka arza gidiyor
admin tarafından 24-06-28 tarihinde
9 yıllık girişimciliğin ardından Innoscience, toplam finansmanda 6 milyar yuan'dan fazla para topladı ve değerlemesi şaşırtıcı bir şekilde 23,5 milyar yuan'a ulaştı. Yatırımcıların listesi onlarca şirket kadar uzun: Fukun Risk Sermayesi, Dongfang Devlete Ait Varlıklar, Suzhou Zhanyi, Wujian...
Devamını oku
Tantal karbür kaplı ürünler malzemelerin korozyon direncini nasıl artırır?
admin tarafından 24-06-25 tarihinde
Tantal karbür kaplama, malzemelerin korozyon direncini önemli ölçüde artırabilen, yaygın olarak kullanılan bir yüzey işleme teknolojisidir. Tantal karbür kaplama, kimyasal buhar biriktirme, fiziksel hazırlama gibi farklı hazırlama yöntemleriyle alt tabakanın yüzeyine tutturulabilir.
Devamını oku