VET Energy'nin ürün grubu SiC levhalar üzerindeki GaN ile sınırlı değildir. Ayrıca Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, Epi Wafer vb. dahil olmak üzere çok çeşitli yarı iletken substrat malzemeleri sağlıyoruz. Ayrıca, Galyum Oksit Ga2O3 ve AlN gibi yeni geniş bant aralıklı yarı iletken malzemeleri de aktif olarak geliştiriyoruz. Wafer, gelecekteki güç elektroniği endüstrisinin daha yüksek performanslı cihazlara olan talebini karşılamak için.
VET Enerji, esnek özelleştirme hizmetleri sağlar ve müşterilerin özel ihtiyaçlarına göre farklı kalınlıktaki GaN epitaksiyel katmanlarını, farklı katkı türlerini ve farklı levha boyutlarını özelleştirebilir. Ayrıca, müşterilerimizin hızlı bir şekilde yüksek performanslı güç elektroniği cihazları geliştirmelerine yardımcı olmak için profesyonel teknik destek ve satış sonrası hizmet de sağlıyoruz.
GOFRET ÖZELLİKLERİ
*n-Pm=n-tipi Pm-Sınıfı,n-Ps=n-tipi Ps-Sınıfı,Sl=Yarı Yalıtımlı
| Öğe | 8 inç | 6 inç | 4 inç | ||
| nP | n-Pm | n-P'ler | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Yay(GF3YFCD)-Mutlak Değer | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Çözgü(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Gofret Kenarı | Eğim verme | ||||
YÜZEY FİNİŞİ
*n-Pm=n-tipi Pm-Sınıfı,n-Ps=n-tipi Ps-Sınıfı,Sl=Yarı Yalıtımlı
| Öğe | 8 inç | 6 inç | 4 inç | ||
| nP | n-Pm | n-P'ler | SI | SI | |
| Yüzey İşlemi | Çift taraflı Optik Cila, Si-Face CMP | ||||
| Yüzey Pürüzlülüğü | (10um x 10um) Si-YüzRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Yüz Ra≤0,2nm | |||
| Kenar Cipsleri | Hiçbiri İzin Verilmez (uzunluk ve genişlik≥0,5 mm) | ||||
| Girintiler | Hiçbirine İzin Verilmez | ||||
| Çizikler(Si-Yüz) | Adet.≤5,Kümülatif | Adet.≤5,Kümülatif | Adet.≤5,Kümülatif | ||
| Çatlaklar | Hiçbirine İzin Verilmez | ||||
| Kenar Hariç Tutma | 3 mm | ||||
