Mga katangian ng recrystallized silicon carbide
Ang recrystallized silicon carbide (R-SiC) ay isang materyal na may mataas na pagganap na pangalawa lamang ang tigas sa brilyante, na nabuo sa mataas na temperatura sa itaas ng 2000 ℃. Pinapanatili nito ang maraming mahusay na katangian ng SiC, tulad ng mataas na temperatura ng lakas, malakas na paglaban sa kaagnasan, mahusay na paglaban sa oksihenasyon, mahusay na thermal shock resistance at iba pa.
● Napakahusay na mekanikal na katangian. Ang recrystallized silicon carbide ay may mas mataas na lakas at higpit kaysa sa carbon fiber, mataas na epekto ng resistensya, maaaring maglaro ng isang mahusay na pagganap sa matinding temperatura na mga kapaligiran, maaaring maglaro ng isang mas mahusay na pagganap ng counterbalance sa iba't ibang mga sitwasyon. Bilang karagdagan, mayroon din itong mahusay na kakayahang umangkop at hindi madaling masira sa pamamagitan ng pag-uunat at baluktot, na lubos na nagpapabuti sa pagganap nito.
● Mataas na paglaban sa kaagnasan. Ang recrystallized silicon carbide ay may mataas na resistensya ng kaagnasan sa iba't ibang media, maaaring maiwasan ang pagguho ng iba't ibang mga kinakaing unti-unti na media, maaaring mapanatili ang mga mekanikal na katangian nito sa loob ng mahabang panahon, may malakas na pagdirikit, upang magkaroon ito ng mas mahabang buhay ng serbisyo. Bilang karagdagan, mayroon din itong mahusay na thermal stability, maaaring umangkop sa isang tiyak na hanay ng mga pagbabago sa temperatura, mapabuti ang epekto ng application nito.
● Ang sintering ay hindi lumiliit. Dahil ang proseso ng sintering ay hindi lumiliit, walang natitirang stress na magdudulot ng pagpapapangit o pag-crack ng produkto, at ang mga bahagi na may kumplikadong mga hugis at mataas na katumpakan ay maaaring ihanda.
| 重结晶碳化硅物理特性 Mga pisikal na katangian ng Recrystallized Silicon Carbide | |
| 性质 / Ari-arian | 典型数值 / Karaniwang Halaga |
| 使用温度/ Temperatura sa pagtatrabaho (°C) | 1600°C (may oxygen), 1700°C (nagpapababa ng kapaligiran) |
| SiC含量/ nilalaman ng SiC | > 99.96% |
| 自由Si含量/ Libreng Si content | < 0.1% |
| 体积密度/Bulk density | 2.60-2.70 g/cm3 |
| 气孔率/ Maliwanag na porosity | < 16% |
| 抗压强度/ Lakas ng compression | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Malamig na baluktot na lakas | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Mainit na lakas ng baluktot | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Thermal expansion @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Thermal conductivity @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Elastic modulus | 240 GPa |
| 抗热震性/ Thermal shock resistance | Napakahusay |
Ang Enerhiya ng VET ay angtunay na tagagawa ng customized na graphite at silicon carbide na mga produkto na may CVD coating,makapag-supplyiba't-ibangcustomized na mga bahagi para sa semiconductor at photovoltaic na industriya. Oang iyong teknikal na koponan ay nagmumula sa mga nangungunang institusyong lokal na pananaliksik, ay maaaring magbigay ng mas propesyonal na mga solusyon sa materyalpara sayo.
Patuloy kaming bumuo ng mga advanced na proseso upang magbigay ng mas advanced na mga materyales,atnakagawa ng eksklusibong patented na teknolohiya, na maaaring gawing mas mahigpit ang pagbubuklod sa pagitan ng coating at substrate at hindi gaanong madaling kapitan ng detatsment.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD SiCpatong | |
| 性质 / Ari-arian | 典型数值 / Karaniwang Halaga |
| 晶体结构 / Istraktura ng Kristal | FCC β phase多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Densidad | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Katigasan | 2500 维氏硬度（500g load） |
| 晶粒大小 / Sukat ng Butil | 2~10μm |
| 纯度 / Kadalisayan ng Kemikal | 99.99995% |
| 热容 / Kapasidad ng init | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura ng Sublimation | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Flexural na Lakas | 415 MPa RT 4-point |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt bend, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalKonduktibidad | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Thermal Expansion(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Malugod kang tinatanggap sa pagbisita sa aming pabrika, magkaroon pa tayo ng talakayan!
