Sic substratlarynda lomaý OEM / ODM GaN esasly epitaxial 4 ′ ′

Gysga düşündiriş:

Epitaksial ösüşi gaýtadan işlemekde ulanylýan wafli göterijiler ýokary temperatura we berk himiki arassalamalara çydamalydyrlar. “CoorsTek Clear Carbon ™” duýgurlary epitaksi enjamlary talap edýän bu programmalar üçin ýörite işlenip düzülendir. Olaryň ýokary arassalygy kremniý karbid (SiC) örtülen grafit gurluşy ýokary ýylylyk garşylygyny, hatda epi gatlagynyň galyňlygy we garşylygy üçin termiki birmeňzeşligi we himiki çydamlylygy üpjün edýär. Inçe SiC kristal örtügi arassa, tekiz ýüz bilen üpjün edýär, arassa wafli tutuş sebitdäki köp nokatda duýgur bilen habarlaşýar.

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Aslynda önümlerimizi we çözgütlerimizi ýokarlandyrmak we bejermek üçin gowy usul. Biziň wezipämiz, Sic Substrates 4 ′ ′ lomaý OEM / ODM GaN-basedepitaxial üçin ajaýyp iş tejribesini ulanyp, müşderilere hyýaly önümler we çözgütler öndürmek bolmaly, biz öz markamyzy gurmaga we köp sanly tejribeli aňlatma we birinji derejeli enjamlar bilen utgaşmaga üns berýäris. . Gymmat bahaly harytlarymyz.
Aslynda önümlerimizi we çözgütlerimizi ýokarlandyrmak we bejermek üçin gowy usul. Biziň wezipämiz, ajaýyp iş tejribesini ulanyp, müşderilere hyýaly önümleri we çözgütleri öndürmek bolmalyHytaý GaN substratlary we GaN filmi, Dürli diapazon, ýokary hilli, amatly bahalar we ajaýyp dizaýnlar bilen önümlerimiz gözellikde we beýleki pudaklarda giňden ulanylýar. Önümlerimiz we çözgütlerimiz ulanyjylar tarapyndan giňden tanalýar we ynanýar we yzygiderli üýtgeýän ykdysady we sosial zerurlyklary kanagatlandyryp biler.

SiC örtükli grafit MOCVD Wafer göterijileri

Duýgurlarymyzyň hemmesi ýokary güýçli izostatiki grafitden ýasalandyr. Grafitlerimiziň ýokary arassalygyndan peýdalanyň - esasanam epitaksiýa, hrustal ösmek, ion implantasiýasy we plazma çişmegi ýaly çylşyrymly prosesler, şeýle hem LED çipleri öndürmek üçin işlenip düzüldi.

Önümiň beýany
Icarymgeçiriji goşundylary üçin grafit substratynyň SiC örtügi ýokary arassalygy we oksidleýji atmosfera garşylygy bolan bölegi öndürýär.
CVD SiC ýa-da CVI SiC ýönekeý ýa-da çylşyrymly dizaýn bölekleriniň grafitine ulanylýar. Örtük dürli galyňlykda we gaty uly böleklerde ulanylyp bilner.

Kompon

SiC örtükli grafit MOCVD Wafer göterijileri

SiC bilen örtülen grafit duýgurlarymyzyň aýratyn artykmaçlyklary aşa ýokary arassalygy, birmeňzeş örtük we ajaýyp hyzmat ömrüni öz içine alýar. Şeýle hem ýokary himiki garşylyk we ýylylyk durnuklylyk aýratynlyklary bar.

SiC örtügi ulanylanda, birmeňzeş duýgur profilini üpjün etmek üçin ýokary takyk işleýiş ulanyp, örän ýakyn çydamlylygy saklaýarys. Şeýle hem, induktiw gyzdyrylan ulgamlarda ulanmak üçin ideal elektrik garşylyk häsiýetli materiallary öndürýäris. Finishedhli taýýar komponentler arassalygy we ölçegli laýyklyk şahadatnamasy bilen gelýär.

Arza:

Aýratynlyklary:
· Ajaýyp termiki zarba garşylygy
· Ajaýyp fiziki zarba garşylygy
· Ajaýyp himiki garşylyk
· Örän ýokary arassalyk
· Çylşyrymly şekilde barlyk
· Oksidleýji atmosferada ulanylýarEsasy grafit materialynyň adaty aýratynlyklary:

Görnüş dykyzlygy:	1,85 g / sm3
Elektrik garşylygy:	11 mk
Flexural Strenth:	49 MPa (500kgf / cm2)
Kenar gatylygy:	58
Kül:	<5ppm
Malylylyk geçirijiligi:	116 W / mK (100 kkal / mhr- ℃)

Aslynda önümlerimizi we çözgütlerimizi ýokarlandyrmak we bejermek üçin gowy usul. Biziň wezipämiz, Sic Substrates 4 ′ ′ lomaý OEM / ODM GaN-basedepitaxial üçin ajaýyp iş tejribesini ulanyp, müşderilere hyýaly önümler we çözgütler öndürmek bolmaly, biz öz markamyzy gurmaga we köp sanly tejribeli aňlatma we birinji derejeli enjamlar bilen utgaşmaga üns berýäris. . Gymmat bahaly harytlarymyz.
Lomaý OEM / ODMHytaý GaN substratlary we GaN filmi, Dürli diapazon, ýokary hilli, amatly bahalar we ajaýyp dizaýnlar bilen önümlerimiz gözellikde we beýleki pudaklarda giňden ulanylýar. Önümlerimiz we çözgütlerimiz ulanyjylar tarapyndan giňden tanalýar we ynanýar we yzygiderli üýtgeýän ykdysady we sosial zerurlyklary kanagatlandyryp biler.