SiC örtük grafiti MOCVD wafli göterijiler

SiC örtükli grafit MOCVD wafli göterijileriniň duýgur suraty

Gysga düşündiriş:

Epitaksial ösüş üçin VET Energy SiC örtükli MOCVD duýgurlaýjy, uzak wagtyň dowamynda yzygiderli we ygtybarly öndürijilik üpjün etmek üçin döredilen ýokary öndürijilikli önümdir. Örän oňat ýylylyga garşylygy we ýylylyk birmeňzeşligi, ýokary arassalygy, eroziýa garşylygy bar, ony wafli gaýtadan işlemek üçin amatly çözgüt edýär.

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

SiC örtükli grafit MOCVD Wafer göterijiler / duýgur

Duýgurlarymyzyň hemmesi ýokary güýçli izostatiki grafitden ýasalandyr. Grafitlerimiziň ýokary arassalygyndan peýdalanyň - esasanam epitaksiýa, hrustal ösmek, ion implantasiýasy we plazma çişmegi ýaly çylşyrymly prosesler, şeýle hem LED çipleri öndürmek üçin işlenip düzüldi.

Önümlerimiziň aýratynlyklary:

1. 1700 up çenli ýokary temperatura okislenme garşylygy.
2. Highokary arassalyk we ýylylyk birmeňzeşligi
3. Ajaýyp poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
4. hardokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
5. Uzak hyzmat möhleti we has çydamly

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-iň esasy fiziki aýratynlyklaryörtük
性质 / Emläk	典型数值 / Adaty baha
晶体结构 / Kristal gurluş	FCC β tapgyry多晶，主要为（111 ）取向
密度 / Dykyzlygy	3.21 g / sm³
硬度 / Gatylyk	2500 维氏硬度（ 500g ýük）
晶粒大小 / Galla SiZe	2 ~ 10μm
纯度 / Himiki arassalygy	99.99995%
热容 / Atylylyk kuwwaty	640 J · kg^-1· K.^-1
升华温度 / Sublimasiýa temperaturasy	2700 ℃
抗弯强度 / Fleksural güýç	415 MPa RT 4 bal
杨氏模量 / 'Aş modul	430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃
导热系数 / TermalGeçirijilik	300W · m^-1· K.^-1
热膨胀系数 / Malylylyk giňelişi (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1

VET Energy, SiC örtügi, TaC örtügi, aýna uglerod örtügi, pirolitiki uglerod örtügi we ş.m. ýaly dürli örtükli ýöriteleşdirilen grafit we kremniy karbid önümleriniň hakyky öndürijisidir, ýarymgeçiriji we fotoelektrik senagaty üçin dürli ýöriteleşdirilen bölekleri üpjün edip biler.

Tehniki toparymyz içerki gözleg institutlaryndan gelýär, size has professional material çözgütleri berip biler.

Has ösen materiallar bilen üpjün etmek üçin öňdebaryjy prosesleri yzygiderli ösdürýäris we örtük bilen substratyň arasyndaky baglanyşygy has berkitip, aýrylmaga has ýykgyn edip biljek aýratyn patentlenen tehnologiýany taýýarladyk.

Zawodymyza baryp görmegiňizi mähirli garşylaýarys, geliň mundan beýläk pikir alyşalyň!