Uglerod / uglerod kompozitleri(mundan beýläk "C / C ýa-da CFC ") ugleroda esaslanýan we uglerod süýümi we önümleri (uglerod süýümi preformasy) bilen berkidilen birleşýän materialdyr. Uglerodyň inersiýasy we uglerod süýüminiň ýokary güýji bar. Gowy mehaniki häsiýetleri, ýylylyga garşylyk, poslama garşylyk, sürtülme nemlendirilmegi we ýylylyk we elektrik geçirijilik aýratynlyklary bar
CVD-SiCörtük birmeňzeş gurluş, ykjam material, ýokary temperatura garşylygy, okislenme garşylygy, ýokary arassalygy, kislota we aşgar garşylygy we organiki reagent, durnukly fiziki we himiki aýratynlyklary bilen häsiýetlendirilýär.
Esasy aýratynlyklary:
1. temperatureokary temperaturaly okislenme garşylygy:oksidlenme garşylygy, temperatura 1600 C-den ýokary bolanda henizem gaty gowy.
2. Highokary arassalygy: ýokary temperaturaly hlorlaşma şertinde himiki buglaryň çökmegi bilen öndürilýär.
3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
4. Poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-iň esasy fiziki aýratynlyklaryörtük | |
| 性质 / emläk | 典型数值 / Adaty baha |
| 晶体结构 / Kristal gurluş | FCC β faza 多晶，主要为（ 111 ）取向 |
| 密度 / Dykyzlygy | 3.21 g / sm³ |
| 硬度 / Gatylyk | 2500 维氏硬度（ 500g ýük） |
| 晶粒大小 / Galla SiZe | 2 ~ 10μm |
| Chemical / Himiki arassalygy | 99.99995% |
| 热容 / atylylyk kuwwaty | 640 J · kg-1· K.-1 |
| 升华温度 / Sublimasiýa temperaturasy | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Fleksural güýç | 415 MPa RT 4 bal |
| 杨氏模量 / Youngaş modul | 430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃ |
| 导热系数 / malylylyk geçirijiligi | 300W · m-1· K.-1 |
| 热膨胀系数 / malylylyk giňelişi (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
VET Energy, SiC örtügi, TaC örtügi, aýna uglerod örtügi, pirolitiki uglerod örtügi we ş.m. ýaly dürli örtükli ýöriteleşdirilen grafit we kremniy karbid önümleriniň hakyky öndürijisidir, ýarymgeçiriji we fotoelektrik senagaty üçin dürli ýöriteleşdirilen bölekleri üpjün edip biler.
Tehniki toparymyz içerki gözleg institutlaryndan gelýär, size has professional material çözgütleri berip biler.
Has ösen materiallar bilen üpjün etmek üçin öňdebaryjy prosesleri yzygiderli ösdürýäris we örtük bilen substratyň arasyndaky baglanyşygy has berkitip, aýrylmaga has ýykgyn edip biljek aýratyn patentlenen tehnologiýany taýýarladyk.
Zawodymyza baryp görmegiňizi mähirli garşylaýarys, geliň mundan beýläk pikir alyşalyň!
