Sinterlenen kremniy karbid Sik kristal / wafli gaýyk

Süzülen kremniy karbid Sik kristal / wafli gaýyk Aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Sintered kremniy karbid (SiC) Kristal / Wafer gämimiz ýarymgeçiriji önümçiliginde takyklyk üçin işlenip düzülendir. Adatdan daşary ýylylyk durnuklylygy, himiki garşylyk we mehaniki güýç bilen bu gaýyk, ýokary temperaturaly prosesler arkaly kristallaryň we waflleriň howpsuz we netijeli daşalmagyny üpjün edýär.

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

GünäkärSilikon Karbid (SiC)Kristal /Gämi gämisiýarymgeçiriji we mikroelektronika pudaklarynyň berk talaplary üçin niýetlenendir. Temperatureokary temperaturaly gaýtadan işlemekde kremniý kristallaryny we wafli bilen işlemek üçin ygtybarly platforma üpjün edýär, olaryň bitewiligini we arassalygyny saklaýar.

Esasy aýratynlyklary

Ajaýyp ýylylyk durnuklylygy: 1600 ° C çenli çydamly temperatura, takyk ýylylyk gözegçiligini talap edýän amallar üçin amatly.
Iň ýokary himiki garşylyk: Poslaýjy himiki serişdelere we gazlaryň köpüsine çydamly, gaty gaýtadan işlemek şertlerinde çydamlylygy üpjün edýär.
Ygtybarly mehaniki güýç: Stressokary stresde gurluş bitewiligini saklaýar, deformasiýa ýa-da döwülmek ähtimallygyny peseldýär.
Minimal ýylylyk giňelmesi: Termiki zarba we döwülmek töwekgelçiligini azaltmak üçin niýetlenendir, giňden ulanylanda ygtybarly öndürijilik hödürleýär.
Takyk önümçilik: Aýratyn proses talaplaryny kanagatlandyrmak we dürli kristal we wafli ululyklaryny ýerleşdirmek üçin ýokary takyklyk bilen ýasaldy.

Goýmalar

• icarymgeçiriji wafli gaýtadan işlemek

• LED öndürmek

• Fotowoltaik öýjük önümçiligi

• Himiki bug çöketligi (CVD) ulgamlary

• Maddy ylymda gözleg we ösüş

烧结碳化硅物理特性 Fiziki aýratynlyklarySgoşuldySiliconCarbide
性质 / Emläk	典型数值 / Adaty baha
化学成分 / HimikiKompozisiýa	SiC> 95%, Si <5%
体积密度 / Köp dykyzlygy	> 3.07 g / sm³
显气孔率/ Görünýän gözenek Görnüşi gözenek	<0,1%
常温抗弯强度/ 20 at ýyrtylyş moduly	270 MPa
高温抗弯强度/ 1200 at ýarylyş moduly	290MPa
硬度/ Gatylygy 20 at	2400 Kg / mm²
断裂韧性/ 20% -de döwük berkligi	3.3MPa · m^1/2
导热系数/ 1200 at ýylylyk geçirijiligi	45w / m .K
热膨胀系数/ 20-1200 at ýylylyk giňelmesi	4.51 × 10^-6/ ℃
最高工作温度/ Iň ýokary iş temperaturasy	1400 ℃
热震稳定性/ 1200 at ýylylyk zarbasyna garşylyk	Gowy

Näme üçin Sintirlenen Silikon Karbid (SiC) Kristal / Wafer gämimizi saýlamaly?

SiC Kristal / Wafer gaýygymyzy saýlamak, ygtybarlylygy, netijeliligi we uzak ömri saýlamagy aňladýar. Her bir gaýyk, pudagyň iň ýokary ülňülerine laýyk gelmegini üpjün etmek üçin berk hil gözegçilik çärelerini görýär. Bu önüm diňe bir önümçilik prosesiňiziň howpsuzlygyny we öndürijiligini ýokarlandyrman, eýsem kremniý kristallaryňyzyň we wafliňiziň yzygiderli hilini kepillendirýär. SiC Kristal / Wafer gämimiz bilen, amaly kämilligiňizi goldaýan çözgüde ynanyp bilersiňiz.