SiC örtülen grafit ýarym aý bölegiis a açaryýarymgeçiriji önümçilik prosesinde, esasanam SiC epitaksial enjamlar üçin ulanylýan komponent.Patentlenen tehnologiýamyzy ýarym aýyň bölegi bilen ulanýarysaşa ýokary arassalyk,gowyörtükbirmeňzeşligiwe ajaýyp hyzmat ömriýalyýokary himiki garşylyk we ýylylyk durnuklylyk aýratynlyklary.
HTB energiýasy theCVD örtükli ýöriteleşdirilen grafit we kremniý karbid önümlerini hakyky öndüriji,üpjün edip bilerdürliýarymgeçiriji we fotoelektrik pudagy üçin ýöriteleşdirilen bölekler. Our tehniki topary içerki gözleg institutlaryndan gelýär, has professional material çözgütleri berip bilerseniň üçin
Has ösen materiallar bilen üpjün etmek üçin ösen prosesleri yzygiderli ösdürýäris,weörtük bilen substratyň arasyndaky baglanyşygy has berkitip, aýrylmaga has ýykgyn edip biljek aýratyn patentlenen tehnologiýany işläp düzdüler.
Fönümlerimiziň iýmitleri:
1. 1700-e çenli ýokary temperatura okislenme garşylygy℃.
2. purokary arassalyk weýylylyk birmeňzeşligi
3. Ajaýyp poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
4. hardokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
5. Uzak hyzmat möhleti we has çydamly
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-iň esasy fiziki aýratynlyklaryörtük | |
| 性质 / Emläk | 典型数值 / Adaty baha |
| 晶体结构 / Kristal gurluş | FCC β tapgyry多晶，主要为（111 ）取向 |
| 密度 / Dykyzlygy | 3.21 g / sm³ |
| 硬度 / Gatylyk | 2500 维氏硬度（ 500g ýük） |
| 晶粒大小 / Galla SiZe | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Himiki arassalygy | 99.99995% |
| 热容 / Atylylyk kuwwaty | 640 J · kg-1· K.-1 |
| 升华温度 / Sublimasiýa temperaturasy | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Fleksural güýç | 415 MPa RT 4 bal |
| 杨氏模量 / 'Aş modul | 430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃ |
| 导热系数 / TermalGeçirijilik | 300W · m-1· K.-1 |
| 热膨胀系数 / Malylylyk giňelişi (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Zawodymyza baryp görmegiňizi mähirli garşylaýarys, geliň mundan beýläk pikir alyşalyň!
