Custörite ýokary arassalyk SiC örtülen grafit gyzdyryjy ýylylyk elementi

Customörite ýokary arassalyk SiC örtülen grafit gyzdyryjy ýyladyş elementi aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Grafit gyzdyryjy, adatça grafitden we keramikadan ýasalan grafit materialyny elektrik bilen gyzdyryp ýylylygy döredýän elektrik ýyladyş materialynyň bir görnüşidir. Tolkunly gurluşy ýylylygy netijeli ýaýradyp biler we senagatda, gurluşykda, oba hojalygynda we gündelik durmuşda giňden ulanylýar. Gowy ýylylyk geçirijiligi we ýokary temperatura durnuklylygy sebäpli grafit ýyladyş elementi senagatda giňden ulanylýar.

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Grafit gyzdyryjynyň esasy aýratynlyklary:

1. heatingyladyş gurluşynyň birmeňzeşligi.

2. gowy elektrik geçirijiligi we ýokary elektrik ýüki.

3. Poslama garşylyk.

4. zäherlenmezlik.

5. himiki arassalygy.

6. ýokary mehaniki güýç.

Munuň artykmaçlygy energiýa tygşytlaýjy, ýokary baha we pes hyzmat etmekdir. Oksidlenmä garşy we uzak ömrüň grafitini, grafit galypyny we grafit gyzdyryjynyň ähli böleklerini öndürip bileris.

Grafit gyzdyryjynyň esasy parametrleri

Tehniki spesifikasiýa	Semicera-M3
Köp dykyzlygy (g / cm3)	851.85
Kül mazmuny (PPM)	≤500
Kenar gatylygy	≥45
Resörite garşylyk (μ.Ω.m)	≤12
Fleksural güýç (Mpa)	≥40
Sykyş güýji (Mpa)	≥70
Maks. Galla ölçegi (μm)	≤43
Malylylyk giňelişiniň koeffisiýenti Mm / ° C.	≤4.4 * 10-6

HTB energiýasy theCVD örtükli ýöriteleşdirilen grafit we kremniý karbid önümlerini hakyky öndüriji,üpjün edip bilerdürliýarymgeçiriji we fotoelektrik pudagy üçin ýöriteleşdirilen bölekler. Our tehniki topary içerki gözleg institutlaryndan gelýär, has professional material çözgütleri berip bilerseniň üçin

Has ösen materiallar bilen üpjün etmek üçin ösen prosesleri yzygiderli ösdürýäris,weörtük bilen substratyň arasyndaky baglanyşygy has berkitip, aýrylmaga has ýykgyn edip biljek aýratyn patentlenen tehnologiýany işläp düzdüler.

Fönümlerimiziň iýmitleri:

1. 1700-e çenli ýokary temperatura okislenme garşylygy℃.
2. purokary arassalyk weýylylyk birmeňzeşligi
3. Ajaýyp poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
4. hardokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
5. Uzak hyzmat möhleti we has çydamly

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-iň esasy fiziki aýratynlyklaryörtük
性质 / Emläk	典型数值 / Adaty baha
晶体结构 / Kristal gurluş	FCC β tapgyry多晶，主要为（111 ）取向
密度 / Dykyzlygy	3.21 g / sm³
硬度 / Gatylyk	2500 维氏硬度（ 500g ýük）
晶粒大小 / Galla SiZe	2 ~ 10μm
纯度 / Himiki arassalygy	99.99995%
热容 / Atylylyk kuwwaty	640 J · kg^-1· K.^-1
升华温度 / Sublimasiýa temperaturasy	2700 ℃
抗弯强度 / Fleksural güýç	415 MPa RT 4 bal
杨氏模量 / 'Aş modul	430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃
导热系数 / TermalGeçirijilik	300W · m^-1· K.^-1
热膨胀系数 / Malylylyk giňelişi (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1