SiC Wafer-de 4 Inch GaN

SiC Wafer aýratynlykly suratda 4 Inch GaN

Gysga düşündiriş:

SiC wafli boýunça VET Energy-iň 4 dýuým GaN, elektrik elektronikasy pudagynda öwrülişik önümidir. Bu wafli, kremniý karbidiň (SiC) ajaýyp ýylylyk geçirijiligini ýokary güýç dykyzlygy we galiý nitridiniň (GaN) pes ýitmegi bilen birleşdirýär, bu ýokary ýygylykly, ýokary güýçli enjamlary ýasamak üçin iň oňat saýlama bolýar. VET Energy ösen MOCVD epitaksial tehnologiýasy arkaly wafliň ajaýyp öndürijiligini we yzygiderliligini üpjün edýär.

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

VET Energy-iň önüm çyzgysy, SiC wafli boýunça GaN bilen çäklenmeýär. Şeýle hem, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer we ş.m. ýaly ýarymgeçiriji substrat materiallarynyň giň toplumyny hödürleýäris. Mundan başga-da, Gallium Oxide Ga2O3 we AlN ýaly täze giň zolakly ýarymgeçiriji materiallary işjeň ösdürýäris. Wafer, geljekde elektrik elektronikasynyň ýokary öndürijilikli enjamlara bolan islegini kanagatlandyrmak üçin.

VET Energy çeýe özleşdirme hyzmatlaryny hödürleýär we müşderileriň aýratyn zerurlyklaryna görä dürli galyňlykdaky, dürli doping görnüşleri we dürli wafli ululykdaky GaN epitaksial gatlaklaryny sazlap bilýär. Mundan başga-da, müşderilere ýokary öndürijilikli elektron enjamlaryny çalt ösdürmäge kömek etmek üçin hünär tehniki goldawy we satuwdan soňky hyzmaty hödürleýäris.

WAFERING aýratynlyklary

* n-Pm = n görnüşli Pm-Grade, n-Ps = n görnüşli Ps-Grade, Sl = -arym lsulýasiýa

Haryt	8-inç	6-inç			4-inç
Haryt	nP	n-Pm	n-Zeb	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Aý (GF3YFCD) - Jemi baha	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV (SBIR) -10mmx10mm	<2μm
Wafer gyrasy	Beveling

SURFACE FINISH

* n-Pm = n görnüşli Pm-Grade, n-Ps = n görnüşli Ps-Grade, Sl = -arym lsulýasiýa

Haryt	8-inç	6-inç			4-inç
	nP	n-Pm	n-Zeb	SI	SI
Surface Finish	Iki taraplaýyn optiki polýak, Si-Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Gyrasy çipleri	Hiç birine rugsat berilmedi (uzynlygy we ini≥0.5mm)
Görkezmeler	Hiç birine rugsat berilmedi
Dyrnaklar (Si-Face)	5-nji kwartal Uzynlygy≤0.5 × wafli diametri	5-nji kwartal Uzynlygy≤0.5 × wafli diametri			5-nji kwartal Uzynlygy≤0.5 × wafli diametri
Acksaryklar	Hiç birine rugsat berilmedi
Gyradan çykarmak	3mm