Gaýtadan gurlan kremniy karbidiň aýratynlyklary
Gaýtadan gurlan kremniý karbidi (R-SiC), 2000 above-dan ýokary temperaturada emele gelen göwherden soň ikinji orunda durýan ýokary öndürijilikli materialdyr. SiC-iň ýokary temperatura güýji, güýçli poslama garşylygy, ajaýyp okislenme garşylygy, gowy termiki zarba garşylygy we ş.m. ýaly köp ajaýyp aýratynlyklaryny saklaýar.
● Ajaýyp mehaniki häsiýetler. Gaýtadan gurlan kremniy karbid uglerod süýüminden has ýokary güýç we berklige, ýokary täsir garşylygyna, aşa temperatura şertlerinde gowy öndürijilik oýnap biler, dürli ýagdaýlarda has oňat deňagramlylyk oýnap biler. Mundan başga-da, oňat çeýeligi bar we uzalmagy we egilmegi bilen aňsat zaýalanmaýar, bu bolsa öndürijiligini ep-esli ýokarlandyrýar.
● corrokary poslama garşylyk. Gaýtadan gurlan kremniy karbid dürli habar beriş serişdelerine ýokary poslama garşylygy bar, dürli poslaýjy serişdeleriň eroziýasynyň öňüni alyp biler, mehaniki aýratynlyklaryny uzak wagtlap saklap biler, güýçli ýelmeşer we uzak ömri bolar ýaly. Mundan başga-da, oňat ýylylyk durnuklylygyna eýe, belli bir temperatura üýtgemegine uýgunlaşyp, ulanyş täsirini gowulandyryp biler.
Sin Sinter kiçelmeýär. Süzmek prosesi gysgalmaýandygy sebäpli, galyndy stres önümiň deformasiýasyna ýa-da ýarylmagyna sebäp bolmaz we çylşyrymly şekilli we ýokary takyklykly bölekler taýýarlanyp bilner.
| 重结晶碳化硅物理特性 Gaýtadan gurlan kremniy karbidiň fiziki aýratynlyklary | |
| 性质 / Emläk | 典型数值 / Adaty baha |
| 使用温度/ Iş temperaturasy (° C) | 1600 ° C (kislorod bilen), 1700 ° C (daşky gurşawy azaltmak) |
| SiC含量/ SiC mazmuny | > 99,96% |
| 自由Si 含量/ Mugt Si mazmuny | <0,1% |
| 体积密度/Köp dykyzlygy | 2.60-2,70 g / sm3 |
| 气孔率/ Görünýän gözenek | <16% |
| 抗压强度/ Gysyş güýji | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Sowuk egilme güýji | 80-90 MPa (20 ° C) |
| 高温抗弯强度Gyzgyn egilme güýji | 90-100 MPa (1400 ° C) |
| 热膨胀系数/ Malylylyk giňelişi @ 1500 ° C. | 4.70 10-6/ ° C. |
| 导热系数/Malylylyk geçirijiligi @ 1200 ° C. | 23W / m • K. |
| 杨氏模量/ Elastik modul | 240 GPa |
| 抗热震性/ Malylylyk zarbasyna garşylyk | Örän gowy |
HTB energiýasy theCVD örtükli ýöriteleşdirilen grafit we kremniý karbid önümlerini hakyky öndüriji,üpjün edip bilerdürliýarymgeçiriji we fotoelektrik pudagy üçin ýöriteleşdirilen bölekler. Our tehniki topary içerki gözleg institutlaryndan gelýär, has professional material çözgütleri berip bilerseniň üçin
Has ösen materiallar bilen üpjün etmek üçin ösen prosesleri yzygiderli ösdürýäris,weörtük bilen substratyň arasyndaky baglanyşygy has berkitip, aýrylmaga has ýykgyn edip biljek aýratyn patentlenen tehnologiýany işläp düzdüler.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-iň esasy fiziki aýratynlyklaryörtük | |
| 性质 / Emläk | 典型数值 / Adaty baha |
| 晶体结构 / Kristal gurluş | FCC β tapgyry多晶，主要为（111 ）取向 |
| 密度 / Dykyzlygy | 3.21 g / sm³ |
| 硬度 / Gatylyk | 2500 维氏硬度（ 500g ýük） |
| 晶粒大小 / Galla SiZe | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Himiki arassalygy | 99.99995% |
| 热容 / Atylylyk kuwwaty | 640 J · kg-1· K.-1 |
| 升华温度 / Sublimasiýa temperaturasy | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Fleksural güýç | 415 MPa RT 4 bal |
| 杨氏模量 / 'Aş modul | 430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃ |
| 导热系数 / TermalGeçirijilik | 300W · m-1· K.-1 |
| 热膨胀系数 / Malylylyk giňelişi (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Zawodymyza baryp görmegiňizi mähirli garşylaýarys, geliň mundan beýläk pikir alyşalyň!
