เวเฟอร์อีปิแอกเซียลซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ของ VET Energy เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์แบบแถบความถี่กว้างประสิทธิภาพสูง โดยมีคุณสมบัติทนต่ออุณหภูมิสูง ความถี่สูง และกำลังสูงได้ดีเยี่ยม เป็นสารตั้งต้นที่เหมาะสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังรุ่นใหม่ VET Energy ใช้เทคโนโลยี MOCVD เอพิโทแอกเซียลขั้นสูงเพื่อสร้างชั้นเอปิแอกเชียล SiC คุณภาพสูงบนพื้นผิว SiC เพื่อให้มั่นใจถึงประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมและความสม่ำเสมอของเวเฟอร์
เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เอปิแอกเซียลของเรามีความเข้ากันได้ดีเยี่ยมกับวัสดุเซมิคอนดักเตอร์หลากหลายประเภท รวมถึง Si Wafer, พื้นผิว SiC, SOI Wafer และพื้นผิว SiN ด้วยชั้นอีพิเทเชียลที่แข็งแกร่ง รองรับกระบวนการขั้นสูง เช่น การเติบโตของ Epi Wafer และการบูรณาการกับวัสดุ เช่น Gallium Oxide Ga2O3 และ AlN Wafer ทำให้มั่นใจได้ถึงการใช้งานที่หลากหลายในเทคโนโลยีที่แตกต่างกัน ออกแบบมาให้เข้ากันได้กับระบบการจัดการ Cassette ที่เป็นมาตรฐานอุตสาหกรรม ช่วยให้มั่นใจได้ถึงการทำงานที่มีประสิทธิภาพและคล่องตัวในสภาพแวดล้อมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์
กลุ่มผลิตภัณฑ์ของ VET Energy ไม่ได้จำกัดอยู่เพียงเวเฟอร์ SiC epitaxis นอกจากนี้เรายังมีวัสดุซับสเตรตเซมิคอนดักเตอร์หลายประเภท เช่น Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer เป็นต้น นอกจากนี้ เรายังกระตือรือร้นที่จะพัฒนาวัสดุเซมิคอนดักเตอร์แถบความถี่กว้างใหม่ๆ เช่น Gallium Oxide Ga2O3 และ AlN Wafer เพื่อตอบสนองความต้องการของอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์กำลังในอนาคตสำหรับอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพสูงกว่า
ข้อมูลจำเพาะเวเฟอร์
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=กึ่งฉนวน
รายการ | 8 นิ้ว | 6 นิ้ว | 4 นิ้ว | ||
เอ็นพี | น-บ่าย | n-ป | SI | SI | |
ทีทีวี(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
โบว์(GF3YFCD)-ค่าสัมบูรณ์ | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
วาร์ป(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10มม.x10มม | <2μm | ||||
ขอบเวเฟอร์ | บาก |
การตกแต่งพื้นผิว
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=กึ่งฉนวน
รายการ | 8 นิ้ว | 6 นิ้ว | 4 นิ้ว | ||
เอ็นพี | น-บ่าย | n-ป | SI | SI | |
พื้นผิวเสร็จสิ้น | ออพติคอลโพลิชสองด้าน, Si- Face CMP | ||||
ความหยาบของพื้นผิว | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2นาโนเมตร | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2นาโนเมตร | |||
ชิปขอบ | ไม่อนุญาตให้ใช้ (ความยาวและความกว้าง≥0.5มม.) | ||||
เยื้อง | ไม่มีการอนุญาต | ||||
รอยขีดข่วน(Si-Face) | จำนวน ≤5 สะสม | จำนวน ≤5 สะสม | จำนวน ≤5 สะสม | ||
รอยแตก | ไม่มีการอนุญาต | ||||
การยกเว้นขอบ | 3มม |