ผู้ผลิตแม่พิมพ์หล่อโลหะกราไฟท์เหล็กหล่อแมงกานีสสูงของจีน

คำอธิบายสั้น ๆ :


รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

คำนึงถึง "ลูกค้าเริ่มแรก คุณภาพสูงไว้ก่อน" เราทำงานอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าของเราและจัดหาผู้ให้บริการที่มีประสิทธิภาพและมีทักษะสำหรับผู้ผลิตผู้ผลิตแม่พิมพ์หล่อโลหะกราไฟท์หล่อเหล็กแมงกานีสสูงของจีน ด้วยความหลากหลาย คุณภาพสูงสุด สมเหตุสมผล อัตราและการออกแบบที่ทันสมัย ​​ผลิตภัณฑ์ของเราถูกนำมาใช้อย่างกว้างขวางกับอุตสาหกรรมนี้และอุตสาหกรรมอื่นๆ
คำนึงถึง "ลูกค้าเริ่มแรก คุณภาพสูงก่อน" เราทำงานอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าของเราและจัดหาผู้ให้บริการที่มีประสิทธิภาพและมีทักษะสำหรับพวกเขาแม่พิมพ์โลหะจีนสำหรับโรงถลุงเหล็ก, แม่พิมพ์ลิ่มเหล็กดัด, ปรัชญาการดำเนินธุรกิจ: ใช้ลูกค้าเป็นศูนย์กลาง ใช้คุณภาพเป็นชีวิต ความซื่อสัตย์ ความรับผิดชอบ โฟกัส นวัตกรรม เราจะให้คุณสมบัติ คุณภาพเพื่อตอบแทนความไว้วางใจของลูกค้า กับซัพพลายเออร์รายใหญ่ระดับโลกส่วนใหญ่?ê?ทั้งหมด พนักงานของเราจะทำงานร่วมกันและก้าวไปข้างหน้าด้วยกัน

รายละเอียดสินค้า

คาร์บอน / คาร์บอนคอมโพสิต(ต่อไปนี้จะเรียกว่า “C/C หรือ CFC”) เป็นวัสดุคอมโพสิตชนิดหนึ่งซึ่งมีพื้นฐานจากคาร์บอนและเสริมด้วยคาร์บอนไฟเบอร์และผลิตภัณฑ์จากมัน (พรีฟอร์มของคาร์บอนไฟเบอร์) มีทั้งความเฉื่อยของคาร์บอนและความแข็งแรงสูงของคาร์บอนไฟเบอร์ มีคุณสมบัติทางกลที่ดี ทนความร้อน ทนต่อการกัดกร่อน ลดแรงเสียดทาน และมีคุณสมบัติการนำความร้อนและไฟฟ้า

CVD-SiCการเคลือบมีลักษณะโครงสร้างสม่ำเสมอ วัสดุขนาดกะทัดรัด ทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการเกิดออกซิเดชัน มีความบริสุทธิ์สูง ทนต่อกรดและด่าง และรีเอเจนต์อินทรีย์ พร้อมคุณสมบัติทางกายภาพและเคมีที่เสถียร

เมื่อเปรียบเทียบกับวัสดุกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง กราไฟท์จะเริ่มออกซิไดซ์ที่อุณหภูมิ 400C ซึ่งจะทำให้เกิดการสูญเสียผงเนื่องจากการเกิดออกซิเดชัน ส่งผลให้เกิดมลภาวะต่อสิ่งแวดล้อมต่ออุปกรณ์ต่อพ่วงและห้องสุญญากาศ และเพิ่มสิ่งสกปรกในสภาพแวดล้อมที่มีความบริสุทธิ์สูง

อย่างไรก็ตาม การเคลือบ SiC สามารถรักษาความเสถียรทางกายภาพและเคมีได้ที่ 1,600 องศา ซึ่งมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมสมัยใหม่ โดยเฉพาะในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

บริษัทของเราให้บริการกระบวนการเคลือบ SiC โดยวิธี CVD บนพื้นผิวของกราไฟท์ เซรามิก และวัสดุอื่นๆ เพื่อให้ก๊าซพิเศษที่มีคาร์บอนและซิลิกอนทำปฏิกิริยาที่อุณหภูมิสูงเพื่อให้ได้โมเลกุล SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูง โมเลกุลที่สะสมอยู่บนพื้นผิวของวัสดุเคลือบ สร้างชั้นป้องกัน SIC SIC ที่เกิดขึ้นจะยึดติดแน่นกับฐานกราไฟท์ ทำให้ฐานกราไฟท์มีคุณสมบัติพิเศษ จึงทำให้พื้นผิวของกราไฟท์มีขนาดกะทัดรัด ปราศจากรูพรุน ทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการกัดกร่อน และต้านทานการเกิดออกซิเดชัน

 การประมวลผลการเคลือบ SiC บนตัวรับ MOCVD ของพื้นผิวกราไฟท์

คุณสมบัติหลัก:

1. ความต้านทานการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง:

ความต้านทานการเกิดออกซิเดชันยังคงดีมากเมื่ออุณหภูมิสูงถึง 1,600 C

2. ความบริสุทธิ์สูง: เกิดจากการสะสมไอสารเคมีภายใต้สภาวะคลอรีนที่อุณหภูมิสูง

3. ความต้านทานการกัดกร่อน: ความแข็งสูง, พื้นผิวที่กะทัดรัด, อนุภาคละเอียด

4. ความต้านทานการกัดกร่อน: กรด ด่าง เกลือ และรีเอเจนต์อินทรีย์

 

ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC:

SiC-CVD

ความหนาแน่น

(กรัม/ซีซี)

3.21

ความแข็งแรงของแรงดัดงอ

(เมปา)

470

การขยายตัวทางความร้อน

(10-6/เค)

4

การนำความร้อน

(W/mK)

300

ภาพรายละเอียด

การประมวลผลการเคลือบ SiC บนตัวรับ MOCVD ของพื้นผิวกราไฟท์การประมวลผลการเคลือบ SiC บนตัวรับ MOCVD ของพื้นผิวกราไฟท์การประมวลผลการเคลือบ SiC บนตัวรับ MOCVD ของพื้นผิวกราไฟท์การประมวลผลการเคลือบ SiC บนตัวรับ MOCVD ของพื้นผิวกราไฟท์การประมวลผลการเคลือบ SiC บนตัวรับ MOCVD ของพื้นผิวกราไฟท์

ข้อมูลบริษัท

111

อุปกรณ์โรงงาน

222

คลังสินค้า

333

การรับรอง

การรับรอง22

 


  • ก่อนหน้า:
  • ต่อไป:

  • แชทออนไลน์ WhatsApp!