เวเฟอร์ซิลิคอนขนาด 8 นิ้วที่มีความบริสุทธิ์สูง

คำอธิบายสั้น ๆ :

เวเฟอร์ซิลิคอนขนาด 8 นิ้วที่มีความบริสุทธิ์สูงของ VET Energy เป็นตัวเลือกในอุดมคติของคุณสำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ผลิตโดยใช้เทคโนโลยีขั้นสูง เวเฟอร์เหล่านี้มีคุณภาพคริสตัลที่ยอดเยี่ยมและความเรียบของพื้นผิว ทำให้เหมาะสำหรับการผลิตอุปกรณ์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่หลากหลาย


รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

เวเฟอร์ซิลิคอนขนาด 8 นิ้วของ VET Energy ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง เซ็นเซอร์ วงจรรวม และสาขาอื่นๆ ในฐานะผู้นำในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ เรามุ่งมั่นที่จะนำเสนอผลิตภัณฑ์ Si Wafer คุณภาพสูงเพื่อตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นของลูกค้าของเรา

นอกจาก Si Wafer แล้ว VET Energy ยังจำหน่ายวัสดุซับสเตรตเซมิคอนดักเตอร์หลากหลายประเภท ซึ่งรวมถึงซับสเตรต SiC, เวเฟอร์ SOI, พื้นผิว SiN, Epi เวเฟอร์ ฯลฯ กลุ่มผลิตภัณฑ์ของเรายังครอบคลุมวัสดุเซมิคอนดักเตอร์แถบความถี่กว้างใหม่ๆ เช่น แกลเลียมออกไซด์ Ga2O3 และ AlN Wafer ให้การสนับสนุนอย่างมากสำหรับการพัฒนาอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังแห่งยุคถัดไป

VET Energy มีอุปกรณ์การผลิตที่ทันสมัยและระบบการจัดการคุณภาพที่สมบูรณ์เพื่อให้แน่ใจว่าเวเฟอร์แต่ละชิ้นตรงตามมาตรฐานอุตสาหกรรมที่เข้มงวด ผลิตภัณฑ์ของเราไม่เพียงแต่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ดีเยี่ยม แต่ยังมีความแข็งแรงทางกลที่ดีและเสถียรภาพทางความร้อนอีกด้วย

VET Energy นำเสนอโซลูชันเวเฟอร์ที่ปรับแต่งตามความต้องการของลูกค้า ซึ่งรวมถึงเวเฟอร์ที่มีขนาด ประเภท และความเข้มข้นของสารต้องห้ามที่แตกต่างกัน นอกจากนี้เรายังให้การสนับสนุนทางเทคนิคอย่างมืออาชีพและบริการหลังการขายเพื่อช่วยลูกค้าแก้ไขปัญหาต่างๆ ที่พบในระหว่างกระบวนการผลิต

บทที่ 6页-36
บทที่ 6页-35

ข้อมูลจำเพาะเวเฟอร์

*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=กึ่งฉนวน

รายการ

8 นิ้ว

6 นิ้ว

4 นิ้ว

เอ็นพี

น-บ่าย

n-ป

SI

SI

ทีทีวี(GBIR)

≤6um

≤6um

โบว์(GF3YFCD)-ค่าสัมบูรณ์

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

วาร์ป(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10มม.x10มม

<2μm

ขอบเวเฟอร์

บาก

การตกแต่งพื้นผิว

*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=กึ่งฉนวน

รายการ

8 นิ้ว

6 นิ้ว

4 นิ้ว

เอ็นพี

น-บ่าย

n-ป

SI

SI

พื้นผิวเสร็จสิ้น

ออพติคอลโพลิชสองด้าน, Si- Face CMP

ความหยาบของพื้นผิว

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2นาโนเมตร
C-Face Ra≤ 0.5 นาโนเมตร

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2นาโนเมตร
C-ใบหน้าRa≤0.5นาโนเมตร

ชิปขอบ

ไม่อนุญาตให้ใช้ (ความยาวและความกว้าง≥0.5มม.)

เยื้อง

ไม่มีการอนุญาต

รอยขีดข่วน(Si-Face)

จำนวน ≤5 สะสม
ความยาว≤0.5×เส้นผ่านศูนย์กลางเวเฟอร์

จำนวน ≤5 สะสม
ความยาว≤0.5×เส้นผ่านศูนย์กลางเวเฟอร์

จำนวน ≤5 สะสม
ความยาว≤0.5×เส้นผ่านศูนย์กลางเวเฟอร์

รอยแตก

ไม่มีการอนุญาต

การยกเว้นขอบ

3มม

เทคโนโลยี_1_2_ขนาด
下载 (2)

  • ก่อนหน้า:
  • ต่อไป:

  • แชทออนไลน์ WhatsApp!