CVD-SiCการเคลือบมีลักษณะโครงสร้างสม่ำเสมอ วัสดุขนาดกะทัดรัด ทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการเกิดออกซิเดชัน มีความบริสุทธิ์สูง ทนต่อกรดและด่าง และรีเอเจนต์อินทรีย์ พร้อมคุณสมบัติทางกายภาพและเคมีที่เสถียร

เมื่อเปรียบเทียบกับวัสดุกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง กราไฟท์จะเริ่มออกซิไดซ์ที่อุณหภูมิ 400C ซึ่งจะทำให้เกิดการสูญเสียผงเนื่องจากการเกิดออกซิเดชัน ส่งผลให้เกิดมลภาวะต่อสิ่งแวดล้อมต่ออุปกรณ์ต่อพ่วงและห้องสุญญากาศ และเพิ่มสิ่งสกปรกในสภาพแวดล้อมที่มีความบริสุทธิ์สูง

อย่างไรก็ตาม การเคลือบ SiC สามารถรักษาความเสถียรทางกายภาพและเคมีได้ที่ 1,600 องศา ซึ่งมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมสมัยใหม่ โดยเฉพาะในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

บริษัทของเราให้บริการกระบวนการเคลือบ SiC โดยวิธี CVD บนพื้นผิวของกราไฟท์ เซรามิก และวัสดุอื่นๆ เพื่อให้ก๊าซพิเศษที่มีคาร์บอนและซิลิกอนทำปฏิกิริยาที่อุณหภูมิสูงเพื่อให้ได้โมเลกุล SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูง โมเลกุลที่สะสมอยู่บนพื้นผิวของวัสดุเคลือบ สร้างชั้นป้องกัน SIC SIC ที่เกิดขึ้นจะยึดติดแน่นกับฐานกราไฟท์ ทำให้ฐานกราไฟท์มีคุณสมบัติพิเศษ จึงทำให้พื้นผิวของกราไฟท์มีขนาดกะทัดรัด ปราศจากรูพรุน ทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการกัดกร่อน และต้านทานการเกิดออกซิเดชัน

คุณสมบัติหลัก:

1. ความต้านทานการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง:

ความต้านทานการเกิดออกซิเดชันยังคงดีมากเมื่ออุณหภูมิสูงถึง 1,600 C

2. ความบริสุทธิ์สูง: เกิดจากการสะสมไอสารเคมีภายใต้สภาวะคลอรีนที่อุณหภูมิสูง

3. ความต้านทานการกัดกร่อน: ความแข็งสูง, พื้นผิวที่กะทัดรัด, อนุภาคละเอียด

4. ความต้านทานการกัดกร่อน: กรด ด่าง เกลือ และรีเอเจนต์อินทรีย์

ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC: