GaN Epitaxy дар асоси кремний

Тавсифи Маҳсулот

Ширкати мо бо усули CVD дар рӯи графит, сафол ва дигар маводҳо хидматрасонии раванди пӯшиши SiC-ро пешниҳод мекунад, то газҳои махсуси дорои карбон ва кремний дар ҳарорати баланд реаксия карда, молекулаҳои SiC-и тоза, молекулаҳои дар рӯи маводи пӯшида ҷойгиршуда, ташаккули қабати муҳофизатии SIC.

Хусусиятҳои асосӣ:

1. Муқовимати оксидшавии ҳарорати баланд:

муқовимати оксидшавӣ ҳанӯз хеле хуб аст, вақте ки ҳарорат то 1600 С баланд аст.

2. тозагии баланд: аз ҷониби таҳшин бухори кимиёвӣ дар шароити chlorination ҳарорати баланд дод.

3. Муқовимати эрозия: сахтии баланд, сатҳи паймон, зарраҳои хуб.

4. Муқовимат ба зангзанӣ: кислота, сілтӣ, намак ва реагентҳои органикӣ.

Мушаххасоти асосии CVD-SIC Coating